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公开(公告)号：CN111146314A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811314183.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用。所述方法包括：在衬底上生长氮化物半导体紫外发光二极管结构，获得外延片，所述氮化物半导体紫外发光二极管结构包括依次形成的第一接触层、有源区、电子阻挡层和第二接触层，所述方法还包括：采用旋转错位法，使光刻图形的任意一条边均避开氮化物半导体紫外发光二极管结构的 晶向；采用湿法腐蚀技术修复刻蚀损伤，使氮化物半导体紫外发光二极管结构的无规则粗糙侧壁转化为m面 组成的锯齿形侧壁。本发明结合旋转错位和侧壁腐蚀工艺来实现外延片的侧壁粗化和刻蚀损伤修复，可显著提高氮化物半导体紫外发光二极管的取光效率，提高紫外发光二极管器件性能。
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公开(公告)号：CN110034186A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810031021.8
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于复合势垒层结构的III族氮化物增强型HEMT及其制作方法。所述HEMT包括分别作为沟道层、势垒层的第一、第二半导体，作为p型层的第三半导体，源极、漏极以及栅极等；其中势垒层上对应于栅极的区域内形成有凹槽结构，其与第三半导体及栅极配合形成p型栅，并且第二半导体包括依次设置于第一半导体上的第一、第二结构层；相对于选定刻蚀试剂，第一结构层较之第二结构层具有更高耐刻蚀性能。本发明的HEMT结构可被更为精确地调控，同时还具有更佳器件性能，如正向栅极漏电和栅阈值电压摆幅被显著改善，器件阈值电压的片内均匀性可以得到保证，同时其更易于制作，适用于规模生产。
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公开(公告)号：CN106835266A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510882778.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C30B25/12
Abstract: 本发明公布了一种提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘，包括样品托盘本体，所述样品托盘本体上端面的选定区域内分布有两个以上第一片槽，而所述样品托盘本体上端面上除所述选定区域之外的其余区域内还分布有至少一第二片槽，所述第一片槽的直径为4英寸、6英寸或8英寸，所述第二片槽的直径为2英寸或4英寸，且所述第一片槽的直径大于第二片槽的直径。本发明通过对现有大尺寸样品托盘进行改良设计，既能改善样品托盘上样品的分布均匀性，又能提高了样品托盘的使用率，使之适用于生长不同尺寸的半导体薄膜，可以有效提高半导体材料的生长产能，并降低材料生长成本，尤其适用于MOCVD、HVPE、PECVD、ALD、MBE等多种薄膜生长设备。
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公开(公告)号：CN114188461B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111487880.6
申请日：2021-12-06
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/85 , H10H20/856 , H10H20/857 , H10H20/852
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外封装器件。紫外封装器件包括基板、内壳、外壳、镜片。内壳围设于基板，内壳的内表面贴合于基板的上表面，内壳于基板的上表面形成安装凹槽，外壳围设于基板与内壳外部，并贴合于内壳的上表面，外壳于内壳的上方设有镜片，镜片将安装槽密封，其中，紫外LED设于安装凹槽内，内壳与外壳的由紫外反射材料形成。通过内壳与外壳层层包覆于基板，于基板上形成狭小的安装凹槽，以将紫外LED设置于该安装凹槽内，降低深紫外光的吸收概率，减小光损失，从而提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN119698023A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311211568.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III‑V族半导体的外延结构、其生长方法及应用。所述外延结构包括沿指定方向依次层叠设置的衬底、中间层、刻蚀停止层、沟道层以及势垒层；其中沟道层和势垒层组成异质结，V族极性面朝向刻蚀停止层；刻蚀停止层包括周期性层叠的第一和第二亚层，当进行刻蚀时，第一亚层的刻蚀速率高于第二亚层。本发明所提供的外延结构采用多层叠层结构作为刻蚀停止层，提高了第二亚层的等效总厚度，且避免了单独较厚的第二亚层的裂纹等缺陷，不仅可以根据需要实现一定厚度的有源层结构，而且可以有效降低界面粗糙度及界面态密度，能够获得载流子密度高、迁移率高的稳定均一高质量的III族极性异质结器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119029120A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411041168.7
申请日：2024-07-31
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种半导体封装结构和发光器件，涉及半导体封装技术领域；其中，半导体封装结构包括含氟透光层、发光芯片和基座；所述发光芯片的外周壁相对于所述发光芯片的中心线倾斜，以使所述发光芯片的外周壁到所述中心线的距离，沿所述发光芯片的下表面至所述发光芯片的上表面逐渐减小；所述含氟透光层铺设于所述发光芯片，并与所述发光芯片的上表面、外周壁相互抵接；所述发光芯片、所述含氟透光层均位于所述基座内。本发明提供的技术方案可以提升半导体封装结构的光提取效率。
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公开(公告)号：CN118039456A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211471433.6
申请日：2022-11-21
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/16 , H01S5/30 , C23C14/02 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种III‑V族半导体材料的选区外延生长方法及应用。所述方法包括：在半导体材料基底上设置表面经过活化处理的图形化掩膜层，之后在半导体材料基底上外延生长III‑V族半导体材料，并且III‑V族半导体材料在图形化掩膜层表面及半导体材料基底表面能均匀成核。本发明主要是通过活化掩膜层表面来提高III‑V族半导体选区外延的均匀性，可以有效降低选区外延材料的厚度与掺杂的均匀性对于掩膜图形尺寸的依赖，能够在较低外延生长温度下实现高质量的III‑V族半导体选区外延材料的规模量产，很好地克服了现有技术中在III‑V族半导体材料选区外延时存在的薄膜均匀性差、高效掺杂难和刻蚀损伤等缺点。
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公开(公告)号：CN117080262A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210490618.5
申请日：2022-05-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管结构及其制作方法与应用。所述晶体管结构包括外延结构以及与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括异质结，所述异质结内形成有载流子沟道，所述载流子沟道分布于被栅极在外延结构上的正投影所覆盖的区域内；其中，所述外延结构还包括重掺杂区和高阻区，所述重掺杂区设置在异质结上且与载流子沟道形成欧姆接触，所述源极、漏极均与重掺杂区形成欧姆接触，并且源极与栅极之间和漏极与栅极之间均被高阻区分隔。本发明利用重掺杂区和高阻区形成的复合层作为栅极支撑层，实现了短沟道、近全栅控、几乎无接入区串联电阻、低寄生效应的高电子迁移率晶体管结构，器件膝点电压低、线性度高、频率特性好、输出效率高。
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公开(公告)号：CN116525407A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210066938.8
申请日：2022-01-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物基半导体材料及其制作方法。所述制作方法包括：在反应室内设置III族氮化物刻蚀准备层；向所述反应室内输入卤素基源对III族氮化物刻蚀准备层的表面进行原位处理，以使所述III族氮化物刻蚀准备层表面附近产生多个III族阳离子空位缺陷；向所述反应室内输入氮源和金属源，在原位处理后的III族氮化物刻蚀准备层表面生长形成III族氮化物半导体材料层。本发明实施例提供的一种III族氮化物基半导体材料的制作方法，工艺简单，重复可控，完全适合大规模生产，采用卤素基源进行原位表面处理，可以完全兼容MOCVD等设备非常适合于高质量AlGaN等III族氮化物材料的大规模生产。
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公开(公告)号：CN116266618A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111549806.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高光效深紫外发光二极管及其制备方法。所述高光效深紫外发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别经第一欧姆接触层、第二欧姆接触层与所述第一半导体层、第二半导体层电性接触；所述第一半导体层、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层为第一掺杂类型，所述第二半导体层为第二掺杂类型。本发明实施例提供的一种高光效深紫外发光二极管采用重掺杂的欧姆接触层降低了p型与n型欧姆接触结构的制作难度，可以同时实现p型及n型电极的高反射率，大幅提高器件的取光效率。
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