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公开(公告)号：CN119920680A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311424147.9
申请日：2023-10-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种基板背面处理方法和基板支撑装置。方法包括以下步骤：步骤S1：使基板放置在基板支撑装置的支撑面上方的第一位置，当基板在第一位置时，基板的下表面高于基板支撑装置的凸台的上表面；步骤S2：向支撑面上的多个伯努利孔供应具有第一流量的第一气体，使基板从支撑面上方的第一位置下沉到第二位置，当基板在第二位置时，基板的至少局部位于凸台的上表面的下方；步骤S3：使基板支撑装置的多个定位销夹持住基板，以将基板保持在第二位置；步骤S4：将第一气体的流量由第一流量增大到第二流量；步骤S5：在以第二流量供应第一气体时，对基板进行背面处理。本发明能够有效防止基板背面的处理液溢流到基板正面，改善基板正面的侧蚀问题。
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公开(公告)号：CN119909952A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202410502412.9
申请日：2024-04-24
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
IPC: B08B1/12 , B08B1/20 , B08B1/36 , B08B1/40 , B08B13/00 , H01L21/67 , H01L21/02 , G03F7/20 , G03F7/16 , G03F7/26
Abstract: 本申请公开了一种基板清洗装置、清洗方法及涂胶显影设备，该基板清洗装置包括卡盘主体；若干夹持件，呈圆形排布于卡盘主体表面，用于夹持基板，并带动基板自转；背面清洗机构，用于在基板自转期间，对基板靠近卡盘主体的一面进行清洗；卡盘驱动机构，与卡盘主体连接，用于驱动卡盘主体旋转以甩干完成清洗的基板。实现了提升基板背面清洗效果的技术效果及清洗效率。
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公开(公告)号：CN119905450A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311414365.4
申请日：2023-10-27
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种基板保持装置及基板卡盘。该基板保持装置包括：基座，装配于基板卡盘的边缘；支撑部，固定于基座，用于通过设置在其顶部的球面点接触并支撑基板；导向柱，固定于基座，用于将基板引导并限位于预设位置；夹持件，其活动连接于基座，用于在基板被引导并限位于预设位置后，从基板的侧面夹持并固定基板。本发明通过提供一种基板保持装置及基板卡盘，该基板保持装置用于支撑基板的支撑面为球面，且与基板底面点接触，以减小基板保持装置的药液残留，从而防止基板背面的污染风险，提高基板刻蚀或清洗的成品率。
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公开(公告)号：CN119650503A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311196720.5
申请日：2023-09-15
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , C25F5/00 , C25F7/00
Abstract: 本发明公开了一种基板夹具及基板处理设备，该基板夹具包括：若干支撑构件，设置于所述固定环，沿所述开口周向依次排布，所述支撑构件包括导电连接的连接部和触头，所述连接部表面设有绝缘层，所述触头用以与所述基板电接触；其中，所述触头通过所述连接部以预定距离与所述固定环相连，以使得在所述基板处理期间，所述固定环位于所述处理液的液位之上，所述触头及其所承载的基板位于所述液位之下。本发明实现了减少基板处理期间基板夹具与处理液之间的电接触的效果。
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公开(公告)号：CN119506846A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311073184.X
申请日：2023-08-23
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
IPC: C23C16/50 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。硅片托举环可装设于薄膜沉积腔室内，薄膜沉积腔室内设有用于承载硅片进行薄膜沉积的加热台，硅片托举环具有可伸缩内径；在薄膜沉积期间，硅片托举环被配置为：可伸缩内径扩张至大于硅片直径和加热台直径的第一内径，并不接触硅片和加热台；在托举硅片期间，硅片托举环被配置为：第一内径收缩至小于硅片直径的第二内径，并被移动至硅片的底部，以托举硅片。本发明通过硅片托举环使硅片在腔体内进行多次旋转、多次沉积，实现了硅片薄膜沉积厚度均匀、生产效率高的效果。
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公开(公告)号：CN119245844A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202310807954.2
申请日：2023-07-03
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种温度传感器，包括：测温元件，用于测量化学液温度；保护套管，套设于所述测温元件的外部，用于保护测温元件不与化学液接触；吹扫模块，用于向保护套管的内部提供吹扫气体；其中，所述吹扫模块包括进气通道和排气口，所述进气通道的进气端与外部供气装置相连，所述进气通道的出气端位于保护套管的下端并向保护套管的内部吹气，所述排气口位于保护套管的侧壁。本发明通过设置吹扫模块的方式保证了保护套管内的干燥，防止温度传感器被腐蚀渗透，导致失效，从而保证了工艺的稳定性；通过设置吹扫模块包括进气通道的方式，实现吹扫气体与化学液的换热，保证了温度传感器测量的准确性。
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公开(公告)号：CN119069383A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310651025.7
申请日：2023-06-02
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种工艺槽测温装置及基板处理设备，该工艺槽测温装置用于检测工艺槽内的化学液温度，工艺槽上端具有工艺槽开口。该工艺槽测温装置包括：防护管，包括依次连接且相互导通的测温部和延伸部，测温部远离延伸部的一端密封形成防护管底部，延伸部远离测温部的一端开口形成防护管入口，且测温部和延伸部轴向具有预设夹角；测温探头，装设于测温部的内部，且位于防护管底部。其中，防护管底部配置为浸没在工艺槽的化学液中，以使测温探头检测工艺槽的化学液温度，且防护管入口配置到工艺槽开口正上方之外，进而实现了该工艺槽测温装置结构简单、耐腐蚀性强的效果。
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公开(公告)号：CN119049996A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202310619518.2
申请日：2023-05-29
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造领域，具体为一种液体处理装置，包括液体喷洒单元、两个侧盖板和两个加工板，两个加工板对称设置在液体喷洒单元的侧面，侧盖板设置在加工板远离液体喷洒单元的一侧；加工板的顶部开设有进液口，液体喷洒单元的底部开设有出液口；加工板和侧盖板相对的一侧表面上开设有第一凹槽，侧盖板盖在第一凹槽上形成第一腔室，加工板开设有与第一腔室下侧连通的多个第一排液孔；液体喷洒单元和加工板相对的一侧开设有槽状结构，加工板盖在槽状结构上形成第二腔室，第二腔室与第一排液孔连通，液体喷洒单元设有与第二腔室顶部连通的第二排液孔，第二排液孔与出液口连通。单侧U型流动路径，使得出液口流出的各处液体流速更均匀。
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公开(公告)号：CN118866743A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310477291.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , F16B5/02 , F16L59/12
Abstract: 本发明提供了一种用于热板的固定装置，包括基座和隔热密封件，所述基座包括基座壁和由所述基座壁围设而成的空腔，所述基座壁具有固定槽，所述隔热密封件设置在所述固定槽中，所述热板具有位于其边缘的固定区域，所述固定区域与所述隔热密封件紧密接触，从而使所述热板与所述基座紧固连接，并且使热板的其余区域位于所述空腔中。采用本申请的固定装置从整体上提高了热板加热的均一性。
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公开(公告)号：CN118824893A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310424800.5
申请日：2023-04-19
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明揭示了一种基板刻蚀方法及装置。基板刻蚀方法包括将基板浸入容纳有刻蚀溶液的处理槽中，通过刻蚀溶液对基板进行湿法刻蚀，基板表面形成有深结构；基于脉冲信号向刻蚀溶液中提供气体，用以在刻蚀溶液中产生气泡，脉冲信号的一个脉冲时间包括供气时段和间歇时段，间歇时段取决于供气时段结束后深结构中关键组分达到扩散平衡所需的扩散时间。
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