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公开(公告)号：CN110160658B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910411805.8
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，锰钴镍氧介质超表面结构层，补偿元，以及器件管座组成。本发明制备的刻蚀增强型非制冷红外薄膜探测器，在传统锰钴镍氧薄膜型探测器的基础上，通过设计和刻蚀敏感元部分，形成特定周期、占空比和深度的锰钴镍氧介质超表面结构层，达到了增强耦合光的能力，促进了锰钴镍氧薄膜材料在红外波段的宽带吸收，进而增强了器件对红外辐射的宽波段探测能力，在响应率和探测率等方面可以有进一步的提高。本发明设计的器件制备工艺简单，与现有的硅集成工艺相兼容，可以在焦平面探测器中大规模应用。
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公开(公告)号：CN110044476B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201910271495.4
申请日：2019-04-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁非磁金属异质结的太赫兹探测器,属于光电探测技术领域，该方法利用反铁磁材料在太赫兹波段的反铁磁耦合共振吸收特性，将太赫兹辐射能量转化为自旋波，利用具有强自旋‑轨道耦合的非磁金属中逆自旋霍尔效应将自旋波在界面处转化为电荷流，在非磁金属表面两侧电极读出电压信号，从而实现对太赫兹辐射探测。该发明利用了电子自旋属性来实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有零功耗、响应快、易集成、可室温工作等优点。
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公开(公告)号：CN110672211B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910856628.4
申请日：2019-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米金修饰的非制冷红外探测器及制作方法。通过在氮化硅微桥衬底上依次制备镍铬薄膜底电极，纳米金修饰的锰钴镍氧薄膜，单层石墨烯薄膜顶电极，实现多波段响应的非制冷红外探测。该红外探测器响应波段为0.3‑2μm，3‑5μm和8‑14μm。其中0.3‑2μm响应来自锰钴镍材料的吸收，3‑5μm的响应来自于3‑5μm减反谐振腔及纳米金颗粒吸收，而8‑14μm波段吸收来自NiCr下电极。顶底电极结构可使锰钴镍氧探测器相比传统器件电阻减小3个数量级，器件噪声比较传统平面型器件降低1‑2个数量级，易于集成。
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公开(公告)号：CN106395728B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610893671.4
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件及其制备方法。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以在内部形成拱形的支撑结构，也简化了制作流程，节约了成本，提高了器件之作的成功率，同时由于其平台结构强度较高，在红外器件的诸如涂黑漆、封装等步骤中不易受损。
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公开(公告)号：CN106044696A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610538776.8
申请日：2016-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: B81B1/00 , B81C1/00476 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件及其制备方法。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以在内部形成拱形的支撑结构，也简化了制作流程，节约了成本，提高了器件之作的成功率，同时由于其平台结构强度较高，在红外器件的诸如涂黑漆、封装等步骤中不易受损。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119987012A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202311511680.9
申请日：2023-11-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本申请提供了一种机械式光脉冲调制器和调制方法。机械式光脉冲调制器包括：光源；电机飞轮；至少一个楔形镜，设置于电机飞轮的外边缘上，楔形镜被配置为，在楔形镜旋转至与电机飞轮的圆心和光源位于同一条直线且面向光源的情况下，将光源出射的光进行反射；微反射镜，位于楔形镜的反射光出射方向，用于反射由楔形镜反射而来的光，其中，微反射镜包括光反射部件和光吸收部件，光吸收部件用于吸收光反射部件周围的光。本申请提供的机械式光脉冲调制器解决了现有技术中光脉冲调制设备存在的成本较高、调节方法较为复杂的问题。
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公开(公告)号：CN110160658A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910411805.8
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，锰钴镍氧介质超表面结构层，补偿元，以及器件管座组成。本发明制备的刻蚀增强型非制冷红外薄膜探测器，在传统锰钴镍氧薄膜型探测器的基础上，通过设计和刻蚀敏感元部分，形成特定周期、占空比和深度的锰钴镍氧介质超表面结构层，达到了增强耦合光的能力，促进了锰钴镍氧薄膜材料在红外波段的宽带吸收，进而增强了器件对红外辐射的宽波段探测能力，在响应率和探测率等方面可以有进一步的提高。本发明设计的器件制备工艺简单，与现有的硅集成工艺相兼容，可以在焦平面探测器中大规模应用。
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公开(公告)号：CN117490852A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210874513.X
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽波段红外探测器及其制备方法。本发明在硅衬底上依次构筑介质微桥，镍酸镧导电氧化物底电极，锰钴镍氧金字塔结构表面探测元，锰钴镍氧补偿元，NiCr顶电极和补偿元顶电极，实现了宽波段红外探测。本发明器件设计大大减少了敏感元与空气界面的红外反射损失；结合镍铬吸收层顶电极与镍酸镧吸收层底电极，实现了器件光敏元对0.3‑30μm的宽波段的近完美吸收(90％以上)。本发明有效提高了锰钴镍氧器件宽波段光吸收效率，并可应用于阵列探测器件。
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公开(公告)号：CN110672211A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910856628.4
申请日：2019-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米金修饰的非制冷红外探测器及制作方法。通过在氮化硅微桥衬底上依次制备镍铬薄膜底电极，纳米金修饰的锰钴镍氧薄膜，单层石墨烯薄膜顶电极，实现多波段响应的非制冷红外探测。该红外探测器响应波段为0.3-2μm，3-5μm和8-14μm。其中0.3-2μm响应来自锰钴镍材料的吸收，3-5μm的响应来自于3-5μm减反谐振腔及纳米金颗粒吸收，而8-14μm波段吸收来自NiCr下电极。顶底电极结构可使锰钴镍氧探测器相比传统器件电阻减小3个数量级，器件噪声比较传统平面型器件降低1-2个数量级，易于集成。
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公开(公告)号：CN110132426A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910411823.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁层到反铁磁层的注入，通过自旋-轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。该发明利用自旋-轨道扭矩实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有响应快、易制备、宽波段调谐、可室温工作等优点。
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