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公开(公告)号：CN106297876B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610648336.8
申请日：2016-08-09
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器阵列的操作方法，包括逻辑子单元，所述逻辑子单元包括至少两个输入单元、一个输出单元和至少一个基准单元，所述输入单元包括第一输入阻变单元和第二输入阻变单元，所述输出单元包括第一输出阻变单元，通过适当地将各单元与字线、位线连接，向输入、输出阻变单元和基准单元施加特定的电压脉冲，以简易的方式实现了逻辑运算操作及其重构，实现了存储计算的一体化，不仅减少了所需忆阻器的数量，还提高了逻辑运算的执行效率。
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公开(公告)号：CN106847335B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201611235411.4
申请日：2016-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种并行的、存储计算一体化的卷积计算的硬件实现以及操作方式。该硬件实现主要基于阻变存储器二维交叉阵列，包括：阻变存储阵列、位线控制单元、字线控制单元、存储模块、输入模块和输出模块，存储模块产生输入矩阵信号，输入模块产生卷积核信号，位线控制单元用于选通存储模块或输入模块，字线控制单元用于选通输出模块或地线，以将输入矩阵存储至阻变存储阵列，以及将卷积核矩阵输入所述阻变存储阵列，输出模块输出卷积运算结果，以此方式实现卷积的存储计算一体化及并行计算。
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公开(公告)号：CN102969328B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210521448.9
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器交叉阵列结构及其制备方法。该结构包括：衬底，衬底上的衬底隔离层，衬底隔离层上方间隔排列的由金属层和隔离层重复叠加组成的条形结构，垂直于衬底隔离层和条形结构的间隔排列的金属柱，所述金属柱与衬底隔离层和条形结构之间存在阻变层。采用本发明的方法及其结构显著提高了集成密度；避免二极管在尺寸缩小后出现的提供电路能力不足的问题；实现多层的交叉阵列结构，显著降低了制造成本，非常适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN104898990A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510305628.7
申请日：2015-06-05
Applicant: 北京大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种运算存储阵列及其操作方法。运算存储阵列可以包括：沿第一方向延伸的多条字线；沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多条位线；分别设置于各位线和各字线的交叉点处且与相应位线和相应字线连接的多个阻变单元，每一阻变单元在高阻态和低阻态之间可切换并因此存储相应的数据；连接到每一条字线的基准单元，基准单元的一端连接到字线，而另一端连接到基准电压，其中基准单元的阻值在阻变单元的高阻态阻值和低阻态阻值之间；以及控制器，用于通过向位线施加电压脉冲序列，对连接到同一条字线的阻变单元中存储的数据进行逻辑运算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104766892A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510158994.4
申请日：2015-04-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/227 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/1033 , H01L29/227 , H01L29/66772 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钙的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的半导体薄膜晶粒尺寸低于20nm，且分布均匀，属于纳米晶氧化物半导体。这种工艺方法具有步骤简单，制造成本低廉，均匀性好，用于低温工艺，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件的迁移率、开关比、阈值电压、亚阈摆幅等方面的性能，适用于透明显示和柔性显示技术。
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公开(公告)号：CN104241521A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310241828.1
申请日：2013-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 公开了存储阵列及其操作方法和制造方法。一示例存储阵列可以包括：成行列设置以形成阵列的多个基于第一纳米线的选择晶体管；以及在选择晶体管阵列上堆叠的多个存储单元层，每一存储单元层包括与选择晶体管阵列相对应的阻变器件的阵列。阻变器件可以包括由第二纳米线、绕第二纳米线形成的阻变材料层以及绕阻变材料层形成的电极层构成MIM配置。该存储阵列还可以包括：多条选择线，每一条选择线电连接至相应的一行选择晶体管；多条位线，每一条位线电连接至相应的一列选择晶体管的一端，各选择晶体管的另一端分别电连接至相邻的存储单元层中相应的阻变器件的第二纳米线；多条字线，每一条字线电连接至相应的存储单元层的电极层。
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公开(公告)号：CN104091887A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410183020.7
申请日：2014-04-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/424 , H01L51/0021 , H01L51/442
Abstract: 本发明公开了一种基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池从上到下依次为导电玻璃基片(14)、金属氧化物层(13)、钙钛矿膜层(12)、空穴传输层(11)、背电极接触层(10)；所述导电玻璃基片(14)上有导电薄膜；所述背电极接触层(10)为氧化铟锡ITO层，替代了传统的Au、Ag等，同时使用BaTiO3、ZnO、SnO2等作为金属氧化物层，实现了制备过程使用溶胶凝胶工艺，降低制造成本的同时简化了制备过程，有利于大面积制造。
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公开(公告)号：CN103515445A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210202201.0
申请日：2012-06-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/227 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。本发明在玻璃或者塑料的衬底上制备薄膜晶体管，采用掺铝的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层，在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺铝的氧化锌呈现出半导体特性，并且显示出高迁移特性，有效的提高了薄膜晶体管的性能。本发明的制备方法步骤简单，制备成本低，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，降低了制备成本。同时，氧化锌铝薄膜是环保材料，工艺简单，制备成本低，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103500796A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310478675.2
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于氧化物的透明阻变随机存储器RRAM，包括三层结构：上电极，阻变层薄膜和下电极，所述上电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种；所述阻变薄膜材料为ZrO2；所述下电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种。本发明还提供制备RRAM的方法。本发明采用溶胶凝胶法，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资少；制得的RRAM器件一致性好，可以实现大面积RRAM器件的制备。
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