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公开(公告)号：CN102696122A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201180004173.5
申请日：2011-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L24/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的半导体层叠构造(20)；和设置于p型半导体区域上的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)，Zn层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102511086A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201180003898.2
申请日：2011-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405 , H01L21/28575 , H01L24/14 , H01L29/045 , H01L29/452 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：半导体叠层构造(20)，其具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下角度的p型半导体区域；和电极(30)，其设置在p型半导体区域上。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)和形成在Zn层(32)上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。
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公开(公告)号：CN103403842A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010663.0
申请日：2012-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/18 , C30B25/04 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L21/20 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/58 , H01L2224/14 , H01L2224/16225
Abstract: 本申请公开的氮化物半导体层生长用结构具备以m面为生长面的蓝宝石基板、在蓝宝石基板的生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为蓝宝石基板的m面，多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。
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公开(公告)号：CN102007610B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201080001394.2
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)、和形成在Zn层(32)之上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102804415A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026102.0
申请日：2010-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382
Abstract: 本发明的发光二极管元件具有主面(7a)是m面的n型GaN基板(7)和在基板(7)的主面(7a)上设置的层叠结构。该层叠结构具有：n型半导体层(2)；位于n型半导体层(2)的上表面的第一区域(2a)上的活性层(3)、p型半导体层(4)、阳极电极层(5)；以及在n型半导体层(2)的上表面的第二区域(2b)上形成的阴极电极层(6)。n型半导体层(2)、活性层(3)以及p型半导体层(4)都是通过m面生长而形成的外延生长层。基板(7)以及n型半导体层(2)中的n型杂质的浓度设定在1×1018cm-3以下。当从与主面(7a)垂直的方向观察时，阳极电极层(5)与阴极电极层(6)的间隔为4μm以下，在从阴极电极层(6)的边缘中的与阳极电极层(5)相对置的部分起相距的距离为45μm以下的区域内配置有阳极电极层(5)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102687292B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201180003875.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。
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公开(公告)号：CN102473806B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201080032304.6
申请日：2010-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明的发光二极管元件具备：n型导电层(2)，其具有主面以及背面，并由氮化镓类化合物构成，主面是m面；半导体层叠构造(21)，其设置在n型导电层(2)的主面的第1区域(2a)，且包括p型导电层(4)、以及位于n型导电层(2)和p型导电层(4)之间的活性层(3)；p型电极(5)，其设置在p型导电层(4)上；导电体部(9)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与通孔(8)的内壁相接；以及n型表面电极(6)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与导电体部(9)相接。
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公开(公告)号：CN101981713B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201080001306.9
申请日：2010-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 氮化物系半导体发光元件(100)具备：以m面(12)为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠构造(20)、在半导体层叠构造(20)上形成的电极(30)。电极(30)包括由从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面接触。
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公开(公告)号：CN103180974A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201280003453.9
申请日：2012-06-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0075 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光元件（220），其具有：生长面为m面且由GaN类半导体形成的活性层（202）；和辐射来自活性层（202）的光的至少一个辐射面，其中，辐射面是在m面上设置有多个凸部（303）的面，在辐射面中，多个凸部（303）的各自的底面为封闭曲线内的区域，底面B的形状具有：将封闭曲线上位于最远的位置的两个点连结的线段即长轴（Ax）；和通过长轴（Ax）的中心且与长轴垂直的线段即短轴，长轴（Ax）和晶体的a轴延伸的方向所成的角度在45度以内。
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公开(公告)号：CN103003962A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201280002076.7
申请日：2012-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/54 , H01L2224/14 , H01L2224/16225
Abstract: 氮化物半导体发光元件（300）是具有包含由m面氮化物半导体形成的活性层的层叠结构（310）的氮化物半导体发光元件，层叠结构（310）具有与氮化物半导体活性层（306）的m面平行的取光面（311a）和与氮化物半导体活性层（306）的c面平行的取光面（311b），取光面（311b）的面积相对于取光面（311a）的面积的比例为46％以下。
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