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公开(公告)号：CN103493224A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019898.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L24/05 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 氮化物半导体发光芯片(100)包括具有氮化物半导体层的导电性基板(104)、依次形成在氮化物半导体层的主面上的n型氮化物半导体层(105)、活性层(106)及p型氮化物半导体层(107)、以及设置成与导电性基板接触的n侧电极(109)。导电性基板具有形成在与主面相反一侧的背面且彼此被隔离开的位置上的多个凹部(104a)。n侧电极与凹部(104a)的至少一部分表面接触。当设导电性基板的厚度为T、设凹部的深度为D1时，深度D1在厚度T的25％以上。
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公开(公告)号：CN103222078A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201280003779.1
申请日：2012-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , H01L25/0753 , H01L33/10 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 包含以非极性面为生长面的氮化物半导体有源层（106）的半导体发光芯片（100），在安装基板（101）的表面上、与被来自氮化物半导体有源层的光照射的区域的有源层平行且与来自该有源层的光的偏振方向垂直的结晶轴方向的芯片侧方的区域作为高偏振特性区域，被来自有源层的光照射的区域的高偏振特性区域以外的区域作为低偏振特性区域时，金属配置在高偏振特性区域的至少一部分的区域，低偏振特性区域的至少一部分的镜面反射的比例比金属的镜面反射的比例低，高偏振特性区域的镜面反射的比例比低偏振特性区域的镜面反射的比例高。
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公开(公告)号：CN103155182A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003354.0
申请日：2012-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种氮化镓类半导体发光元件，在进行对具有除c面外的结晶面的氮化物半导体发光元件的光提取面（50）的表面的润湿性进行控制的表面改性之后，在粒子层对表面进行覆盖。其后，通过进行蚀刻，将粗糙度曲线要素的平均长度（RSm）为150nm以上且800nm以下的凹凸构造（60）形成在光提取面（50）。
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公开(公告)号：CN103081136A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201280002640.5
申请日：2012-05-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/16 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的氮化物类半导体发光元件包括：半导体层叠结构，包括主面为半极性面或者非极性面的由氮化物半导体形成的活性层（306），具有形成有凹部和凸部中至少一个的凹凸面（310）；和双折射性基板（304），其覆盖半导体层叠结构的凹凸面（310）一侧，将从活性层（306）发射的光中的至少一部分反射的电极（308）和半导体层叠结构的凹凸面（310）配置于相反侧，该双折射性基板（304）使从活性层（306）发射的光和被电极（308）反射的光透过。
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公开(公告)号：CN102067348B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201080001925.8
申请日：2010-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01088 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光装置具备：具有布线(265)的安装基板(260)以及倒装片式安装在安装基板(260)上的氮化物系半导体发光元件。氮化物系半导体发光元件(100)具备：将m面(12)作为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠结构(20)以及在半导体层叠结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)含有Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠结构(20)中的p型半导体区域的表面接触。电极(30)与布线(265)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102576786A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080036400.8
申请日：2010-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/18
Abstract: 一种氮化镓系化合物半导体发光元件，在六方晶纤锌矿结构的(10-10)m面生长p-GaN层，将作为p型掺杂物的Mg浓度在1.0×1018cm-3到9.0×1018cm-3的范围内进行调整。
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公开(公告)号：CN102067348A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201080001925.8
申请日：2010-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01088 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光装置具备：具有布线(265)的安装基板(260)以及倒装片式安装在安装基板(260)上的氮化物系半导体发光元件。氮化物系半导体发光元件(100)具备：将m面(12)作为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠结构(20)以及在半导体层叠结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)含有Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠结构(20)中的p型半导体区域的表面接触。电极(30)与布线(265)连接。
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公开(公告)号：CN102318039B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980156895.5
申请日：2009-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L33/007
Abstract: 本发明是一种通过有机金属化学气相沉积法而使发光峰值波长为500nm以上的m面InGaN层生长的氮化镓系化合物半导体的制造方法。首先，进行将反应室内的基板加热的工序(A)。其次，进行将含有In气源、Ga气源和N气源的气体供给到所述反应室内，以700℃～775℃的生长温度，使由InxGa1-xN结晶构成的m面InGaN层在所述基板上生长的工序(B)。在所述工序(B)中，将所述m面InGaN层的生长速度设定在4.5nm/分～10nm/分的范围内。
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公开(公告)号：CN103503182A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201380001192.1
申请日：2013-01-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/58
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体发光装置，其具备：具有射出偏振光且以非极性面或半极性面为生长面的有源层的氮化物半导体发光芯片；和使来自所述有源层的光透过的透光性罩，所述透光性罩具有：在所述氮化物半导体发光芯片的侧面的区域之中、配置在与所述偏振光的偏振方向垂直的方向的第一透光性部件；和配置在所述氮化物半导体发光芯片的上方的区域的第二透光性部件，所述第一透光性部件中的光的扩散透过率比所述第二透光性部件中的光的扩散透过率高。
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公开(公告)号：CN103430334A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201380000898.6
申请日：2013-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/205 , H01L33/32 , H01L33/50
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/025 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01L2224/14
Abstract: 本申请所公开的氮化物半导体发光元件，具备如下：n侧电极；p侧电极；与n侧电极电连接的n型氮化物半导体层；具有非极性面或半极性面的主面的p型氮化物半导体层；和位于n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层。p型氮化物半导体层包含具有30纳米以上、50纳米以下的高度的突起，突起由不仅含有镁、而且也含有硅的p型氮化物半导体形成，p型氮化物半导体具有1.0×1017cm-3以上、6.0×1017cm-3以下的硅浓度，突起从活性层朝向p侧电极突出，氮化物半导体发光元件在俯视下，p侧电极与突起重叠，突起含有位错，且在突起的周围形成有由p型氮化物半导体形成的平坦面，并且突起具有比平坦面高的位错密度。
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