内置式上/下电极多层部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1892935A

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN200610082892.X

    申请日:2006-06-19

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/012 H01G4/232

    Abstract: 本发明涉及制造内置式上/下电极多层部件的方法,包括将具有在其上形成的第一内部电极图样的第一陶瓷片和具有在其上形成的第二内部电极图样的第二陶瓷片交替层叠,以便形成第一多层片状产品;在第一多层片状产品上形成第一和第二通路孔,该第一和第二通路孔分别连接第一和第二内部电极图样;将不具有内部电极图样的第三和第四陶瓷片分别接合至第一多层片状产品的上部和下部,以便形成第二多层片状产品,第三和第四陶瓷片具有对应于第一和第二通路孔形成的第三和第四通路孔;以及在第一到第四通路孔中填入导电胶。

    陶瓷电子组件及制造陶瓷电子组件的方法

    公开(公告)号:CN113257571B

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202110134970.0

    申请日:2021-01-29

    Abstract: 本公开提供一种陶瓷电子组件和制造陶瓷电子组件的方法,所述陶瓷电子组件包括主体,所述主体包括介电层和内电极。所述介电层包括多个介电晶粒,并且所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有核‑双壳结构,所述核‑双壳结构具有核和双壳。所述双壳包括围绕所述核的至少一部分的第一壳和围绕所述第一壳的至少一部分的第二壳。所述双壳包含不同类型的稀土元素R1和R2,并且R2S1/R1S1为0.01或更小,R2S2/R1S1为0.5至3.0,其中,R1S1表示包含在所述第一壳中的R1的浓度,并且R2S1和R2S2分别表示包含在所述第一壳中的R2的浓度和包含在所述第二壳中的R2的浓度。

    多层电子组件
    14.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN119517615A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411064604.2

    申请日:2024-08-05

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括电容形成部和覆盖部,所述电容形成部包括在第一方向上交替布置的介电层和内电极,所述覆盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上相对的两个表面上;以及外电极,设置在所述主体的外表面上并连接到所述内电极,其中,所述覆盖部包括第一介电材料和第一金属,所述第一介电材料具有由化学式ABO3表示的钙钛矿结构,所述第一金属包括Cu、W、Ag和Zn中的一种或多种,并且其中,在所述覆盖部的至少一部分中,基于100摩尔的B元素,所述第一金属的量大于等于2.0摩尔且小于等于9.0摩尔。

    多层电子组件
    15.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116230408A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202211542099.9

    申请日:2022-12-02

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层以及第一内电极层和第二内电极层,并且介电层介于第一内电极层和第二内电极层之间,并且主体具有相对的第一表面和第二表面、相对的第三表面和第四表面以及相对的第五表面和第六表面;第一外电极,设置在第三表面上并且连接到第一内电极层;以及第二外电极,设置在第四表面上并且连接到第二内电极层。第一内电极层包括第一内电极、第一台阶补偿部和第一中间电极,第一台阶补偿部设置为与第一内电极的两端、第三表面和第四表面间隔开,第一中间电极设置在第一内电极与第一台阶补偿部之间并且设置为与第三表面和第四表面间隔开。

    多层电容器
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112542316A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202011449729.9

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括主体和多个外电极,所述主体包括利用多个介电层和多个内电极形成的堆叠结构。每个外电极包括导电层和覆盖所述导电层的镀层,所述导电层设置在所述主体的相应的端部并且连接到所述多个内电极的相应部分。每个导电层包括镍(Ni)和钛酸钡(BT),并且相应的所述导电层的截面中被镍占据的面积相对于所述截面的总面积的比率为30%至65%。

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