公开(公告)号：CN102308370B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201080007182.5

申请日：2010-02-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  藤原伸介 ,  中幡英章 ,  元木健作

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。

公开(公告)号：CN102077319A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124509.4

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  田边达也

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供了一种膜淀积方法，所述膜淀积方法能够根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数来改进界面附近的晶体特性。具体来讲，根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数与构成一个主表面的材料的晶格常数，相对于沿着在其上要淀积薄膜的一个主表面的方向弯曲衬底。在衬底弯曲的情况下，在衬底的一个主表面上淀积薄膜。

公开(公告)号：CN101842884A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880114264.2

申请日：2008-10-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  田边达也

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的III族氮化物基异质结晶体管11a中，第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层1 5与第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a形成异质结21。第一电极17在第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a上形成肖特基结。第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a及第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层15设置于衬底23上。电极17a、18a、19a各自包含源极、栅极及漏极。第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a的碳浓度NC13小于1×1017cm-3。第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层15的位错密度D为1×108cm-2。通过异质结21，生成二维电子气层25。由此，提供低损耗的氮化镓基电子器件。

公开(公告)号：CN103632958A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310369936.7

申请日：2013-08-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  中村孝夫 ,  天野浩

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L21/3242 ,  H01L21/3245 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66856 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8122 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供制作III族氮化物半导体和半导体元件的方法、III族氮化物半导体装置、进行热处理的方法。在工序S107中，进行III族氮化物半导体23的热处理，形成导电性III族氮化物半导体25。热处理包含第一热处理27a和第二热处理27b。在工序S108中，供给包含第一流量L1的还原性气体和第二流量L2的氮源气体的处理气体G1，且在第一热处理中第一流量L1大于零。第二流量L2为零以上。在工序S109中，进行第一热处理27a后，进行第二热处理27b。在第二热处理27b中，供给包含第三流量L3的还原性气体和第四流量L4的氮源气体的处理气体G2，进行III族氮化物半导体23的热处理。

公开(公告)号：CN102077319B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200980124509.4

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  田边达也

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供了一种膜淀积方法，所述膜淀积方法能够根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数来改进界面附近的晶体特性。具体来讲，根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数与构成一个主表面的材料的晶格常数，相对于沿着在其上要淀积薄膜的一个主表面的方向弯曲衬底。在衬底弯曲的情况下，在衬底的一个主表面上淀积薄膜。

公开(公告)号：CN102484076A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038234.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  中幡英章 ,  天野浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种击穿电场强度较大且结晶缺陷较少的常关型III族氮化物半导体设备、及用于制作该III族氮化物半导体设备的III族氮化物半导体层积晶圆。III族氮化物半导体层积晶圆(10)包括：基板27，其由AlN构成且具有沿该AlN结晶的c轴的主面(27a)；第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)，其由含有Al的III族氮化物系半导体构成且设置在主面(27a)上；以及第二AlX2InY2Ga1-X2-Y2N层(15)，其设置在主面(27a)上，由带隙比第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)更大的III族氮化物系半导体构成，并且与第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)形成异质结。

公开(公告)号：CN1977366A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200680000383.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  樱田隆 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm－3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm－3。

公开(公告)号：CN102414796B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201080019145.6

申请日：2010-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。

公开(公告)号：CN101847575A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010163633.6

申请日：2006-10-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有至少400V的耐受电压，所述方法包括步骤：制备AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)，其中0≤x、0≤y并且x+y≤1；以及在所述基板(12)上生长至少一层半导体层(41)，其中所述基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)，所述主平面(12m)具有位于距离所述主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，以及对应于除了所述外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)，并且所述内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。

公开(公告)号：CN101331591A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047480.0

申请日：2006-10-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L29/201 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明的AlxGayIn1－x－yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm－2并且至多1×106cm－2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1－x－yN晶体基板、包括该AlxGayIn1－x－yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。