公开(公告)号：CN103534824A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201380001356.0

申请日：2013-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨田贵裕 ,  铃木信靖 ,  折田贤儿 ,  长尾宣明

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/08 ,  G03B21/14 ,  H01S5/022

CPC classification number: F21K9/56 ,  C09K11/08 ,  F21K9/64 ,  G03B21/14 ,  G03B21/204 ,  G03B33/06 ,  G03B33/12 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/3025 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02296 ,  H05B33/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种波长变换元件，具有多个荧光体粒子和含有由位于所述多个荧光体粒子之间的氧化锌构成的基体的荧光体层，氧化锌是c轴取向的柱状结晶或单晶。

公开(公告)号：CN102326266B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080008170.4

申请日：2010-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  伊藤彰宏

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后，在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成n型GaN包覆层，在n型GaN包覆层上形成由InxGa1-xN和GaN构成的多重量子阱层，在多重量子阱层上形成p型GaN包覆层，在p型GaN包覆层上形成p型GaN接触层，相对于AlN层在其上形成的低温生长缓冲层、n型GaN包覆层、多重量子阱层、p型GaN包覆层具有外延生长的结构。

公开(公告)号：CN102326262B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201080008716.6

申请日：2010-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  伊藤彰宏

IPC: H01L31/042 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后，在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成n型GaN层，在n型GaN层上形成由InxGa1-xN构成的光吸收层，在光吸收层上形成p型GaN层，在p型GaN层上形成p型GaN接触层。

公开(公告)号：CN102473808B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201180002705.1

申请日：2011-04-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中浩之 ,  长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  藤井映志

IPC: H01L33/42 ,  H01L21/28 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，发光二极管还具有在单晶n型ZnO透明电极膜上形成的多个单晶ZnO棒，各单晶ZnO棒的下部，具有从单晶ZnO透明电极膜向n型氮化物半导体层去变尖的倒锥形。

公开(公告)号：CN102742024B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201180007851.3

申请日：2011-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  松下明生

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的太阳能电池的制造方法包含：在石墨基板上（101）的表面依次形成无定形碳层（102）、AlN层（103）和n型氮化物半导体层（105）的工序；在n型氮化物半导体层上形成具有多个开口部的掩模层（106）的工序；在从多个开口部露出的n型氮化物半导体层的部分上形成多个第二n型氮化物半导体层（107）的工序；在多个第二n型氮化物半导体层上形成由氮化物半导体构成的多个光吸收层（109）的工序；在多个光吸收层上形成多个p型氮化物半导体层（109）的工序；和形成p侧电极（111）的工序和形成n侧电极（112）的工序。

公开(公告)号：CN102473809A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002711.7

申请日：2011-04-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中浩之 ,  长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  藤井映志

IPC: H01L33/42 ,  H01L21/28 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，单晶n型ITO透明电极膜与单晶n型ZnO透明电极膜接触，p侧电极与单晶n型ZnO透明电极膜电连接，单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga，单晶n型ITO透明电极膜具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比，单晶n型ITO透明电极膜具有1.1nm以上55nm以下的厚度。

公开(公告)号：CN102326266A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008170.4

申请日：2010-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  伊藤彰宏

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后，在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成n型GaN包覆层，在n型GaN包覆层上形成由InxGa1-xN和GaN构成的多重量子阱层，在多重量子阱层上形成p型GaN包覆层，在p型GaN包覆层上形成p型GaN接触层，相对于AlN层在其上形成的低温生长缓冲层、n型GaN包覆层、多重量子阱层、p型GaN包覆层具有外延生长的结构。

公开(公告)号：CN101542674A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000594.9

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅野洋 ,  滨田贵裕 ,  白石诚吾

IPC: H01J11/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/40

Abstract: 本发明提供能够通过改良保护层的放电特性，抑制放电延迟的发生，即使是高精细单元结构也能够得到优异的图像显示性能的PDP及其制造方法。具体地说，在表面层(8)的表面部分，形成在表面和表面附近的区域将包含卤素原子的氧化镁微粒(16a)平面分散配置的氧化镁微粒层(16)。具体地说，调整为卤素原子包含于氧化镁微粒(16a)的表面以及表面附近(特别是从粒子表面向粒子内部至少4nm以下的区域)。

公开(公告)号：CN102473809B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180002711.7

申请日：2011-04-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中浩之 ,  长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  藤井映志

IPC: H01L33/42 ,  H01L21/28 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，单晶n型ITO透明电极膜与单晶n型ZnO透明电极膜接触，p侧电极与单晶n型ZnO透明电极膜电连接，单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga，单晶n型ITO透明电极膜具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比，单晶n型ITO透明电极膜具有1.1nm以上55nm以下的厚度。

公开(公告)号：CN102301042B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201080006097.7

申请日：2010-11-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨田贵裕 ,  伊藤彰宏 ,  长尾宣明

IPC: C30B29/16 ,  C30B7/12 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02554 ,  C30B7/12 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02628

Abstract: 在廉价的石墨基板上设置无定形碳层，采用电解沉积法在上述无定形碳层上使c轴取向的氧化锌的单晶生长。ZnO和GaN为相同的纤锌矿型的晶体结构，晶格失配非常小，因此，形成有单晶ZnO的石墨基板不仅能够作为用于形成ZnO半导体层的同质外延生长用的基板使用，还能够作为使用了GaN半导体层的异质外延生长用的基板使用。