公开(公告)号：CN103718312A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037565.6

申请日：2012-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高野隆好 ,  美浓卓哉 ,  野口宪路 ,  椿健治 ,  平山秀树

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 在一种用于氮化物半导体发光元件的制造方法中，所述氮化物半导体发光元件包含：单晶衬底1；和AlN层2；和第一导电类型的第一氮化物半导体层3；和由AlGaN基材料构成的发光层4；和第二导电类型的第二氮化物半导体层6，形成所述AlN层2的步骤包含：第一步骤，将Al源气体和N源气体供应至所述反应器中，以生成将为所述单晶衬底1的所述表面101上的所述AlN层2的部分的具有Al极性的一组AlN晶核2a；和第二步骤，在所述第一步骤之后将所述Al源气体和所述N源气体供应至所述反应器中，以形成所述AlN层2。

公开(公告)号：CN102947955A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180029764.8

申请日：2011-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野口宪路 ,  椿健治 ,  高野隆好

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提供一种紫外半导体发光元件，其在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层，而且具有与n型氮化物半导体层接触的n电极和与p型氮化物半导体层接触的p电极，p型氮化物半导体层具备带隙比发光层小、与p电极的接触为欧姆接触的p型接触层。在p型氮化物半导体层中的与发光层相反侧的表面上，避开p电极的形成区域地形成有凹部，在凹部的内底面形成有反射从发光层放射的紫外光的反射膜。