公开(公告)号：FR2970106B1

公开(公告)日：2013-03-15

申请号：FR1005155

申请日：2010-12-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GALY PHILIPPE ,  GAMET STEPHANE ,  JIMENEZ JEAN ,  HUARD VINCENT ,  DAMIENS JOEL

IPC: G11C17/14 ,  H01L29/772

公开(公告)号：FR2945876B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：FR0953330

申请日：2009-05-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GAMET STEPHANE ,  DAMIENS JOEL

IPC: G05B1/02 ,  G05B11/32

公开(公告)号：FR2945876A1

公开(公告)日：2010-11-26

申请号：FR0953330

申请日：2009-05-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GAMET STEPHANE ,  DAMIENS JOEL

IPC: G05B1/02 ,  G05B11/32

Abstract: L'invention concerne un dispositif de régulation 1 configuré pour réguler une tension de sortie V d'un générateur de tension à pompe de charges 2, dans lequel le dispositif de régulation 1 comprend une première boucle de régulation 4 apte à élaborer et à délivrer à une première entrée du générateur de tension, une tension d'entrée V en fonction de la différence entre la tension de sortie V et une première tension de référence V , et un moyen de charge 3 apte à élaborer et à délivrer à une deuxième entrée du générateur de tension, une tension de charge V sensiblement constante. L'invention concerne également un dispositif électronique comprenant le dispositif de régulation d'un générateur à pompe de charges, ainsi qu'un procédé de régulation d'un générateur à pompe de charges.

公开(公告)号：FR2895136A1

公开(公告)日：2007-06-22

申请号：FR0512871

申请日：2005-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DRAY CYRILLE ,  GAMET STEPHANE

IPC: G11C16/14

Abstract: L'invention concerne un dispositif de commutation d'ordre n, comprenant :&circlef; une première branche comprenant n transistors associés en série entre une première entrée (E1) sur laquelle est appliqué un potentiel (V0,n) de rang 0 et une sortie,&circlef; une deuxième branche comprenant n transistors associés en série une deuxième entrée (E2) sur laquelle est appliqué un potentiel (Vn,o) de rang n et la sortie,Le dispositif selon l'invention comprend également :&circlef; un moyen pour produire n-1 potentiels de rang 1 à n-1 compris entre le potentiel de rang 0 et le potentiel de rang n,&circlef; un moyen de pilotage pour, à partir des n+1 potentiels de rang 0 à n, produire des signaux de commande appropriés pour piloter les grilles des transistors de la première branche et de la deuxième branche de sorte que les transistors de l'une des branches soient passants et les transistors de l'autre des branches soient bloqués, en fonction de la valeur du potentiel de rang n par rapport à la valeur du potentiel de rang 0.

公开(公告)号：FR2970106A1

公开(公告)日：2012-07-06

申请号：FR1005155

申请日：2010-12-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GALY PHILIPPE ,  GAMET STEPHANE ,  JIMENEZ JEAN ,  HUARD VINCENT ,  DAMIENS JOEL

IPC: G11C17/14 ,  H01L29/772

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire OTP (30) comportant un point mémoire (T ) comprenant un transistor à effet de champ (1). Le dispositif (1) comporte une électrode de source (2) et une électrode de drain (3) dopées par une première impureté dopante et séparées par un canal (4). L'électrode de source (2) est réalisée de manière à ce qu'elle soit plus dopée que l'électrode de drain (3) et que le gradient de concentration en première impureté dopante depuis le canal (4) vers l'électrode de drain (3) est supérieur au gradient de concentration en première impureté dopante depuis le canal (4) vers l'électrode de source (2).