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公开(公告)号：CN1819299A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510135849.0
申请日：2005-12-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0015 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0512
Abstract: 披露一种提供与半导体层形成图案相同的结果的具有转变区域的薄膜晶体管、一种具有薄膜晶体管的平板显示器和一种用于制造薄膜晶体管和平板显示器的方法。薄膜结构包括门电极；源电极和漏电极，每个电极与门电极隔离；以及连接到源电极和漏电极上的有机半导体层。有机半导体层包括具有不同于沟道区周围的晶体结构的晶体结构的转变区域。
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公开(公告)号：CN1790767A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510124763.8
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/3274 , H01L51/0016 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 提供了一种制造有机薄膜晶体管(TFT)的方法、使用该方法制造的有机TFT以及包括该有机TFT的平板显示器装置。所述方法包括：在没有形成有机半导体层的衬底预定区域上涂覆润滑剂；在整个衬底上涂覆有机半导体层；加热被涂覆的衬底以熔化润滑剂；从衬底上移除形成在上述预定区域上的有机半导体层。根据所述方法，在不破坏衬底和有机半导体材料的情况下能够有效地构图有机半导体层。
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公开(公告)号：CN1783515A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510092286.1
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/76264 , H01L27/1222 , H01L27/1248 , H01L29/78606 , H01L29/78681
Abstract: 一种包括可以简单布图的半导体膜的薄膜晶体管(TFT)，制造这种TFT的方法，一种包括该TFT的平板显示器(FPD)，和制造这种FPD的方法。这种TFT包括栅极、与栅极电绝缘的源、漏电极，以及半导体膜，该半导体膜与栅极电绝缘并包括分别与源和漏电极连接的源和漏区，以及连接源和漏区的沟道区。半导体膜具有使沟道区与邻近TFT分隔的凹槽。
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公开(公告)号：CN1731904A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510091069.0
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624
Abstract: 在薄膜晶体管和包括该晶体管的平板显示装置内，串扰被减小到最小。平板显示装置包括基板、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和显示元件。第一薄膜晶体管包括：形成在基板上的第一栅电极；与第一栅电极绝缘的第一电极；与第一栅电极绝缘并且在同一平面内包围第一电极的第二电极；和与第一栅电极绝缘并且与第一电极和第二电极接触的第一半导体层。第二薄膜晶体管包括：形成在基板上并且与第一电极和第二电极的其中之一电连接的第二栅电极；与第二栅电极绝缘的第三电极；与第二栅电极绝缘并且在同一平面内包围第三电极的第四电极；以及与第二栅电极绝缘并且与第三电极和第四电极接触的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN1725914A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510078663.6
申请日：2005-06-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , H01L27/3274 , H01L51/0036 , H01L51/0078 , H01L51/0516 , H01L51/0541
Abstract: 提供了一种包含p型有机薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵型电致发光(OEL)显示器件。该器件具有高开口率，并很容易以阵列结构制造。该显示器件包括对电极，在对电极上的至少包含发光层的中间层，形成在中间层上的像素电极，设置在像素电极上并与像素电极绝缘的第一电极，设置在像素电极上并与像素电极相连的第二电极，与第一电极和第一漏电极接触的p型有机半导体层；以及设置在p型有机半导体层上的并与第一电极、第一漏电极和p型有机半导体层绝缘的第一栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101165938A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200610160585.9
申请日：2006-10-19
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及有机薄膜晶体管(TFT)、其制造方法以及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器，更具体而言，涉及这样一种有机TFT，其包括：栅极；与栅极绝缘的源极和漏极；与栅极绝缘并与源极和漏极电连接的有机半导体层；使栅极与源极、漏极以及有机半导体层绝缘的绝缘层；以及设置于绝缘层和有机半导体层之间的自组装单层(SAM)。形成SAM的化合物具有至少一个选自未取代或取代的C6－C30芳基和未取代或取代的C2－C30杂芳基的端基。有机TFT是通过形成上面描述的各层并且在形成有机半导体层、源极和漏极之前在绝缘层上形成SAM来形成的。因此，有机半导体层与绝缘层之间的粘附力增加，并且因热所引起的有机半导体材料的相分离可被防止，从而获得可靠性改善的平板显示器件。
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公开(公告)号：CN1870316A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610089815.7
申请日：2006-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0516 , H01L27/3244 , H01L51/0002 , H01L51/0003 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0053 , H01L51/0096 , H01L51/052 , H01L51/0525 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造这样的OTFT的方法、和包括这样的OTFT的有机电致发光(EL)显示器。所述OTFT具有由于使用氟基气体表面处理对应于沟道区的基底的部分以稳定沟道区而改善了的特性。所述方法包括：处理基底表面的预定部分；在未被表面处理的基底的部分上形成源电极和漏电极；形成半导体层以接触所述基底的表面处理过的部分；在所述基底上形成栅绝缘层；并且在所述栅绝缘层上形成栅极。所述基底使用例如CF4或C3F8的氟基气体进行等离子体表面处理。
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公开(公告)号：CN1805154A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510137310.9
申请日：2005-11-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/0272 , H01L21/02425 , H01L21/02488 , H01L29/78603
Abstract: 一种防止由于热应力或沉积应力而变形的基板，包括：设置在该基板一个表面上的变形防止层。该基板可以包括设置在该基板的一个表面上的薄膜晶体管和变形防止层，该变形防止层设置在该基板的另一个表面上并包括至少一层。
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公开(公告)号：CN1767193A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510103852.4
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/124 , H01L27/283 , H01L51/56 , H01L2227/323
Abstract: 一种能最小化串扰的半导体装置和包含这种半导体装置的平板显示装置，这种半导体装置包含两个薄膜晶体管。这种半导体装置包括：第一电极，在同一平面上包围第一电极的第二电极，在同一平面上包围第二电极的第三电极，在同一平面上包围第三电极的第四电极，与第一到第四电极绝缘并且设置在与第一到第四电极分离的另一平面上的第一栅极，第一栅极对应于第一电极和第二电极之间的间隔，与第一到第四电极绝缘并且设置在与第一到第四电极的平面分离的另一平面上的第二栅极，第二栅极对应于第三电极和第四电极之间的间隔，以及与第一栅极和第二栅极绝缘并且与第一到第四电极接触的半导体层。
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公开(公告)号：CN1731597A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510091070.3
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0516
Abstract: 提供了一种有机薄膜晶体管(TFT)，其能防止由于机械应力导致的变形或分离；和一种包括有机TFT的平板显示装置。有机TFT包括栅电极；与栅电极绝缘的源电极和漏电极；与栅电极绝缘、并与源电极和漏电极接触的有机半导体层；和使栅电极与源电极、漏电极和有机半导体层绝缘的栅绝缘层。栅绝缘层被构图成岛状形状以允许基板的相邻部分自由地弯曲，因此减小了有机TFT和其组成层的应力和变形。
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