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公开(公告)号：CN1790767A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510124763.8
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/3274 , H01L51/0016 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 提供了一种制造有机薄膜晶体管(TFT)的方法、使用该方法制造的有机TFT以及包括该有机TFT的平板显示器装置。所述方法包括：在没有形成有机半导体层的衬底预定区域上涂覆润滑剂；在整个衬底上涂覆有机半导体层；加热被涂覆的衬底以熔化润滑剂；从衬底上移除形成在上述预定区域上的有机半导体层。根据所述方法，在不破坏衬底和有机半导体材料的情况下能够有效地构图有机半导体层。
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公开(公告)号：CN1783515A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510092286.1
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/76264 , H01L27/1222 , H01L27/1248 , H01L29/78606 , H01L29/78681
Abstract: 一种包括可以简单布图的半导体膜的薄膜晶体管(TFT)，制造这种TFT的方法，一种包括该TFT的平板显示器(FPD)，和制造这种FPD的方法。这种TFT包括栅极、与栅极电绝缘的源、漏电极，以及半导体膜，该半导体膜与栅极电绝缘并包括分别与源和漏电极连接的源和漏区，以及连接源和漏区的沟道区。半导体膜具有使沟道区与邻近TFT分隔的凹槽。
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公开(公告)号：CN1731904A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510091069.0
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624
Abstract: 在薄膜晶体管和包括该晶体管的平板显示装置内，串扰被减小到最小。平板显示装置包括基板、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和显示元件。第一薄膜晶体管包括：形成在基板上的第一栅电极；与第一栅电极绝缘的第一电极；与第一栅电极绝缘并且在同一平面内包围第一电极的第二电极；和与第一栅电极绝缘并且与第一电极和第二电极接触的第一半导体层。第二薄膜晶体管包括：形成在基板上并且与第一电极和第二电极的其中之一电连接的第二栅电极；与第二栅电极绝缘的第三电极；与第二栅电极绝缘并且在同一平面内包围第三电极的第四电极；以及与第二栅电极绝缘并且与第三电极和第四电极接触的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN1725914A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510078663.6
申请日：2005-06-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , H01L27/3274 , H01L51/0036 , H01L51/0078 , H01L51/0516 , H01L51/0541
Abstract: 提供了一种包含p型有机薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵型电致发光(OEL)显示器件。该器件具有高开口率，并很容易以阵列结构制造。该显示器件包括对电极，在对电极上的至少包含发光层的中间层，形成在中间层上的像素电极，设置在像素电极上并与像素电极绝缘的第一电极，设置在像素电极上并与像素电极相连的第二电极，与第一电极和第一漏电极接触的p型有机半导体层；以及设置在p型有机半导体层上的并与第一电极、第一漏电极和p型有机半导体层绝缘的第一栅电极。
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公开(公告)号：CN1710721A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510077506.3
申请日：2005-06-17
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/20 , H01L21/312 , H01L21/28 , H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L51/105 , H01L27/3244 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法以及具有该TFT的平板显示器(FPD)，其中，所述的TFT包括：衬底；栅电极，设置在衬底上；栅绝缘层，设置在栅电极上；源电极和漏电极，设置在栅绝缘层上并且与栅电极绝缘；和有机半导体层，接触源电极和漏电极并且与栅电极绝缘。在此，氧化部分被设置在与有机半导体层接触的源电极和漏电极的部分上，并且，氧化部分由功函数大于有机半导体层的HOMO能级的材料形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1622338A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410096228.1
申请日：2004-11-25
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/133 , G09F9/30 , G09G3/36 , G09G3/38
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管，包括：有源层，该有源层形成在绝缘衬底上，并且具有源极/漏极区域和沟道区域；形成在有源层上的栅极绝缘薄膜；和形成在该栅极绝缘薄膜上的栅极电极。该栅极电极可由导电金属薄膜图案和覆盖该导电金属薄膜图案的导电氧化物薄膜制成。源极/漏极区域可具有LDD区域，该LDD区域与所述栅极电极至少部分重叠。
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公开(公告)号：CN1542707A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200310124057.4
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/1229 , H01L27/1214 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3262 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 一种平板显示器，它降低了驱动薄膜晶体管(TFT)的开态电流，保持了开关TFT的高开关性质，用驱动TFT保持了均匀的亮度，以及在相同的电压被施加到开关TFT和驱动TFT而不改变有源层的尺寸的情况下保持了发光器件的寿命。此平板显示器具有发光器件、包括具有用来将数据信号传送到发光器件的至少一个沟道区的半导体有源层的开关薄膜晶体管、以及包括具有用来驱动发光器件致使预定的电流根据数据信号而流过发光器件的至少一个沟道区的半导体有源层的驱动薄膜晶体管，开关TFT和驱动TFT的沟道区具有不同的电流流动方向。
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公开(公告)号：CN1527260A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310124056.X
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/1285 , G09F9/30 , H01L27/1296 , H01L27/3211 , H01L27/3262 , H01L29/04
Abstract: 一种平板显示器，即使当相同的驱动电压被施加时，它也能够将白色平衡调节到恰当的水平而无须改变驱动TFT有源层的尺寸。借助于将最佳电流量馈送到各个子象素，此平板显示器还能够得到适当的亮度，并防止其寿命缩短。此平板显示器包括多个象素。各个象素包括多个子象素。各个子象素具有自发光元件和驱动薄膜晶体管。各个驱动薄膜晶体管具有半导体有源层，此半导体有源层具有连接到各个自发光元件的至少一个沟道区，以便将电流馈送到各个自发光元件。半导体有源层的沟道区至少在二个子象素中沿不同的方向被排列。
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公开(公告)号：CN100448052C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410033069.0
申请日：2004-02-05
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 具在本
CPC classification number: H01L27/3279 , H01L51/5218 , H01L2251/5315
Abstract: 一种平板显示器及其制造方法，通过使用像素电极层作为电源层，其能够防止相邻布线之间的连线短路和电源线两端的电压降。本发明的平板显示器由薄膜晶体管、绝缘膜、像素电极和电源层构成，其中该电源层和该像素电极由相同材料形成，薄膜晶体管包括形成在绝缘衬底上的源极/漏极，绝缘膜形成在绝缘衬底上，绝缘衬底包括薄膜晶体管并包括第一、第二接触孔，这些孔分别露出源极和漏极，像素电极形成在绝缘膜上并通过第一和第二接触孔之一连接到源极/漏极之一上，电源层形成在绝缘膜上并通过第一和第二接触孔的另一个连接到源极/漏极的另一个上。通过用低电阻率材料形成电源线和在格栅结构中提供电源线，减少了电源线中的损耗。
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公开(公告)号：CN1324696C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410071242.6
申请日：2004-07-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
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