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公开(公告)号:CN104136994B
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:CN201280070393.2
申请日:2012-12-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/5226 , G03F7/0035 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0332 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76816 , H01L2924/0002 , Y10T428/24355 , H01L2924/00
Abstract: 使用线图案对互连级电介质层之上的第一金属硬掩模层图案化。至少一个电介质材料层、第二金属硬掩模层、第一有机平面化层(OPL)以及第一光刻胶被施加在第一金属硬掩模层之上。第一通路图案被从所述第一光刻胶层转移到所述第二金属硬掩模层。第二OPL和第二光刻胶层被施加并使用第二通路图案进行图案化,该第二通路图案被转移到所述第二金属硬掩模层内。第一和第二通路图案的第一合成图案被转移到所述至少一个电介质材料层内。使用第一金属硬掩模层中的开口区域限制第一合成图案的第二合成图案被转移到互连级电介质材料层内。
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公开(公告)号:CN1499290A
公开(公告)日:2004-05-26
申请号:CN03152547.4
申请日:2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H05K3/0079 , H01L21/0331 , H01L21/76849 , H05K3/282 , H05K2203/1173 , Y10T428/24802
Abstract: 一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法,该方法包括涂敷溶液涂料,溶液包含在载体中的掩模材料,掩模材料对于该现有图案一部分具有亲合力;和允许至少一部分掩模材料优先装配到现有图案的一部分。图案可以由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成,衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可以包括一种或多种金属元素和第二组区域可以包括电介质。可以处理第一和第二区域以具有不同的性能。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。
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公开(公告)号:CN1305111C
公开(公告)日:2007-03-14
申请号:CN03152547.4
申请日:2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/26
CPC classification number: H05K3/0079 , H01L21/0331 , H01L21/76849 , H05K3/282 , H05K2203/1173 , Y10T428/24802
Abstract: 一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法,该方法包括涂敷溶液涂料,溶液包含在载体中的掩模材料,掩模材料对于该现有图案一部分具有亲合力;和允许至少一部分掩模材料优先装配到现有图案的一部分。图案可以由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成,衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可以包括一种或多种金属元素和第二组区域可以包括电介质。可以处理第一和第二区域以具有不同的性能。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。
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公开(公告)号:CN116635937A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202180081316.6
申请日:2021-11-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
Abstract: 一种半导体结构(100),包括:由电介质层(114)包围的加热器(116);在加热器(116)的顶部部分上的投射衬垫(124);在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126);以及包围相变材料层(126)的顶部的顶部电极触点(136)。投射衬垫可覆盖加热器(116)的顶表面。投射衬垫(124)可以将相变材料层(126)与第二电介质层和加热器(116)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。顶部电极触点(136)可以通过金属衬垫(134)与相变材料层(126)分隔开。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。
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公开(公告)号:CN104136994A
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201280070393.2
申请日:2012-12-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/5226 , G03F7/0035 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0332 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76816 , H01L2924/0002 , Y10T428/24355 , H01L2924/00
Abstract: 使用线图案对互连级电介质层之上的第一金属硬掩模层图案化。至少一个电介质材料层、第二金属硬掩模层、第一有机平面化层(OPL)以及第一光刻胶被施加在第一金属硬掩模层之上。第一通路图案被从所述第一光刻胶层转移到所述第二金属硬掩模层。第二OPL和第二光刻胶层被施加并使用第二通路图案进行图案化,该第二通路图案被转移到所述第二金属硬掩模层内。第一和第二通路图案的第一合成图案被转移到所述至少一个电介质材料层内。使用第一金属硬掩模层中的开口区域限制第一合成图案的第二合成图案被转移到互连级电介质材料层内。
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公开(公告)号:CN1284206C
公开(公告)日:2006-11-08
申请号:CN03152546.6
申请日:2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/312 , G03F7/004
CPC classification number: H01L21/76849 , B82Y30/00 , G03F7/165 , H01L21/0331 , H01L21/31058 , H05K3/0079 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法,该方法包括在衬底上涂敷该掩模材料的涂料;和允许至少一部分掩模材料优先连接到一部分现有图案上。图案由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成,衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可包括一种或多种金属元素和第二组区域可包括电介质。掩模材料可包括一种聚合物,聚合物包含选择性结合到一部分图案上的反应性接枝位置。掩模材料可包括结合到一部分图案上的聚合物,以提供适于聚合引发的官能团层,含有适于聚合增长的官能团的反应性分子,或反应性分子,其中反应性分子与一部分图案的反应产生含有反应性基团的层,它参与逐步增长聚合。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。
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公开(公告)号:CN1499573A
公开(公告)日:2004-05-26
申请号:CN03152546.6
申请日:2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/312 , G03F7/004
CPC classification number: H01L21/76849 , B82Y30/00 , G03F7/165 , H01L21/0331 , H01L21/31058 , H05K3/0079 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法,该方法包括在衬底上涂敷该掩模材料的涂料;和允许至少一部分掩模材料优先连接到一部分现有图案上。图案由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成,衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可包括一种或多种金属元素和第二组区域可包括电介质。掩模材料可包括一种聚合物,聚合物包含选择性结合到一部分图案上的反应性接枝位置。掩模材料可包括结合到一部分图案上的聚合物,以提供适于聚合引发的官能团层,含有适于聚合增长的官能团的反应性分子或反应性分子,其中反应性分子与一部分图案的反应产生含有反应性基团的层,它参与逐步增长聚合。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。
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