公开(公告)号：CN101276867A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810037353.3

申请日：2008-05-13

Applicant: 上海大学 ,  上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 张建华 ,  殷录桥 ,  马可军 ,  李抒智 ,  李春亚

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片及其制作工艺，包括：n型金pad、氧化锌透明电极、填充体、基板、粘结层、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触、辅助电流扩展电极结构，其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触是在MOCVD中依次生长完毕，总称发光有源层；其中发光有源层通过粘结层粘结在基板上，填充体填充在发光有源层被刻蚀掉的一对对角线位置的孔里，氧化锌透明电极通过薄膜生长工艺生长在n型电极接触的表面，n型金pad以及辅助电流扩展电极通过蒸镀工艺制作在氧化锌透明电极上表面。氧化锌透明电极提高了透明度、延伸电极减少了对光的遮挡，从而提高了出光效率。

公开(公告)号：CN119230604A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411336877.8

申请日：2024-09-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  陆文庆 ,  殷录桥 ,  张建华

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/45

Abstract: 本申请公开了一种双栅增强型氮化镓射频功率晶体管，涉及晶体管领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层的上表面设有p‑GaN帽层；p‑GaN帽层的上表面设有直流栅极；AlGaN势垒层的上表面的分别两端设有源极和漏极；AlGaN势垒层的上表面且位于源极和p‑GaN帽层之间设有射频栅极。本发明设计的晶体管结构中涉及射频栅极和直流栅极的双栅组合，可以使得晶体管器件同时获得高的截止频率、正的阈值电压、大的击穿电压和低的开关比等多个优良的电学特性。

公开(公告)号：CN119208353A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411526805.X

申请日：2022-09-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  稽啸啸

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/16

Abstract: 本申请提供一种高分辨率Micro LED显示基板的制备方法及显示基板，属于显示技术领域，制备方法包括：在CMOS驱动基板上形成阻挡层；阻挡层上形成键合金属层；将键合金属层上多余的金属去除；将整圆Micro LED芯片与键合金属层键合；剥离整圆Micro LED芯片的衬底；制备单个Micro LED像素；在单个Micro LED像素间形成绝缘层；制备共阴电极与键合金属层互连。显示基板包括：CMOS驱动基板、阻挡层、键合金属层、整圆Micro LED芯片、绝缘层和共阴电极层。本申请能够实现高分辨率显示，同时可以降低键合对位时的精度要求，并且不影响键合强度和键合稳定性。

公开(公告)号：CN119181749A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411299976.3

申请日：2024-09-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  王昕怡

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L27/15 ,  B41M5/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明公开一种基于电流体打印的Micro‑LED全彩显示器制备方法，涉及显示器制备技术领域。所述制备方法包括：在玻璃表面刻蚀圆柱形凹槽，并利用电流体打印技术，在该玻璃表面打印BM方格线条，制备挡光矩阵层，其中凹槽作为线条交叉点将被黑色光刻胶填充，再在方格内打印量子点，制备全彩量子点膜层；在氮气氛围下通过照射全彩量子点膜层的样片进行固化；利用等离子体增强化学气相沉积在样片表面制备SiN封装层；在LED外延片表面旋涂一层UV树脂胶后，使用键合机进行像素位置对准，之后照射样片进行固化。本发明能够利用电流体打印技术在Micro‑LED显示器上精确沉积量子点材料，从而实现高效的颜色转换和全彩显示。

公开(公告)号：CN118504515A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410633717.3

申请日：2024-05-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈亮 ,  张建华 ,  殷录桥 ,  朱文兴 ,  盛万成 ,  王奥

IPC: G06F30/398 ,  G06F17/12 ,  G06F17/13 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供基于傅里叶级数区域分解的芯片热分析方法及系统，方法包括：获得芯片区域分布数据集，功耗分布数据集以及验证数据集；计算芯片各区域温度；将所述解un(y)带入预置表达式中进行循环操作，以完成函数值遍历、累加操作，得到温度分布结果T(x,y)；将所述温度分布结果T(x,y)与有限元仿真结果进行比较，判断所述温度分布结果T(x,y)的精确度，对数值积分方法和分段解析方法进行对比，获取算法运行精度速度判定结果。本发明解决了热分析速率及精度较低，以及温度求解效率较低的技术问题。

公开(公告)号：CN118350343A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410633674.9

申请日：2024-05-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈亮 ,  张建华 ,  殷录桥 ,  朱文兴 ,  盛万成 ,  王奥

IPC: G06F30/398 ,  G06F17/13 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供基于傅里叶级数展开的芯片热分析方法及系统，方法包括：获得芯片区域分布数据集，功耗分布数据集以及验证数据集；计算芯片各区域温度；利用预置实现工具，根据功耗与温度泛定方程、边界条件、功耗分布与模块坐标关系函数f(x,y)，推得理论计算公式；将理论计算公式与有限元仿真结果进行比较，判断理论计算公式的计算精确度，对数值积分方法和解析方法进行对比，获取算法运行精度速度判定结果。本发明解决了芯片热分析速率及精度较低、温度求解速度较慢的技术问题。

公开(公告)号：CN117637817A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311696494.7

申请日：2023-12-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  宋世平 ,  任开琳 ,  殷录桥 ,  陆文庆

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/085 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种单片集成半桥电路结构及其制备方法，涉及单片集成半桥电路技术领域。方法包括：钝化层和设置有沟槽的基体；钝化层设置于基体的上表面；且沟槽内填充有钝化层；基体包括自下而上依次设置的衬底电极、第一P+衬底层、N‑衬底层、第二P+衬底层、缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；第一P+衬底层和N‑衬底层形成第一PN结；N‑衬底层和第二P+衬底层形成第二PN结；沟槽贯穿于AlGaN势垒层、GaN沟道层、缓冲层和第二P+衬底层，且沟槽的底部位于N‑衬底层的内部。本发明通过设置第一P+衬底层、N‑衬底层、第二P+衬底层和沟槽形成双PN结衬底能够降低对衬底电位的依赖性，完成高边管和低边管的隔离。

公开(公告)号：CN115295575A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202211072015.X

申请日：2022-09-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  稽啸啸

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种高分辨率Micro LED显示基板及其制备方法，包括：CMOS驱动基板、阻挡层、键合金属层、整圆Micro LED芯片、绝缘层和共阴电极层。制备过程包括在CMOS驱动基板上形成阻挡层；阻挡层上形成键合金属层；将键合金属层上多余的金属去除；将整圆Micro LED芯片与键合金属层键合；剥离整圆Micro LED芯片的衬底；制备单个Micro LED像素；在单个Micro LED像素间形成绝缘层；制备共阴电极与键合金属层互连。本申请能够实现高分辨率显示，同时可以降低键合对位时的精度要求，并且不影响键合强度和键合稳定性。

公开(公告)号：CN110527964B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201910827903.X

申请日：2019-09-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  王毅斌 ,  张豆豆 ,  汪飞

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域，提供了一种类金刚石复合薄膜，自下而上依次包括金属基层、金属碳化物梯度过渡层和氮银共掺杂类金刚石薄膜层。本发明通过设置金属碳化物梯度过渡层，改善了类金刚石薄膜与金属接触角过大的问题；本发明在类金刚石薄膜中掺杂氮和银，在提高类金刚石薄膜的热稳定性的同时，又可以降低其内应力，提高类金刚石复合薄膜的散热性能。本发明提供类金刚石复合薄膜的制备方法，该方法步骤简单，得到的复合薄膜质量高。本发明还提供了一种IGBT模块散热基板和一种IGBT模块，本发明在传统的IGBT模块的铜基板表面制备类金刚石复合薄膜，可以明显提升散热铜板的导热性能，进而提高整个IGBT模块的传热能力。

公开(公告)号：CN109764264B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910032704.X

申请日：2019-01-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  王毅斌 ,  张建华 ,  李春亚

IPC: F21K9/90 ,  F21V29/85 ,  F21Y115/10 ,  B32B33/00 ,  C23C16/27 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明公开一种深海照明LED光源装置及制备方法。装置包括由下往上依次排列的热沉材料层、金属基层、梯度过渡层、硅铜共掺杂的类金刚石薄膜层、电路层、绝缘层和灯珠，所述绝缘层采用类金刚石薄膜，所述灯珠位于所述绝缘层上。本发明的硅铜共掺杂的类金刚石薄膜层在提高类金刚石薄膜的热稳定性的同时，又降低了类金刚石薄膜的内应力，使得这种类金刚石薄膜在散热方面有良好的表现。本发明中的金属基层和梯度过渡层能够改善类金刚石薄膜与金属接触角过大的问题。本发明利用类金刚石薄膜将LED面板和热沉材料键合在一起，提高了深海LED光源模块的整体散热能力。