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公开(公告)号：CN108092647B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201711176832.9
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K3/012 , H03K3/021 , H03K19/003
Abstract: 一种触发器包括：第一节点充电电路，被配置成以通过将输入数据反相产生的反相输入数据对第一节点进行充电；第二节点充电电路，被配置成以输入数据对第二节点进行充电；以及第一NMOS晶体管至第八NMOS晶体管。所述触发器被配置成在时钟信号的上升沿锁存所述输入数据，并输出经锁存的输入数据作为输出数据。所述触发器包括被配置成以通过将所述经锁存的输入数据反相产生的反相输入数据对第六节点进行充电。
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公开(公告)号：CN112347729A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010771071.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本公开提供了半动态触发器以及设计集成电路的方法。一种半动态触发器包括：半导体基板、第一电源轨至第四电源轨以及至少一条时钟栅极线。第一电源轨至第四电源轨设置在半导体基板上，在第一方向上延伸，并在基本上垂直于第一方向的第二方向上顺序地布置。所述至少一条时钟栅极线设置在半导体基板上，并在第二方向上延伸以穿过第一电源轨与第二电源轨之间的第一区域、第二电源轨与第三电源轨之间的第二区域以及第三电源轨与第四电源轨之间的第三区域当中的至少两个区域。所述至少一条时钟栅极线接收输入时钟信号。
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公开(公告)号：CN105977252B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610112520.0
申请日：2016-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：基底；第一晶体管，由第一输入信号的反向的电压电平门控以上拉第一节点；第二晶体管，由第二输入信号的电压电平门控以下拉第一节点；第三晶体管，由第二输入信号的反向的电压电平门控以上拉第一节点；第四晶体管，由第一输入信号的电压电平门控以下拉第一节点；第五晶体管，由第二输入信号的电压电平门控以下拉第二节点；第六晶体管，由第一输入信号的反向的电压电平门控以上拉第二节点；第七晶体管，由第一输入信号的电压电平门控以下拉第二节点；以及第八晶体管，由第二输入信号的反向的电压电平门控以上拉第二节点。
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公开(公告)号：CN110034107A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811223295.3
申请日：2018-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置、设计其版图的方法以及其制造方法。半导体装置包括：第一硬宏；第二硬宏，在第一方向上与所述第一硬宏间隔第一距离；头单元，设置在所述第一硬宏和所述第二硬宏之间的标准单元区域中，所述头单元被配置为对提供给所述第一硬宏和所述第二硬宏中的一个的电源电压执行电源门控；多个第一末端单元，设置在所述标准单元区域中并与所述第一硬宏相邻；以及多个第二末端单元，设置在所述标准单元区域中并与所述第二硬宏相邻，所述头单元不与所述多个第一末端单元和所述多个第二末端单元交叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109473425A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201810473724.6
申请日：2018-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/11807 , H01L27/0207 , H01L29/94 , H01L2027/11842 , H01L2027/11861 , H01L2027/1187 , H01L2027/11875 , H01L2027/11881 , H01L2027/1189
Abstract: 可提供一种集成电路和系统芯片，该集成电路包括：在第一方向上排列的第一宏块和第二宏块；以及第一宏块和第二宏块之间的多个单元。所述多个单元包括：至少一个第一结束单元，其邻近于第一宏块，并且在第一方向上具有第一宽度；至少一个第二结束单元，其邻近于第二宏块，并且在第一方向上具有与第一宽度不同的第二宽度；以及所述至少一个第一结束单元与所述至少一个第二结束单元之间的至少一个标准单元。
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公开(公告)号：CN106533395B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201610811492.1
申请日：2016-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体集成电路和一种触发器。所述半导体集成电路包括位于基底上的扫描使能(SE)反相器和时钟(CK)反相器、第一多路复用部以及第二多路复用部。SE反相器和CK反相器在第一方向上对齐。第一多路复用部包括第一布线和第一晶体管，第一布线连接到SE反相器的电源电压部，第一布线和第一晶体管共享接触第一布线的源区。第二多路复用部包括第二布线和第二晶体管，第二布线连接到CK反相器的电源电压部，第二布线和第二晶体管共享接触第二布线的源区。SE反相器和CK反相器在第一方向上彼此对齐。
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公开(公告)号：CN110634857A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910331450.1
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法。根据实施例，集成电路包括半导体衬底、第一至第三电力轨、第一至第三选择栅极线和行连接配线。半导体衬底上的第一至第三电力轨在第一方向上延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上顺序地布置。半导体衬底上的第一至第三选择栅极线在第一电力轨和第二电力轨之间的第一区域以及第二电力轨和第三电力轨之间的第二区域上方沿第二方向延伸，并且在第一方向上顺序地布置。半导体衬底上的行连接配线在第一方向上延伸，以连接第一选择栅极线和第三选择栅极线。
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