公开(公告)号：CN107835003B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201710696190.9

申请日：2017-08-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  黑岩洋 ,  户田铁 ,  中原宁

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/687 ,  H02H1/00 ,  H02P29/024 ,  H02P29/028 ,  H02P29/032 ,  H02H7/16

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和功率控制器件，以实现包括驱动器IC即半导体器件的系统中的部件数量减少。向电源施加区施加高电位侧电源电压。高侧区由包括驱动高侧晶体管的驱动器并且以浮置电压作为参考在启动电源电压下操作的电路形成。低侧区由以低电位侧电源电压作为参考在电源电压下操作的电路形成。第一端接区设置成包围所述电源施加区的环形式。第二端接区设置成包围所述高侧区的环形式。

公开(公告)号：CN104282733A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410322611.8

申请日：2014-07-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明涉及半导体器件。场板电极以折叠方式或以螺旋形状在沿着第一电路区域的边缘的方向上重复地设置。耦合晶体管将第一电路耦合到电源电压低于第一电路的第二电路。第二导电类型区域设置在耦合晶体管周围。场板电极的一部分与第二导电类型区域部分地重叠。场板电极在相对在分离区域的宽度方向上的中央而位于第一电路区域侧的部分，被电耦合到耦合晶体管的漏电极。第二电路的地电位或电源电位在相对所述中央而位于第二导电类型区域侧的部分，被施加到场板电极。

公开(公告)号：CN103872052A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310684070.9

申请日：2013-12-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。与二极管分离地设置电势隔离元件。n型低浓度区域被形成在P型层上。第一高浓度N型区域被设置在n型低浓度区域中并且被连接到二极管的阴电极。第二高浓度N型区域被设置在n型低浓度区域中，被布置为与第二导电类型第一高浓度区域隔开，并且被连接到第一电路的电源互连。第一P型区域被形成在n型低浓度区域中，并且其底部被连接到P型层。接地电势被施加到第一P型区域，并且第一P型区域被设置在第一高浓度N型区域的附近。

公开(公告)号：CN103872051A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310683206.4

申请日：2013-12-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/0642 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件，在所述半导体器件中，隔离区域包括元件隔离膜和场板电极。场板电极覆盖元件隔离膜并且当在平面图中查看时围绕第一电路。场板电极的一部分也定位在连接晶体管上。当在平面图中查看时，连接晶体管的源极和漏极通过场板电极彼此相对。此外，场板电极划分成包括定位于连接晶体管上的部分的第一部分和除了第一部分外的第二部分。

公开(公告)号：CN105391440B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201510526881.5

申请日：2015-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中村纯一 ,  梅津和之 ,  栗原智敦 ,  永津贵大 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明涉及半导体装置、功率控制装置和电子系统。为了降低包括诸如驱动器IC的半导体装置的功率控制装置以及电子系统的成本等，所述驱动器IC包括高侧驱动器、电平移位电路、第一和第二晶体管、以及比较器电路。所述第一晶体管形成在终止区中。所述第二晶体管形成在所述终止区中并由第一电源电压驱动。所述比较器电路形成在所述第一区中以在感测节点的电压低于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管导通，而在所述感测节点的电压高于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管关断。所述第二晶体管是耗尽型晶体管。

公开(公告)号：CN106486480A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610741795.0

申请日：2016-08-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/1087 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7838 ,  H03K3/356 ,  H03K17/06 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明涉及半导体器件。实现了半导体器件的性能的提高。该半导体器件包括耦合晶体管，该耦合晶体管由p沟道MOSFET制成且形成在由p型半导体制成的基底上方的n-型半导体区域中。耦合晶体管具有作为p型半导体区域的resurf层，并且将低压电路区域耦合到高压电路区域，比供应给低压电路区域的电源电势高的电源电势供应给高压电路区域。半导体器件具有p型半导体区域，该p型半导体区域在平面图中形成在n-型半导体区域围绕耦合晶体管的部分中。

公开(公告)号：CN105391440A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510526881.5

申请日：2015-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中村纯一 ,  梅津和之 ,  栗原智敦 ,  永津贵大 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明涉及半导体装置、功率控制装置和电子系统。为了降低包括诸如驱动器IC的半导体装置的功率控制装置以及电子系统的成本等，所述驱动器IC包括高侧驱动器、电平移位电路、第一和第二晶体管、以及比较器电路。所述第一晶体管形成在终止区中。所述第二晶体管形成在所述终止区中并由第一电源电压驱动。所述比较器电路形成在所述第一区中以在感测节点的电压低于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管导通，而在所述感测节点的电压高于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管关断。所述第二晶体管是耗尽型晶体管。

公开(公告)号：CN104600046A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410594450.8

申请日：2014-10-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁 ,  新家东 ,  神田良 ,  栗原智敦 ,  户田铁

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H02M1/088 ,  H01L27/0285 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7838 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底、第一电路区域、分隔区域、第二电路区域和整流元件。整流元件具有：第二导电类型层、第一高浓度第二导电类型区域、第二高浓度第二导电类型区域、元件隔离膜、第一绝缘层和第一导电膜。第一接触耦合至第一高浓度第二导电类型区域，而第二接触耦合至第二高浓度第二导电类型区域。第三接触耦合至第一导电膜。第一接触、第二接触和第三接触彼此分隔开。

公开(公告)号：CN103872051B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201310683206.4

申请日：2013-12-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/0642 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件，在所述半导体器件中，隔离区域包括元件隔离膜和场板电极。场板电极覆盖元件隔离膜并且当在平面图中查看时围绕第一电路。场板电极的一部分也定位在连接晶体管上。当在平面图中查看时，连接晶体管的源极和漏极通过场板电极彼此相对。此外，场板电极划分成包括定位于连接晶体管上的部分的第一部分和除了第一部分外的第二部分。

公开(公告)号：CN103872052B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201310684070.9

申请日：2013-12-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。与二极管分离地设置电势隔离元件。n型低浓度区域被形成在P型层上。第一高浓度N型区域被设置在n型低浓度区域中并且被连接到二极管的阴电极。第二高浓度N型区域被设置在n型低浓度区域中，被布置为与第二导电类型第一高浓度区域隔开，并且被连接到第一电路的电源互连。第一P型区域被形成在n型低浓度区域中，并且其底部被连接到P型层。接地电势被施加到第一P型区域，并且第一P型区域被设置在第一高浓度N型区域的附近。