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公开(公告)号：CN103806092B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410031343.4
申请日：2014-01-23
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于立式氢化物气相外延（HVPE）的反应器，包括轴对称圆柱型腔体、前驱物通道、衬底、石墨圆盘及支撑杆；其中前驱物通道从上至下依次由第一圆筒、过渡段、第二圆筒、裙体扩展段、第三圆筒组成；该反应器还包括设置在第二圆筒中间位置的第二整流板，设置在第三圆筒内部具有周向阵列折流板的第一折流装置；包括设置在通道第一、第二、第三圆筒内部的第一、第二、第三整流板，以及设置在石墨盘径向外围的第二折流装置；包括对反应式腔体外壁进行径向扩充；包括设置在通道第一、第二圆筒内部的第一、第二整流板，设置在第三圆筒内部与石墨盘径向外围的第一、第二折流装置，以及反应气体的径向出口。
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公开(公告)号：CN103614704B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310542018.X
申请日：2013-11-06
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种氢化物气相外延（HVPE）喷头设计，更具体地是提供了一种用于控制前驱物流场的控制棒。在一立式HVPE生长系统的前驱物通道中，所述控制棒包括始段圆环结构，中段实心圆柱体，末段控制端，所述三段同轴。所述圆环结构分为内外两侧，并包含复数个圆形通孔，所述复数个圆形通孔至少一个穿过圆环结构的内外两侧。该圆环结构外径与中段圆柱体直径相等；与中段圆柱体毗邻的末段控制端为圆锥、圆台、倒圆台或圆柱体结构中的一种，所述控制端与中段圆柱体相连处其直径相同。本发明提供的前驱物控制棒能使前驱物径向流场分布的均匀性最佳化，并扩展前驱物流场调控手段。
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公开(公告)号：CN103668446A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310601124.0
申请日：2013-11-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氢化物气相外延（HVPE）喷头设计，更具体地是提供了一种可控前驱物通道。所述通道位于悬挂立式或倒置支撑HVPE系统中，该通道包括前驱物进气口、通道顶部固定端、中心控制棒及通道外壁。所述进气口位于通道顶部与通道外壁顶端之间；所示通道顶部内嵌有一竖直螺柱；所述通道中心位置为控制棒，该控制棒分为上、下两段，上段为顶端带内螺纹套孔的圆柱体，下段为圆锥、圆台、倒圆台或圆柱控制端中的一种；所述通道外壁至少包括直径不相同的两个及以上圆筒，其中第一圆筒直径小于第二圆筒直径，两圆筒之间为过渡段，第二圆筒与裙体扩展段的一端相连。本发明提供的可控前驱物通道能使前驱物在衬底表面的径向分布最佳化，同时扩展前驱物流场调控手段。
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公开(公告)号：CN103103501A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310012409.0
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用扇形喷头结构，使第一前驱物、第二前驱物、各种保护性气体在大面积反应区域内充分混合后形成较为均匀的流场。本发明包含有一个以上进气管道，进气管道上设有检测并控制进气流速和流量的控制器，喷头腔体内设有一个以上扇形的独立隔离区域，隔离区域顶端密封板连接一个进气管道，隔离区域底端的出气挡板上设有一个及以上的气体喷口，喷头下面设有圆形反应腔。本发明实现Ⅲ族-氮化物半导体材料的大批量生产，提高Ⅲ族-氮化物半导体材料的生产效率。
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公开(公告)号：CN102903653A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210319877.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式，实现汽相外延设备在生长工艺不间断状态下卸载高温生长的晶片。本发明的生长腔侧壁设有进料窗，生长腔下面设有下料腔，下料腔下面设有卸料腔，卸料腔侧壁设有出料窗，卸料腔内设有可升降托盘的底部升降托台，下料腔内设有复数组小型气缸，小型气缸向内的端部设有夹具，下料腔内设有复数的感应加热线圈。本发明尤适用于目前HVPE垂直系统中，可缩短工艺周期、提高生产效率，促进产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102347258A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110276973.4
申请日：2011-09-19
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , C30B25/12 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体外延系统的基座，机械传动方式实现基座的公转、气动旋转方式实现衬底的自转，并结合机械手实现基座整体的升降。本发明包含有大盘、小盘，大盘内部设有辐射状的内部气路通道，大盘的内部气路通道连通小盘，支撑杆内的内部气道连通大盘内部辐射状的内部气路通道，支撑杆中部设有金属法兰，金属法兰的中心设有磁流体组件，撑杆延伸出金属法兰的部分固定有一从动轮，从动轮一侧等高的位置设有主动轮，靠近支撑杆尾端的位置设有轴承组件，支撑杆的尾端设有进气组件，进气组件由轴承组件、B套管和气体入口组成。本发明的设计可以节约反应的原料、提高薄膜的均匀性；基座结构简单、可靠。
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公开(公告)号：CN102127808A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010617807.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基材料生长所需要的金属源气体，利用金属的三氯化物作为源材料，通过载气输运并混合反应得到所需的源气体。本发明将一定量金属的三氯化物放置于石英腔加热，并以氢气、氮气、惰性气体或者它们的混合气体作为载气，调节载气的流量即可获得需要的三氯化物流量，转化气体后输运至材料生长系统，生长氮化镓基半导体材料。本发明的外置的金属源系统可以减小半导体生长系统的反应室体积，获得均匀的流场以及温场分布，降低了设备的设计与维护成本。
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公开(公告)号：CN106191989B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610611553.X
申请日：2016-07-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 一种HVPE设备用镓舟反应器，包括进气管、圆筒形侧壁、底部和顶盖，所述底部与圆筒形侧壁连接成一个容器；所述顶盖连接于圆筒形侧壁上；所述进气管穿设于顶盖或圆筒形侧壁上；所述容器上设有出气管；所述进气管包括进气连接管和螺旋喷管，所述螺旋喷管包括螺旋喷管入口、螺旋喷管管壁和螺旋喷管出口，所述进气管与螺旋喷管入口连接，所述螺旋喷管位于容器内。本发明提供的一种HVPE设备用镓舟反应器，可增加反应气体在反应器内的停留时间，也能均衡反应气体与金属镓的反应速度。
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公开(公告)号：CN106435524A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610598446.8
申请日：2016-07-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/448 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/448 , H01L21/67011
Abstract: 一种垂直式HVPE生长设备用温场装置，包括反应器和加热器，该反应器下部套装在加热器内，加热器内设置有升降杆，该升降杆顶端安装有衬底支撑盘，升降杆上活动套装有隔热层，隔热层与衬底支撑盘之间设置有伸缩式连接器，该伸缩式连接器上端与升降杆上部连接，下端与隔热层连接，该隔热层由至少两层隔热层间隔设置构成，该升降杆升降运动的同时还能转动。本发明中，利用升降杆和伸缩式连接器，实现伸缩连接器与升降杆在加热器内所占的高度空间最小，减低设备制造高度，节约了成本，利用隔热层具有的多层隔热层结构，将隔热层区域的温场分为多个温度梯度带，增大恒温区范围，减少温区内部热量的散失，恒温区温场更加稳定。
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公开(公告)号：CN106321877A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510390215.3
申请日：2015-07-03
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F16K3/30
CPC classification number: F16K3/30
Abstract: 本发明涉及一种真空阀门，具体的涉及一种大通道尺寸真空插板阀，包含阀体、阀舌、阀舌驱动器和压力平衡结构，当需要开启或者关闭阀门时，可以先使用压力平衡结构对阀舌两侧压力进行平衡后再操作，本发明一种大通道尺寸真空插板阀具有通道尺寸大，自身结构简单，密封性好，密封件不易磨损，寿命长等优势，适合各种真空腔体接口处使用。
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