公开(公告)号：CN102687292A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180003875.1

申请日：2011-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  加藤亮

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/28 ,  H01L33/40 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。

公开(公告)号：CN102473806A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032304.6

申请日：2010-07-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩永顺子 ,  横川俊哉 ,  山田笃志

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的发光二极管元件具备：n型导电层(2)，其具有主面以及背面，并由氮化镓类化合物构成，主面是m面；半导体层叠构造(21)，其设置在n型导电层(2)的主面的第1区域(2a)，且包括p型导电层(4)、以及位于n型导电层(2)和p型导电层(4)之间的活性层(3)；p型电极(5)，其设置在p型导电层(4)上；导电体部(9)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与通孔(8)的内壁相接；以及n型表面电极(6)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与导电体部(9)相接。

公开(公告)号：CN102422391A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020617.X

申请日：2010-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田俊治 ,  加藤亮 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 在本发明的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法中，首先，通过有机金属气相生长法，在不同的生长条件下形成主面为非极性面或半极性面的InyGa1-yN(0＜y＜1)层。接着，基于在多个InyGa1-yN(0＜y＜1)层中形成发光波长相等的InxGa1-xN(0＜x＜1)层的生长条件，求出在压力和生长速率恒定时的生长温度和In供给摩尔比之间的关系。然后，在表示生长温度和In供给摩尔比之间的所述关系的曲线上，决定生长温度随着In供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点。在与该饱和点对应的生长条件下，使主面为非极性面或半极性面的InxGa1-xN(0＜x＜1)层生长。

公开(公告)号：CN102067286A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980115958.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  加藤亮 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C30B25/10 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体层的形成方法，其包括步骤(S1)，其将至少在上面具有m面氮化物半导体晶体的基板配置于MOCVD装置的反应室内；升温步骤(S2)，其加热反应室内的基板，使基板的温度上升；和生长步骤(S3)，其在基板上使氮化物半导体层生长。在升温步骤(S2)中，向反应室内提供氮原料气体和III族元素原料气体，可以形成即使厚度为400nm也具有平滑的表面的m面氮化物半导体晶体，也可以大幅缩短其形成时间。

公开(公告)号：CN102007611A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201080001393.8

申请日：2010-03-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大屋满明 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  矶崎瑛宏

IPC: H01L33/40 ,  H01L21/28 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)和形成在Zn层(32)之上的金属层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN101371413A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780002674.3

申请日：2007-01-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明的氮化物半导体发光器件，包括：氮化物类半导体基板(10)、和在半导体基板(10)上形成的氮化物类半导体叠层结构。此叠层结构包含进行发光的有源层(16)和位于有源层(16)至基板(10)之间、含有n型掺杂物的多个半导体层(12)、(14)、(15)。n型半导体层(12)、(14)、(15)分别含有Al原子。

公开(公告)号：CN100454699C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200580005185.4

申请日：2005-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛本敏孝 ,  川口靖利 ,  长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。

公开(公告)号：CN100364192C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200480002108.9

申请日：2004-04-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  横川俊哉 ,  山田笃志

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III-V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III-V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III-V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III-V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III-V族化合物半导体成长的工序(D)。

公开(公告)号：CN1305187C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN03802320.2

申请日：2003-01-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425

Abstract: 一种氮化物半导体激光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基底(101)上形成半导体叠层体，该半导体叠层体至少有n型氮化物半导体层(102)、活性层(105)及p型氮化物半导体层(108)；第二步骤，通过选择性蚀刻上述半导体叠层体，使n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的表面分别在不同高度的位置露出；第三步骤，通过绝缘膜(109)来覆盖包含n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的露出面的上述半导体叠层体的表面，该绝缘膜具有比n型氮化物半导体层(102)的露出面和p型氮化物半导体层(108)的露出面之间产生的台阶大的膜厚；第四步骤，将绝缘膜(109)表面平坦化；以及第五步骤，贯通绝缘膜(109)并分别形成与n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)电连接的n型电极(111)及p型电极(110)。根据该制造方法，可以获得可靠性高、并且具有良好散热特性的氮化物半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1856915A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200480027878.9

申请日：2004-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  岛本敏孝 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。