公开(公告)号：CN102656711B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201080039427.2

申请日：2010-09-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高野隆好 ,  椿健治 ,  平山秀树 ,  藤川纱千惠

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构及其制造方法，以及作为缓冲层具备由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构的氮化物半导体发光元件。本发明的氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石基板形成的单晶基板(1)的一个表面侧具有缓冲层(2)、n型氮化物半导体层(3)、发光层(4)和p型氮化物半导体层(5)的层叠结构。构成缓冲层(2)的氮化物半导体多层结构的特征在于，具备：形成于单晶基板(1)的上述一个表面上且由AlN形成的多个岛状的核(2a)，和以填埋相邻的核(2a)间的间隙且覆盖全部的核(2a)的方式形成于单晶基板(1)的上述一个表面侧的由AlN层形成的第1氮化物半导体层(2b)，和形成于第1氮化物半导体层(2b)上的由AlN层形成的第2氮化物半导体层(2c)，并且，核(2a)的密度不超过6×109个cm-2。

公开(公告)号：CN101981711B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980110753.5

申请日：2009-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 高野隆好 ,  椿健治 ,  平山秀树 ,  藤川纱千惠

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种具有改善的内部量子效率的发光层和具有高的光输出的氮化物半导体发光器件。所述氮化物半导体发光器件包括用于外延生长的单晶衬底(1)、形成在单晶衬底(1)的上表面侧上的第一缓冲层(2)、形成在第一缓冲层(2)的上表面侧上的n-型氮化物半导体层(3)、通过第二缓冲层(4)形成在n-型氮化物半导体层(3)的上表面侧上的第三缓冲层(5)、形成在第三缓冲层(5)的上表面侧上的发光层(6)和形成在发光层(6)的上表面侧上的p-型氮化物半导体层(7)。第三缓冲层(5)用于减少发光层(6)中的线位错和剩余畸变，改善发光层(6)的基层的平坦度，以及进一步地通过利用第三缓冲层(5)中产生的载流子来改变发光层(6)中的压电场，并且在第三缓冲层(5)中添加Si充当施主的杂质。

公开(公告)号：CN101528991B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780038953.5

申请日：2007-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 罗伯特·大卫·阿米蒂奇 ,  近藤行广 ,  平山秀树

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B25/18 ,  C30B28/12 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/02661 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供通过气相法使晶体m面生长的廉价的蓝宝石衬底，使用该蓝宝石衬底的氮化物半导体发光元件及该氮化物半导体发光元件的制造方法。蓝宝石衬底(1)，作为晶体(2)的生长面(3)，具有相对于m面(4)倾斜预先设定的微小角度的斜切面。使用廉价的蓝宝石衬底(1)，通过气相法，使GaN晶体从作为a面的各台阶(5)的面起在平台(6)上沿c轴生长，外延生长的良好的GaN单结晶继续生长，使m面为平台(6)的表面的相反侧，同时各台阶(5)一体化(融合)，获得m面GaN晶体，进而能够利用穿透位错(threading dislocation)少的GaN单结晶衬底制造器件。而且，通过使用m面能够消除压电电场的影响。

公开(公告)号：CN102656711A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080039427.2

申请日：2010-09-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高野隆好 ,  椿健治 ,  平山秀树 ,  藤川纱千惠

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构及其制造方法，以及作为缓冲层具备由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构的氮化物半导体发光元件。本发明的氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石基板形成的单晶基板(1)的一个表面侧具有缓冲层(2)、n型氮化物半导体层(3)、发光层(4)和p型氮化物半导体层(5)的层叠结构。构成缓冲层(2)的氮化物半导体多层结构的特征在于，具备：形成于单晶基板(1)的上述一个表面上且由AlN形成的多个岛状的核(2a)，和以填埋相邻的核(2a)间的间隙且覆盖全部的核(2a)的方式形成于单晶基板(1)的上述一个表面侧的由AlN层形成的第1氮化物半导体层(2b)，和形成于第1氮化物半导体层(2b)上的由AlN层形成的第2氮化物半导体层(2c)，并且，核(2a)的密度不超过6×109个cm-2。

公开(公告)号：CN103718312A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037565.6

申请日：2012-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高野隆好 ,  美浓卓哉 ,  野口宪路 ,  椿健治 ,  平山秀树

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 在一种用于氮化物半导体发光元件的制造方法中，所述氮化物半导体发光元件包含：单晶衬底1；和AlN层2；和第一导电类型的第一氮化物半导体层3；和由AlGaN基材料构成的发光层4；和第二导电类型的第二氮化物半导体层6，形成所述AlN层2的步骤包含：第一步骤，将Al源气体和N源气体供应至所述反应器中，以生成将为所述单晶衬底1的所述表面101上的所述AlN层2的部分的具有Al极性的一组AlN晶核2a；和第二步骤，在所述第一步骤之后将所述Al源气体和所述N源气体供应至所述反应器中，以形成所述AlN层2。