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公开(公告)号：CN110648693B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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公开(公告)号：CN110875063A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910681488.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。
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公开(公告)号：CN108346437B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810039987.6
申请日：2018-01-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN108305645B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201711430804.5
申请日：2017-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7006 , C22C19/07 , C22C27/06 , C22C2202/02 , G11B5/653 , G11B5/7325
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN108305645A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711430804.5
申请日：2017-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7006 , C22C19/07 , C22C27/06 , C22C2202/02 , G11B5/653 , G11B5/7325 , G11B5/731 , G11B5/70605 , G11B5/725 , G11B5/851
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108242244A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711336207.6
申请日：2017-12-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B5/851 , G11B11/10589 , G11B5/70605 , G11B5/70626 , G11B5/725 , G11B5/73 , G11B5/8404
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以W为主成分的材料和氮化物并且所述氮化物的含量在1mol％～80mol％的范围内的结晶质层。所述氮化物包括从Al、B、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo及W组成的组中选择的1种以上的元素的氮化物。
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公开(公告)号：CN107527633A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710439941.9
申请日：2017-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/82
CPC classification number: G11B5/1875 , G11B5/398 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/706 , G11B5/70615 , G11B5/716 , G11B5/73 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质，包括：衬底；基底层，其形成在所述衬底上；以及(001)取向的L10磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括第一磁性层和第二磁性层，其中，所述第一磁性层形成在所述基底层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含C，并且所述第二磁性层形成在所述第一磁性层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含氧化物或氮化物，所述第二磁性层还包含选自由Mg、Ni、Zn、Ge、Pd、Sn、Ag、Re、Au及Pb构成的组的一种以上的元素作为添加物。
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公开(公告)号：CN104575530A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410558092.5
申请日：2014-10-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B11/10584 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其包括基板；磁性层，其以具有L10型晶体结构的合金为主成分；以及多个衬底层，其布置在所述基板与所述磁性层之间。所述多个衬底层包括至少一个结晶衬底层，所述结晶衬底层具有(100)取向，并且包括W来作为主成分、以及选自由Fe、Ni、Co、Hf、Zr、Y、Be、Ce、La、及Sc组成的群组的一种或多种元素。
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公开(公告)号：CN103226954A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310032007.7
申请日：2013-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 本发明的热辅助磁记录介质，具备：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的磁性层，磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
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公开(公告)号：CN102473420A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036321.7
申请日：2010-08-19
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/6088 , G11B5/656 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和使用了所述热辅助磁记录介质的磁存储装置，本发明的热辅助磁记录介质具有：基板(1)；形成于基板(1)上的基底层；和形成于该基底层上的以具有L10结构的FePt合金或具有L10结构的CoPt合金为主成分的磁性层(5)，其中，该基底层由第1基底层(2)、第2基底层(3)和第3基底层(4)构成，所述第1基底层由非晶合金构成，所述第2基底层由以Cr为主成分、并且含有Ti、Mo、W、V、Mn、Ru之中的至少1种元素的BCC结构的合金构成，所述第3基底层由MgO构成。
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