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公开(公告)号:CN103474503A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201310461747.2
申请日:2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
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公开(公告)号:CN103320753A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310250357.0
申请日:2013-06-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法,涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中,放入样品台,然后将衬底放置于样品台上;将铝置于E-Beam生长腔体内,用高能电子束轰击膜料铝,使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态,并沉积在衬底上,完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法,可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控,有利于制备电学/光电器件。制备条件简单,不需要复杂设备,在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN103296141A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201310215286.0
申请日:2013-06-03
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法,涉及一种纳米线阵列结构材料的制备方法。一个制备Si纳米线阵列的步骤;一个沉积ZnO薄膜的步骤;一个制备ZnO纳米线的步骤。应用一种低成本的方法制备了枝状结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学刻蚀法在Si衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都比较均匀;然后利用水热法在Si纳米线的表面生长了ZnO纳米线,得到了枝形结构的Si/ZnO纳米线阵列。与现有的纳米材料相比,该结构材料拥有异质结界面,可通过改变材料成分调节能带结构,并且枝状结构增加了样品的曲率效应和表面积,非常适用于太阳能电池及光催化领域。
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公开(公告)号:CN103137799A
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201310030135.8
申请日:2013-01-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法,涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡-补偿插层方法,在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理,有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应,以获得超陡峭、对称界面,使量子阱更为接近方势阱,增强量子限制效应。它通过调控外延生长参数特别是组分参数以实现超薄阻挡-补偿对层的插入,在MOCVD生长同时即可完成界面超陡处理。运用该方法外延生长的GaN/AlGaN超晶格结构的界面陡峭度可提高35%以上,克服了不同界面陡峭度的不对称性,大大提高了异质界面的质量,并使超晶格发光效率得到有效提升。
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公开(公告)号:CN101696942B
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN200910112669.9
申请日:2009-10-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置,涉及一种太阳能电池交流电致发光测试,测试装置设有交流驱动电路、光学组件、摄像管、光谱仪和计算机。交流驱动电路输出端接太阳能电池阵列;光学组件设有滤波片、透镜组和反射镜,滤波片、透镜组、反射镜和摄像管同一光轴,反射镜的反射光束传至光谱仪接收口,摄像管输出端接计算机。将多结太阳能电池样品置于样品台;用光谱仪测量多结太阳能电池电致发光光谱得各个子结的发光波段;通过滤波片选择测试光谱;选择电池样品的测试范围,得交流电致发光图像;计算机进行数据处理,得太阳能电池及其各子电池器件工艺损伤和晶体材料缺陷信息。
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公开(公告)号:CN101388324B
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200810071934.9
申请日:2008-10-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种锗量子点的制备方法,涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上,生长一层SiGe合金层,Ge组分大于0,小于等于0.5;将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗,清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层,氧化物为SiO2和GeO2的混合物;将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧,得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度,小于SiGe的熔点。
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公开(公告)号:CN101388324A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200810071934.9
申请日:2008-10-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种锗量子点的制备方法,涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上,生长一层SiGe合金层,Ge组分大于0,小于等于0.5;将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗,清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层,氧化物为SiO2和GeO2的混合物;将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧,得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度,小于SiGe的熔点。
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公开(公告)号:CN101221996A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200810070524.2
申请日:2008-01-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0256
Abstract: 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管,涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度,响应度高,响应波长范围宽,可对各区的Ge组分和厚度自由调节,设计灵活性强,主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底,在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区,集电区为Si1-yGey层,吸收区为Si1-zGez(y<z≤1)层或Si1-zGez/Si1-yGey(y<z≤1)多周期量子阱,基区为压应变的Si1-xGex层(y<x≤1),发射区为Si1-yGey层;在集电区、基区和发射区上设电极。
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公开(公告)号:CN1699979A
公开(公告)日:2005-11-23
申请号:CN200510078721.5
申请日:2005-06-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/227 , G01N1/34
Abstract: 纳米级高分辨应力测量方法,涉及一种应力测量方法,提供一种基于俄歇电子能谱仪,以电子作为测量的激发源,可获得高空间分辨的应力分布值的微区应力测量方法。其步骤为确定元素分析和零应力点,用俄歇能谱确定样品的化学元素成分和比例,并以样品的1个本质元素选择一个零应力点搜取其标准谱,作为应力零点标定;利用搜取的零应力点标准谱确定拟合参数得优化拟合理论俄歇谱;建立应力标定曲线后,根据确立的俄歇移动和应力的标定曲线得微区应力值。灵活性强,可根据样品需要建立特殊的模型进行计算,也可建立所有化合物元素的应力变化标定曲线的数据库。得到的空间分辨率和采用的俄歇电子能谱仪一致,可达到纳米量级。
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公开(公告)号:CN119694461A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411767993.5
申请日:2024-12-04
Applicant: 厦门大学
IPC: G16C60/00 , G16C20/30 , G16C20/70 , G16C20/80 , G06T7/00 , G06V10/82 , G06V10/764 , G06N3/045 , G06N3/0464
Abstract: 本发明涉及半导体材料加工技术领域,具体涉及一种晶体切割方法、装置及存储介质,该方法包括:获取晶体内部的断层图像;基于所述断层图像,构建三维重构模型;采用已训练神经网络识别所述断层图像中不同类型的缺陷,得到缺陷类别;基于所述缺陷类别和所述三维重构模型,创建所述晶体匹配的数字孪生管理模型;对所述数字孪生管理模型进行仿真预切割,得到仿真预切割结果;基于所述仿真预切割结果,确定所述晶体的切割参数。该方法通过较为精准的仿真预切割结果,构建晶体的切割参数,从而能够更加高效的切割晶体,减少晶体耗材的浪费。
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