公开(公告)号：CN103718312A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037565.6

申请日：2012-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高野隆好 ,  美浓卓哉 ,  野口宪路 ,  椿健治 ,  平山秀树

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 在一种用于氮化物半导体发光元件的制造方法中，所述氮化物半导体发光元件包含：单晶衬底1；和AlN层2；和第一导电类型的第一氮化物半导体层3；和由AlGaN基材料构成的发光层4；和第二导电类型的第二氮化物半导体层6，形成所述AlN层2的步骤包含：第一步骤，将Al源气体和N源气体供应至所述反应器中，以生成将为所述单晶衬底1的所述表面101上的所述AlN层2的部分的具有Al极性的一组AlN晶核2a；和第二步骤，在所述第一步骤之后将所述Al源气体和所述N源气体供应至所述反应器中，以形成所述AlN层2。