公开(公告)号：CN1184694C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN00100291.0

申请日：2000-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 幸康一郎 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  大仲清司 ,  浅井明 ,  片山幸治

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i-Si1-yGey层119(0＜y＜1)、i-Si间隙层142、SiO2层117和栅极116。因为使下部Si间隙层118含有了C原子，抑制Si1-yGey层中的Ge的漂移·扩散·分离，所以能抑制Si/Si1-yGey层异质界面136的构造紊乱，从而保持明确、平滑的界面。因此，提高了沿异质界面流动的沟道中载流子的传导度等特性。即改善了热处理时半导体器件耐热性。并且，通过使其具有倾斜的C浓度分布来抑制C原子向栅极绝缘膜的扩散，并防止可靠性的下降。

公开(公告)号：CN1260595A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN00100291.0

申请日：2000-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 幸康一郎 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  大仲清司 ,  浅井明 ,  片山幸治

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i－Si1－yGey层119(0

公开(公告)号：CN100418236C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN03810353.2

申请日：2003-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  大仲清司 ,  古池进

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可在以p型电极为发光观测面的半导体发光元件中，实现较高发光效率的半导体发光元件及其制造方法。该半导体发光元件的特征在于，具有：蓝宝石基板(11)；形成于该基板(11)上，在其上面具有以规定间隔形成条状的多个凹部(121)的u-GaN层(12)；形成于该u-GaN层(12)上的再生长u-GaN层(13)；形成于u-GaN层(13)上，具有n-GaN层(15)、活性层(16)及p-GaN层(19)的层压体；在层压体的一部分被除去而露出的n-GaN层(15)上形成的n型电极(24)；和形成于p-GaN层(19)之上，具有透光性的p型电极(20)，该p型电极(20)构成发光观测面，在u-GaN层(13)的下面与(121)凹部之间形成空气层(S)。

公开(公告)号：CN1653624A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810353.2

申请日：2003-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  大仲清司 ,  古池进

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107

Abstract: 一种半导体发光元件，它具有蓝宝石基板(11)；形成于该基板(11)上，在其上面具有以规定间隔形成条状的多个凹部(121)的u－GaN层(12)；形成于该u－GaN层(12)上的再生长u－GaN层(13)；形成于u－GaN层(13)上，具有n－GaN层(15)、活性层(16)及p－GaN层(19)的层压体；在层压体的一部分被除去而露出的n－GaN层(15)上形成的n型电极(24)；和形成于p－GaN层(19)之上，具有透光性的p型电极(20)，该p型电极(20)构成发光观测面，在u－GaN层(13)的下面与(121)凹部之间形成空气层(S)。