公开(公告)号：CN112997280A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980071896.3

申请日：2019-10-16

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大森启之 ,  铃木圣唯

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，针对形成于基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的层叠膜，经由形成于前述层叠膜上的具有特定的开口图案的掩模，将干蚀刻剂等离子体化而进行施加绝对值500V以上的负直流自偏压的蚀刻，从而形成相对于前述层叠膜的垂直方向的贯通孔，前述干蚀刻剂至少包含C3F6、CxHyFz所示的含氢饱和氟碳及氧化性气体，前述干蚀刻剂所包含的前述含氢饱和氟碳的体积为前述干蚀刻剂所包含的前述C3F6的体积的0.1～10倍的范围。

公开(公告)号：CN107533969B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201680020330.4

申请日：2016-03-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 中村阳介 ,  藤原昌生 ,  大森启之 ,  八尾章史

IPC: H01L21/3065 ,  C09K13/08 ,  C07C17/383 ,  C07C21/18

Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN109502617A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811056906.X

申请日：2018-09-11

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大森启之 ,  古谷俊太 ,  长友真圣 ,  八尾章史 ,  高木敦 ,  塚本将功

IPC: C01F7/56

Abstract: 本发明涉及碱性氯化铝溶液和其制造方法。本发明的目的在于，提供：能以低成本生产具有高的絮凝性能和高的保存稳定性的碱性氯化铝溶液的制造方法。本发明的解决手段为使用碱性氯化铝溶液的制造方法，该制造方法包括：对于包含由[Al2(OH)nCl(6-n)]m(0

公开(公告)号：CN115803313A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180048843.7

申请日：2021-08-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 泽村凉介 ,  大森启之 ,  菊池亚纪应 ,  玉井直史 ,  谷口敬寿 ,  八尾章史

IPC: C07C209/84

Abstract: 本公开的目的在于，提供一种使粗三烷基胺中的二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺、乙基异丙基胺的浓度降低的新型的方法。本公开为一种三烷基胺的纯化方法，其特征在于，使包含选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种作为杂质的粗三烷基胺与沸石接触，使上述粗三烷基胺中的选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种的浓度比上述沸石接触前降低。

公开(公告)号：CN115315786A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180020720.2

申请日：2021-03-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 泽村凉介 ,  铃木圣唯 ,  大森启之 ,  八尾章史

IPC: H01L21/302

Abstract: 一种硅氧化物的干蚀刻方法，其特征在于，其是使气体的氟化氢及气体的有机胺化合物、气体的有机胺化合物的氟化氢盐、或气体的氟化氢、气体的有机胺化合物及气体的有机胺化合物的氟化氢盐与硅氧化物反应的干蚀刻方法，上述有机胺化合物为包含下述通式(1)所示的化合物中的至少2种的有机胺混合物。R1‑N＝R2R3···(1)(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～10的、任选具有环、杂原子、卤素原子的烃基。R2、R3为氢原子或碳数1～10的、任选具有环、杂原子、卤素原子的烃基。其中，烃基在碳数为3以上时，任选形成支链结构或环状结构。烃基的杂原子为氮原子、氧原子、硫原子或磷原子。进而，R1和R2均为碳数1以上的烃基时，R1与R2任选直接键合而形成环状结构。进而，R1或R2以双键直接键合而形成环状结构时，任选形成芳香环而不存在R3。另外，R1、R2及R3任选为相同的烃基或不同的烃基。)。

公开(公告)号：CN113330539A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980090097.0

申请日：2019-12-20

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大森启之 ,  上田辰德 ,  池田晋也

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本公开的实施方式的干蚀刻方法的特征在于，其具有：对干蚀刻剂进行等离子化的工序；和、使用进行了等离子化的等离子气体对硅氧化物或硅氮化物进行蚀刻的工序，前述干蚀刻剂以碳数2或3的含氟直链腈化合物相对于CF3I的浓度为1体积ppm以上且1体积％以下包含CF3I和所述碳数2或3的含氟直链腈化合物。

公开(公告)号：CN110036460A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201780073050.4

申请日：2017-10-23

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大森启之 ,  八尾章史 ,  毛利勇

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开一种干式蚀刻剂组合物、及使用其的发明，该干式蚀刻剂组合物含有1,3,3,3-四氟丙烯、与CHxClyFz(x、y、z为1以上的整数，且x+y+z＝4)所表示的氢氯氟烃，且相对于1,3,3,3-四氟丙烯的上述氢氯氟烃的浓度为3体积ppm以上且不足10000体积ppm。本发明的目的在于：于半导体制造工艺中，在无损HFO-1234ze的良好的蚀刻特性的情况下提高HFO-1234ze的保存稳定性，抑制酸性物质的产生，而防止保存容器或配管、蚀刻腔室的腐蚀。

公开(公告)号：CN107533969A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680020330.4

申请日：2016-03-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 中村阳介 ,  藤原昌生 ,  大森启之 ,  八尾章史

IPC: H01L21/3065 ,  C09K13/08 ,  C07C17/383 ,  C07C21/18

Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。