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公开(公告)号：CN100360290C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200510052653.5
申请日：2005-03-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: B27K3/086
Abstract: 本发明的课题是，解决上述现有技术存在的问题，提供利用超临界或亚临界状态的二氧化碳，能够使具有微细的空隙或孔的材料在短时间内有效地含浸药剂的药剂的含浸方法。所提供的药剂的含浸方法，是使材料含浸药剂的方法，其特征在于，形成在超临界或亚临界状态的二氧化碳中混合有药剂的低密度药剂混合相，接着，使上述药剂混合相的密度上升为高密度，以便使材料含浸药剂。
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公开(公告)号：CN100346453C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200380102846.6
申请日：2003-11-04
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/304 , B08B7/00
CPC classification number: H01L21/0206 , H01L21/02101
Abstract: 本发明提供一种用于清洗微结构的方法，它能够有效除去污染物如抗蚀剂残余而不损害半导体晶片所需要的物质如低-k膜。该清洗方法包括流化主要包括高压下的二氧化碳和清洗组分的清洗剂组合物以及使清洗剂组合物与微结构接触以除去粘附在微结构中的物质，其中氟化氢用作清洗组分。
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公开(公告)号：CN1663761A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510052653.5
申请日：2005-03-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: B27K3/086
Abstract: 本发明的课题是，解决上述现有技术存在的问题，提供利用超临界或亚临界状态的二氧化碳，能够使具有微细的空隙或孔的材料在短时间内有效地含浸药剂的药剂的含浸方法。所提供的药剂的含浸方法，是使材料含浸药剂的方法，其特征在于，形成在超临界或亚临界状态的二氧化碳中混合有药剂的低密度药剂混合相，接着，使上述药剂混合相的密度上升为高密度，以便使材料含浸药剂。
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公开(公告)号：CN1497667A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310102886.2
申请日：2003-10-22
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 大日本屏影象制造株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/67017 , B08B7/0021
Abstract: 本发明提供一种高压处理方法及高压处理装置，使用高压流体而对被处理体施予高压处理，其中，将所述高压流体冲撞到配置在高压处理室内的所述被处理体表面上之后，沿其表面流到该被处理体外边。
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公开(公告)号：CN101122606A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710127435.2
申请日：2007-07-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N35/00 , A62D3/34 , A62D3/38 , A62D101/02
Abstract: 本发明提供一种监测方法和反应控制方法，其用于对作为化学武器用药剂的芥子气、刘易士毒气、氯乙酰苯等进行分解而无害化时，能够以高效率的分解、无害化处理的方式迅速地检测分解生成物并把握分解反应的进行程度。在由碱性水溶液分解上述的有机氯化物，或者在碱性水溶液中混合氧化剂而将其分解的分解拔应的过程中通过离子电极法和荧光X射线法等分析手段，对分解反应溶液中的氯离子浓度和氯总浓度进行分析，通过评价由(氯离子浓度/氯总浓度)×100％所表示的分解率S(％)，从而实时地监测并把握分解反应的进行状况，使分解反应受到控制。据此，能够准确地进行分解反应时间和分解反应温度等的反应条件的设定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1494954A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03137815.3
申请日：2003-05-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C11D7/3209 , B08B7/0021 , C11D7/32 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/422 , G03F7/425
Abstract: 本发明提供一种从物体的微结构中清除残余物的方法，其包括下述步骤：制备包括二氧化碳、用于清除残余物的添加剂、在加压流体条件下将添加剂溶解在所说的二氧化碳中的共溶剂的清除剂，使物体和所说的清除剂接触以清除物体中残余物。本发明还提供一种用于从物体的微结构中清除残余物的组合物。
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公开(公告)号：CN1426089A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02118458.5
申请日：2002-04-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/027 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下，使该微细结构体与液态二氧化碳或超临界二氧化碳接触进行干燥的方法。采用本发明的干燥方法，在用液态/超临界二氧化碳处理前，在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下使之与二氧化碳接触，从而能够尽可能地抑制光致抗蚀剂图案的倒塌或膨润。另外，包括使用含水溶剂的洗涤工序的情况下，由于其构成为用排水液置换水，再用碳氟化合物系溶剂置换该排水液，因此能够迅速进行采用液态/超临界二氧化碳的干燥之前的工序，也可以抑制光致抗蚀剂图案的倒塌或膨润。
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公开(公告)号：CN1243366C
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN02800274.1
申请日：2002-02-08
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C11D7/02 , B08B7/0021 , C11D7/04 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , G03F7/422 , G03F7/425 , H01L21/02052 , H01L21/31116 , H01L21/31133 , H01L21/67086
Abstract: 本发明提供了一种从物体微观结构中去除残余物的方法，该方法包括的步骤有：制备去除剂，该去除剂包含二氧化碳、去除残余物的添加剂、和在加压流体状态下将添加剂溶解于该二氧化碳的助溶剂；将物体与去除剂接触以从物体中去除残余物。还提供了一种用来实现此方法的装置。
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公开(公告)号：CN1222019C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN02805921.2
申请日：2002-11-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02063 , B08B7/0021 , H01L21/31133 , Y10S134/902
Abstract: 一种用于在高压处理室中通过使制品与超临界二氧化碳和一种化学流体进行接触，除去附着在被处理制品上积垢材料的方法，它包括实施除去在被处理制品上的积垢材料的步骤，在几乎相同压力条件下的第一次清洗步骤和第二次清洗步骤，同时允许超临界二氧化碳连续流动。
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公开(公告)号：CN1494733A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN02805921.2
申请日：2002-11-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02063 , B08B7/0021 , H01L21/31133 , Y10S134/902
Abstract: 一种用于在高压处理室中通过使制品与超临界二氧化碳和一种化学流体进行接触，除去附着在被处理制品上积垢材料的方法，它包括实施除去在被处理制品上的积垢材料的步骤，在几乎相同压力条件下的第一次清洗步骤和第二次清洗步骤，同时允许超临界二氧化碳连续流动。
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