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公开(公告)号：CN1753585A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200410099755.8
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B23K26/067 , C23C14/048 , C23C14/28 , H01L51/56 , Y10T156/10
Abstract: 提供一种制造有机发光显示器的方法。该方法包括：通过使用激光辐射装置用激光束辐射供体基板的预定区域而在基板上形成有机层图案，所述激光辐射装置具有空间光调制器(SLM)。所述空间光调制器用于使用LITI方法来形成有机层图案。于是有可能调节各种类型的入射光使之均匀化并具有期望的波形。因此，提供了一种制造有机发光显示器的方法，该方法不使用掩模就可形成有机层图案。
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公开(公告)号：CN1753582A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200410047153.8
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013
Abstract: 本发明公开了一种制造有机发光显示器的方法。该方法包括利用电流计在一个步骤中在供体基板的预定区域上重复地进行激光束多条线扫描以形成有机层图案。当使用LITI方法形成有机层图案时，本发明的方法能利用电流计在一个步骤中重复进行激光束多条线扫描而减少形成有机层图案所需的处理时间并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN1346232A
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN01135731.2
申请日：2001-08-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0009
Abstract: 在一种用于制造有机电致发光显示器的方法里,在透明的衬底上形成第一电极层,并且在第一电极层上形成空穴传输层。使用激光束扫描设置在衬底上的供体膜而在空穴传输层上形成有机发光层后,移走供体膜并且接着在有机发光层上形成第二电极层。执行扫描操作期间激光束振动来使能量分布均匀。
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公开(公告)号：CN100388422C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510129143.3
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/38207 , B41M5/42 , B41M5/46 , B41M2205/12 , B41M2205/36 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S430/136
Abstract: 本发明涉及施主衬底及有机发光显示器的制造方法。制造施主衬底的方法包括：准备包含至少一个转移区和至少一个非转移区的基衬，在基衬上形成光热转换层，使用遮蔽掩模在基衬的至少一个转移区中的光热转换层上选择性地沉积转移层，其中形成在该转移区中的该转移层比受主衬底上的对应显示区宽。然后为了制造有机发光显示器，使用激光诱导热成像来将图案化的转移层从施主衬底转移至受主衬底上的显示区。
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公开(公告)号：CN1923529A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610121986.3
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: B41M5/24 , B44B7/00 , H01L21/00 , H01L21/683 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)设备和使用该设备制造电子装置的方法。该LITI设备包括室腔、基底支撑件、接触框和激光源或振荡器。所述LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成品电子装置的表面上。所述LITI设备利用磁力提供在可转移层和半成品电子装置的表面之间的紧密接触。通过在LITI设备的隔开的两个组件中形成的磁性材料产生磁力，可转移层和半成品电子装置的所述表面介于所述两个组件之间。磁体或磁性材料形成在LITI系统的两个以下组件中：1)半成品装置和膜供体装置；2)半成品装置和接触框；3)基底支撑件和膜供体装置；或者4)基底支撑件和接触框。
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公开(公告)号：CN1824518A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610067365.1
申请日：2006-02-22
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B23K26/0661 , B23K26/0604 , B23K26/0648 , B23K26/066 , B41J2/4753 , B41M5/38221
Abstract: 激光照射装置包括用于构图的激光发生器和用于预热的激光发生器。激光生热成像(LITI)方法，包括准备受体衬底；将施主衬底层叠在所述受体衬底上；和将激光束照射到施主衬底的预定区域上，并且使用包括用于构图的激光发生器和用于预热的激光发生器的激光照射装置执行转移。有利地，由用于构图的激光发生器产生的高强度激光束用于防止转移层被侵害，由用于预热的激光发生器产生的激光束同时用于预热，使得不发生边缘断开缺陷，并且即使在受体衬底具有梯级的部分中也可以容易地进行转移。
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公开(公告)号：CN1816236A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510129760.3
申请日：2005-12-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0009 , B23K26/073 , H01L51/0013 , H01L51/5012 , Y10T428/10
Abstract: 本发明公开了一种激光照射装置、一种构图方法和使用该方法的制备OLED的方法。激光照射装置包括：光源、掩模以及投影透镜，菲涅耳透镜形成在掩模的预定部分以改变光路。当使用该激光照射装置形成有机层图案时，将激光辐射照射到待切割的有机层的区域上，并且激光辐射适当地照射到待从施主基板分离的有机层的区域上。照射到有机层图案的边缘上的激光辐射具有的能量密度大于照射到有机层图案的其它部分上的激光辐射的能量密度。于是，可以形成均匀的有机层图案，并且减少对有机层图案的损伤。
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公开(公告)号：CN1789006A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510112769.3
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J3/407 , B41J11/0015 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种用于激光转写法的施体基板和利用该方法制造的有机发光显示器。激光转写设备包括通过接地装置接地的载物台，并且制造有机发光显示器的方法能控制利用该设备形成有机层的同时所堆积的静电。
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公开(公告)号：CN1783515A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510092286.1
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/76264 , H01L27/1222 , H01L27/1248 , H01L29/78606 , H01L29/78681
Abstract: 一种包括可以简单布图的半导体膜的薄膜晶体管(TFT)，制造这种TFT的方法，一种包括该TFT的平板显示器(FPD)，和制造这种FPD的方法。这种TFT包括栅极、与栅极电绝缘的源、漏电极，以及半导体膜，该半导体膜与栅极电绝缘并包括分别与源和漏电极连接的源和漏区，以及连接源和漏区的沟道区。半导体膜具有使沟道区与邻近TFT分隔的凹槽。
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公开(公告)号：CN1747611A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200410095453.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/385 , B41M5/42 , B41M5/426 , B41M5/46 , B41M2205/38 , C23C14/048 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/24479
Abstract: 提供一种用于激光诱导热成像法的供体衬底和一种使用其制造的有机场致发光显示设备。该供体衬底包括：基膜；在该基膜上形成的光－热转换层；在该光热转换层整个表面上形成的缓冲层；在该缓冲层上形成的金属层和由有机材料形成并在该金属层上形成的转移层，因而，通过使用该激光诱导热成像法转移小分子材料而提高转移图案的性质。
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