公开(公告)号：CN101933167A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200880125877.6

申请日：2008-09-19

Applicant: 艾比维利股份有限公司

Inventor： 金昌台 ,  李泰熙 ,  南起炼

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本公开涉及一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括：其上形成有多个突起的衬底，所述多个突起中的每一个均具有三个锐角部分和三个钝角部分；和在所述衬底上形成的多个III族氮化物半导体层，并且所述多个III族氮化物半导体层包括通过电子和空穴的复合而发光的有源层。

公开(公告)号：CN101925979A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200880125692.5

申请日：2008-11-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  三木久幸

IPC: H01L21/203 ,  C30B25/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的III族氮化物半导体的制造方法具有如下溅射工序：在配置有基板及含有Ga元素的靶材的腔室内，通过反应性溅射法在前述基板上形成单晶的III族氮化物半导体，所述溅射工序具有：第1溅射工序，使所述基板的温度为温度T1，进行前述III族氮化物半导体的成膜；第2溅射工序，将所述基板的温度降温至比前述温度T1低的温度T2，继续进行前述III族氮化物半导体的成膜。

公开(公告)号：CN101849034A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780101042.2

申请日：2007-10-12

Applicant: 晶能光电(江西)有限公司

Inventor： 江风益 ,  王立 ,  莫春兰 ,  方文卿

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 一种制备Ⅲ-Ⅴ族n-型氮化物结构的方法，包括制备Si生长衬底，然后在该Si衬底上沉积Ⅲ-Ⅴ族n-型层，采用流量为第一设定值的硅烷(SiH4)作为前驱体(210)。随后，在制备该n-型层过程中硅烷流量降至第二设定值(220)。方法还包括在该n-型层上形成多量子阱有源区。此外，在设定时间内流量不断减小，当距离n-型层与有源区的界面达到某一设定且充分小的距离时，流量达到第二设定值(230)。

公开(公告)号：CN101816061A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200780100933.6

申请日：2007-10-04

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 戴维·布尔 ,  雅各布·史密斯 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  洛里·华盛顿 ,  大卫·伊格尔沙姆

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/461

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/301 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明描述一种在一金属有机化学气相沉积工艺中抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向一反应腔室提供一基板以及向该反应腔室导入一有机金属前驱物、一微粒抑制化合物与至少一第二前驱物。第二前驱物与有机金属前驱物反应，以在基板上形成一成核层。另外，本发明描述一种在形成一III-V氮化物层期间抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向一反应腔室导入一含III族金属的前驱物。III族金属前驱物可以包含一卤素。也向至反应腔室导入一卤化氢气体与一含氮化合物。含氮气体与III族金属前驱物反应，以在基板上形成III-V氮化物层。

公开(公告)号：CN101138091B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680007694.5

申请日：2006-03-10

Applicant: 加利福尼亚大学董事会 ,  独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 特洛伊·J·贝克 ,  本杰明·A·哈斯克尔 ,  保罗·T·菲尼 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  中村修二

IPC: H01L29/04

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{101 1}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。

公开(公告)号：CN101689593A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022537.0

申请日：2008-05-21

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 孙孝根

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  H01L33/405

Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：包括凹部的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；和在所述有源层上的第二导电半导体层。

公开(公告)号：CN101647091A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880010360.2

申请日：2008-02-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02389 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/34333

Abstract: 原料气体流过有机金属气相生长炉(21)的流动通道(23)。在从一端至另一端横穿支撑台(25)主面(25a)的方向上供应所述原料气体。将GaN衬底(27a～27c)布置在所述支撑台主面(25a)上。斜角在从所述氮化镓衬底(27a～27c)的主面的边缘上的一个点向所述边缘上的另一个点的线段上单调变化。所述各个GaN衬底(27a～27c)的取向由所述取向平面的方向表示。通过根据所述取向将所述多个氮化镓衬底(27a～27c)布置在所述有机金属气相生长炉(21)的支撑台(25)上，通过利用归因于所述原料气体流动的影响能够降低所述斜角分布的影响。

公开(公告)号：CN100580881C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200480000273.0

申请日：2004-02-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  上野昌纪

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供了一种制造方法，其易于生产包含具有出色平直度和结晶性的外延膜的氮化物-基半导体装置，并使得通过这种方法制造的氮化物-基半导体装置是可利用的。氮化物半导体装置在半导体衬底上形成，半导体衬底是一种包含第3B族元素及氮的化合物，此第3B族元素适合于与氮形成化合物，制造氮化物半导体装置的方法包括将半导体衬底(1)加热到膜-沉积温度、给衬底提供包含第3B族元素源气体和氮源气体的膜-沉积气体、及在半导体衬底上外延生长薄膜(2)的步骤，薄膜(2)是包含第3B族元素和氮的化合物；该方法在外延生长步骤之前还提供有将半导体衬底加热到预处理温度的步骤，以清洁半导体衬底表面，该预处理温度低于膜-沉积温度。

公开(公告)号：CN100578825C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200410073841.1

申请日：2004-09-06

Applicant: 金芃

Inventor： 彭晖 ,  罗威

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/20 ,  H01L33/405

Abstract: 垂直结构的半导体芯片(或器件)具备所有倒装焊半导体芯片的优点。本发明展示低成本和高产率的批量生产垂直结构的半导体芯片(包括GaN基，GaInP基，和GaInPN基LEDs)的方法。本发明的批量生产方法包括下述工艺步骤：外延生长第一类型限制层于生长衬底上，层叠反射/欧姆层于第一类型限制层上，层叠导电的支持衬底于反射/欧姆层上，剥离生长衬底，第一类型限制层暴露，外延生长包括发光层和第二类型限制层的外延层于暴露的第一类型限制层上，层叠第二电极于第二类型限制层上，切割外延晶片为半导体芯片。本发明的最重要的特点是：即使使用硅(Si)晶片作为生长衬底，也可以生长高质量的GaN基LEDs，而目前硅晶片的最大的直径是12英寸，因而GaN基LEDs的生产成本被极大的降低。

公开(公告)号：CN101589478A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200680056302.4

申请日：2006-09-08

Applicant: 新加坡科技研究局

Inventor： 苏周明 ,  蔡树仁 ,  丁勇毅

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L29/15

CPC classification number: H01L33/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06

Abstract: 一种发光二极管和制造发光二极管的方法。该二极管包括第一组多量子阱(MQW)和第二组MQW，其中第一组中每个MQW包括浸润层，用于为所述每个MQW的阱层中的量子点(QD)或类似QD的结构提供成核位置；并且形成的第二组中的每个MQW用以表现出与第一组的MQW相比出现了移动的光致发光(PL)峰值波长。