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公开(公告)号:CN110499025B
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN201910405312.3
申请日:2019-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可得到耐漏电性优异的固化物的热固性马来酰亚胺树脂组合物和一种用所述树脂组合物的固化物封装的半导体装置。所述半导体封装用热固性马来酰亚胺树脂组合物包含下述的(A)成分、(B)成分以及(C)成分。其中,(A)成分为在25℃下为固体的马来酰亚胺化合物,其在一个分子中含有至少一个二聚酸骨架、至少一个碳原子数为6以上的直链亚烷基以及至少两个马来酰亚胺基;(B)成分为无机填充材料;(C)成分为固化促进剂。
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公开(公告)号:CN113004462A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN202011504925.1
申请日:2020-12-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F236/22 , C08F222/40 , C08K9/06 , C08K7/18 , C08K3/36 , C08L47/00 , C08L63/06 , C08K5/5435 , C09J147/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J7/30 , C08J5/24 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种热固性树脂组合物及其应用。所述热固性树脂组合物能够得到相对介电常数和耐热性优异、且对高频用途有用的固化物。其包括:(1)包含下述(A)、(C)以及(D)的热固性树脂组合物;(2)包含下述(A)和(B)的热固性树脂组合物。其中:(A)为以下述式(1)表示的环戊二烯化合物和/或其低聚物;(在式(1)中,R表示选自烷基、烯基以及芳基中的基团,n为1~4的整数,x1和x2独立地为0、1或2)(B)环状酰亚胺化合物;(C)固化促进剂;(D)无机填充材料。
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公开(公告)号:CN111808421A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN202010268080.4
申请日:2020-04-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种膜用组合物,其提供介电常数低,并且具有高散热性的膜。作为解决上述技术问题的手段,本发明提供一种低介电散热膜用组合物,其包含(A)马来酰亚胺树脂组合物与(B)氮化硼颗粒,所述(A)马来酰亚胺树脂组合物含有(A1)一分子中至少含有2个以上马来酰亚胺基的马来酰亚胺树脂与(A2)聚合引发剂。此处,(A1)成分的马来酰亚胺当量为0.1mol/100g以下,且(A)成分的固化物在频率为10GHz时的相对介电常数为3.5以下。
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公开(公告)号:CN110499025A
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201910405312.3
申请日:2019-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可得到耐漏电性优异的固化物的热固性马来酰亚胺树脂组合物和一种用所述树脂组合物的固化物封装的半导体装置。所述半导体封装用热固性马来酰亚胺树脂组合物包含下述的(A)成分、(B)成分以及(C)成分。其中,(A)成分为在25℃下为固体的马来酰亚胺化合物,其在一个分子中含有至少一个二聚酸骨架、至少一个碳原子数为6以上的直链亚烷基以及至少两个马来酰亚胺基;(B)成分为无机填充材料;(C)成分为固化促进剂。
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公开(公告)号:CN103131186B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201210474507.1
申请日:2012-11-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及白色热固性硅氧烷树脂组合物以及光半导体装置,该组合物包括:(A)成分,其为(A1)具有硅亚苯基骨架和树脂状有机聚硅氧烷结构,且含有羟基,聚苯乙烯换算的重均分子量为500~20,000的有机硅化合物,或(A2)下述a)和(b)的组合:(a)下述平均组成式(1)所示的树脂状有机聚硅氧烷:(CH3)aSi(OR)(b OH)cO(4-a-b-c)/2 (1),(b)下述通式(2)所示的具有硅亚苯基部位的有机硅化合物:;(B)白色颜料,C)(B)成分之外的无机填充剂,以及(D)固化催化剂,该光半导体装置具有含该硅氧烷树脂组合物的固化物的光半导体元件与反射体。
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公开(公告)号:CN105669949A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201510875415.8
申请日:2015-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C08L63/00 , C08K5/053 , C08L53/00 , C08L2205/025 , C08L2205/03 , H01L33/56 , H01L2933/005 , C08G59/4223 , C08G59/38 , C08G2190/00 , C08L2203/206 , C08L67/04 , C08L69/00
Abstract: 本发明提供操作性、透明性和耐开裂性优异的光半导体元件封装用热固性环氧树脂组合物,以及具有由该组合物所封装的光半导体元件的光半导体装置。所述光半导体元件封装用热固性环氧树脂组合物包含(A)预聚物和包括下述式(1)所示的鎓盐的(B)固化促进剂,所述(A)预聚物是使(A-1)三嗪衍生物环氧树脂、(A-2)至少一种环氧树脂、(A-3)在50℃下为液态的酸酐固化剂、以及(A-4)柔软性赋予剂以环氧当量/酸酐当量之比为0.6~2.0的比例进行反应而得到,式(1)中,X+表示阳离子,Y-表示阴离子。X+Y- (1)。
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公开(公告)号:CN103102643B
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201210447320.2
申请日:2012-11-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor: 堤吉弘
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高强度、可挠性的热固化性环氧树脂组合物、及使用该组合物的半导体装置。为解决所述课题,所述热固化性环氧树脂组合物的特征在于,其包括:(A)混合物或预聚物,所述混合物以[环氧基当量/酸酐基当量]为0.6~2.0的比例,包含(A-1)三嗪衍生物环氧树脂与(A-2)酸酐,所述预聚物是使该混合物反应而获得;(B)混合物或预聚物,所述混合物以[环氧基当量/羧基当量]为0.6~4.0的比例,包含(B-1)三嗪衍生物环氧树脂与(B-2)由下述通式(1)表示的二羧酸,所述预聚物是使该混合物反应而获得;(C)白色颜料;(D)无机填充剂;及,(E)固化催化剂,
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公开(公告)号:CN113265220B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202110064332.6
申请日:2021-01-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J171/12 , C09J179/08 , C09J11/04 , C09J11/08 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B7/12 , H05K1/03
Abstract: 本发明的目的在于提供一种对金属箔的粘合优异、具有高Tg及低介电性能、且因各成分的相容性优异而固化时的固化不均或特性偏差少的热固性树脂组合物、热固性粘合剂、热固性树脂膜以及使用有所述热固性树脂组合物的预浸料、层叠板及电路基板。所述热固性树脂组合物的特征在于,含有:100质量份(A)分子链末端具有反应性双键的聚苯醚树脂,10~50质量份(B)(甲基)丙烯酸酯化合物,30~100质量份(C)环状酰亚胺化合物,0.3~10质量份(D)反应引发剂,0.3~10质量份(E)含有一分子中具有两个以上环氧基的环氧树脂的粘合助剂。
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公开(公告)号:CN110423370B
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN201910343460.7
申请日:2019-04-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种含石英玻璃纤维的预浸料,其能够得到一种含石英玻璃纤维的基板,该基板在作为印刷布线基板使用时,能够抑制由印刷布线基板而导致半导体元件发生误动作的情形,且传输损耗变少。本发明是一种含石英玻璃纤维的预浸料,是含有石英玻璃纤维与树脂组合物的含石英玻璃纤维的预浸料,该预浸料的特征在于,所述石英玻璃纤维是(A)从石英布、石英短切原丝、石英不织布、石英棉中选出的至少1种;所述树脂组合物包含:(B)马来酰亚胺化合物,其在25℃时呈固体,且在分子中含有至少1个二聚酸骨架、至少1个碳数为6以上的直链亚烷基及至少2个马来酰亚胺基;以及(C)固化促进剂;所述预浸料中的铀和钍的含量总计为0~0.1ppm。
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公开(公告)号:CN116063848A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202211365552.3
申请日:2022-10-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08L79/08 , C08K7/18 , C08K3/36 , C08J5/24 , C08K7/14 , B32B15/20 , B32B15/04 , B32B17/04 , B32B17/06 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种热固性马来酰亚胺树脂组合物等。其即使在高频区域也能够赋予介电特性优异、为低吸水率且具有高玻璃化转变温度的固化物。所述热固性马来酰亚胺树脂组合物含有,(A)2种以上的在1分子中具有1个以上的来自二聚酸骨架的烃基的马来酰亚胺化合物,和(B)反应引发剂,且所述热固性马来酰亚胺树脂组合物的固化物的10GHz的电介质损耗角正切和40GHz的电介质损耗角正切分别为0.003以下。
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