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公开(公告)号：CN102403650A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110369269.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/062
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN101232067B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200710186807.9
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN102420387B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110358564.9
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN101640374B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910160685.5
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN101471246B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810170558.9
申请日：2002-04-05
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , Y10S438/94 , Y10S438/977
Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体衬底的制造方法，其借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶村底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100438109C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610099847.5
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN102403650B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110369269.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/062
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN102420387A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110358564.9
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN101232067A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710186807.9
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1874022A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610099847.5
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
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