公开(公告)号：CN102959709A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030749.5

申请日：2011-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  伊藤里美 ,  冲田恭子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

Abstract: 公开的碳化硅衬底（1）包括碳化硅。并且在一个主表面（1A）的法线和{03-38}面的法线到包含 方向和 方向的面的正交投影之间的角度为0.5°或更小。因此，该碳化硅衬底（1）展示出提高的半导体器件沟道迁移率和稳定特性。

公开(公告)号：CN102668033A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180005073.4

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐见弘 ,  千田裕彦 ,  伊藤里美 ,  藤川一洋 ,  岛田茂树 ,  玄番润 ,  寺尾岳见 ,  古庄胜

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872

Abstract: 基板（10-12）分别安装在多个基座（20-22）中的每个基座上。所述多个基座中的每个基座均安装有基板，且所述多个基座设置在旋转机构上，使得这些基座在上下方向上彼此间具有预定间隔。设置有所述多个基座的旋转机构被旋转。每个均安装有基板的多个基座被加热。通过向在旋转的同时受热的基座中的每个基座供应原料气体来沉积半导体薄膜，所述原料气体通过基本上彼此相等的相应路径长度的气体流路被加热。

公开(公告)号：CN102598211A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201180004204.7

申请日：2011-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  佐佐木信 ,  井上博挥 ,  冲田恭子 ,  并川靖生 ,  伊藤里美

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 准备具有支撑部(30)以及第一和第二碳化硅衬底(11、12)的连接衬底。第一碳化硅衬底(11)具有连接到支撑部(30)的第一背面、与第一背面相反的第一正面以及将第一背面和第一正面彼此连接的第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有连接到支撑部(30)的第二背面、与第二背面相反的第二正面以及将第二背面和第二正面彼此连接的第二侧面，并且在第一侧面和第二侧面之间形成有间隙。去除用于填充间隙的填充部40。然后，对第一和第二正面进行抛光。然后，去除填充部40。然后，形成用于封闭间隙的封闭部。这样，在使用具有碳化硅衬底的复合衬底制造半导体器件的工艺中，能够抑制由碳化硅衬底之间的间隙引起的工艺变化。