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公开(公告)号：CN103168368A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180049688.7
申请日：2011-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/052
CPC classification number: H01L31/0693 , H01L31/0543 , H01L31/0687 , Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: 一种利用太阳能电池产生电力的方法，具有下面的工序（a）和工序（b）。工序（a）准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的上述太阳能电池。在此，太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、隧道效应层、n型InGaP层、p型InGaP层、p型窗口层、n侧电极以及p侧电极，Z方向为上述p型GaAs层的法线方向，X方向为与Z方向正交的方向。n型GaAs层被分割为GaAs中央部、第一GaAs周边部以及第二GaAs周边部，n型InGaP层被分割为InGaP中央部、第一InGaP周边部以及第二InGaP周边部。层的厚度、宽度满足规定的不等式组（I）。工序（b）以满足以下不等式（II）的方式经由聚光透镜，使光照射于包含在p型窗口层的表面的区域（S），在n侧电极与p侧电极之间产生电位差。
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公开(公告)号：CN102792478B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180011721.7
申请日：2011-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F41/302 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁性隧道结元件包括第一强磁性体层、第二强磁性体层、以及在第一强磁性体层与第二强磁性体层之间形成的绝缘体层。绝缘体层由添加有氟的MgO构成。绝缘体层的氟的添加量为0.00487atm%以上0.15080atm%以下。该元件具有MgO绝缘体层，并且与现有的具有MgO绝缘体层的元件相比表现出高的磁阻变化特性。优选氟的添加量为0.00487atm%以上0.05256atm%以下。
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公开(公告)号：CN103650120A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034140.X
申请日：2012-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/82
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/06 , C23C14/0694 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/352 , H01L21/02175 , H01L21/02266 , H01L43/08 , Y10T428/30
Abstract: 本发明的膜结构体（碳-绝缘膜结构体）具备碳和配置在该碳上的、由添加有氟的氧化镁构成的绝缘膜。氧化镁中的氟的添加量为0.0049原子百分比以上0.1508原子百分比以下。该膜结构体有助于使用以石墨烯为代表的碳的电子器件、例如自旋器件的实现。该膜结构体例如通过使用含有氧化镁和氟化镁的靶的溅射形成。
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公开(公告)号：CN102742024A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007851.3
申请日：2011-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/035281 , H01L31/0735 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳能电池的制造方法包含：在石墨基板上（101）的表面依次形成无定形碳层（102）、AlN层（103）和n型氮化物半导体层（105）的工序；在n型氮化物半导体层上形成具有多个开口部的掩模层（106）的工序；在从多个开口部露出的n型氮化物半导体层的部分上形成多个第二n型氮化物半导体层（107）的工序；在多个第二n型氮化物半导体层上形成由氮化物半导体构成的多个光吸收层（109）的工序；在多个光吸收层上形成多个p型氮化物半导体层（109）的工序；和形成p侧电极（111）的工序和形成n侧电极（112）的工序。
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公开(公告)号：CN101356686A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001281.0
申请日：2007-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/165 , H01P1/161 , H01Q3/24 , H01Q13/10 , H01Q21/245
Abstract: 本发明提供一种偏振波切换、指向性可变天线。在电介质基板(11)的面上具有接地导体板(12)，在电介质基板(11)的接地导体板(12)侧设置有发射元件(13)、指向性切换元件(15)和偏振波切换元件(16)，发射元件(13)是对接地导体板(12)呈环状进行除去而形成的第一缝隙(17a)，指向性切换元件(15)具有对接地导体板(12)呈环状进行除去而形成的第二缝隙(17b)和指向性切换开关(18)，偏振波切换元件(16)具有对接地导体板(12)呈线状进行除去而形成的第三缝隙(17c)和偏振波切换开关(19a～19d)，通过指向性切换开关(18)的控制，能够实现天线的发射指向性的最大增益方向的切换，通过偏振波切换开关(19a～19d)的控制，能够实现从天线发射的圆偏振波的旋转方向的切换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876586A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610874876.8
申请日：2016-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/4213 , H01L51/0029 , H01L51/4226 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L2251/306 , Y02E10/549 , H01L51/4206
Abstract: 本发明的一方式涉及一种太阳能电池，其具有：第1电极；电子传输层，其位于所述第1电极上，且含有半导体；光吸收层，其位于所述电子传输层上，包含用组成式AMX3(式中，A为1价阳离子，M为2价阳离子，X为卤素阴离子)表示的钙钛矿型化合物；第2电极，其位于所述光吸收层上；以及密封体，其将所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层和所述第2电极的至少一部分进行密封。在所述密封体与由所述密封体密封的所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层以及所述第2电极的至少一部分之间，存在含有氧的气体。所述气体中的氧的浓度以体积分数计为5％以上，水的浓度以体积分数计为300ppm以下。
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公开(公告)号：CN103155167A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049687.2
申请日：2011-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0693 , H01L31/035281 , H01L31/0543 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于提供具有更高转换效率的太阳能电池。本发明是使用太阳能电池产生电力的方法，具有工序（a）和工序（b）。工序（a）准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的太阳能电池。太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、p型窗口层、n侧电极和p侧电极，Z方向是p型GaAs层的法线方向，X方向是与Z方向正交的方向。n型GaAs层、p型GaAs层和p型窗口层沿Z方向层叠，p型GaAs层被夹在n型GaAs层和p型窗口层之间。n型GaAs层被分割为中央部、第一周边部和第二周边部，中央部沿X方向被夹在第一周边部和第二周边部之间。第一周边部和第二周边部具有层的形状，满足规定的不等式（I）。工序（b）以满足规定的不等式（II）的方式，经由聚光透镜照射光，使n侧电极和p侧电极之间产生电位差。
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公开(公告)号：CN101331648A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200780000657.6
申请日：2007-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01Q9/0407 , H01Q3/44 , H01Q9/0442 , H01Q21/24
Abstract: 本发明涉及一种偏振波切换－指向性可变天线。该天线在电介质基板(11)的表面具有发射导体板(12)，在背面具有接地导体板(14)。在背面的接地导体板(14)内至少设置有一个指向性切换元件和至少两个偏振波切换元件。指向性切换元件具有对接地导体板(14)进行环状除去而形成的第一缝隙、和至少两个指向性切换开关(22a～22d)。偏振波切换元件具有对接地导体板(14)进行环状除去而形成的第一缝隙、和至少一个偏振波切换开关(23a～23d)。通过指向性切换开关(22a～22d)的控制能够实现天线的发射指向性的最大增益方向的切换，通过偏振波开关(23a～23d)的控制能够实现天线发射的圆偏振波的旋转方向的切换。
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公开(公告)号：CN102742024B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201180007851.3
申请日：2011-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0735 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/035281 , H01L31/0735 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳能电池的制造方法包含：在石墨基板上（101）的表面依次形成无定形碳层（102）、AlN层（103）和n型氮化物半导体层（105）的工序；在n型氮化物半导体层上形成具有多个开口部的掩模层（106）的工序；在从多个开口部露出的n型氮化物半导体层的部分上形成多个第二n型氮化物半导体层（107）的工序；在多个第二n型氮化物半导体层上形成由氮化物半导体构成的多个光吸收层（109）的工序；在多个光吸收层上形成多个p型氮化物半导体层（109）的工序；和形成p侧电极（111）的工序和形成n侧电极（112）的工序。
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公开(公告)号：CN102792478A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180011721.7
申请日：2011-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F41/302 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁性隧道结元件包括第一强磁性体层、第二强磁性体层、以及在第一强磁性体层与第二强磁性体层之间形成的绝缘体层。绝缘体层由添加有氟的MgO构成。绝缘体层的氟的添加量为0.00487atm%以上0.15080atm%以下。该元件具有MgO绝缘体层，并且与现有的具有MgO绝缘体层的元件相比表现出高的磁阻变化特性。优选氟的添加量为0.00487atm%以上0.05256atm%以下。
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