公开(公告)号：CN1910741A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200580002806.3

申请日：2005-09-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种结型场效应晶体管(20)，包括具有沟道区的n型半导体层(1)、在沟道区上形成的缓冲层(3)，以及在缓冲层(3)上形成的p+区(4a，4b)。缓冲层(3)中的电子浓度低于半导体层(1)中的电子浓度。优选地是，使缓冲层(3)中的电子浓度不超过半导体层(1)中电子浓度的十分之一。由此，可以容易地控制阈值电压，并且可以容易地控制沟道的饱和电流密度。

公开(公告)号：CN1243373C

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN00818361.9

申请日：2000-09-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0843 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种面结型场效应晶体管及其制造方法，可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管(JFET)。该JFET包括：第二导电型的栅极区域(2)，其设在半导体基片的表面；第一导电型的源极区域(1)；第一导电型的通道区域(10)，其与源极区域连接；第二导电型的限定区域(5)，其与栅极区域连接，限定通道区域；第一导电型的漏极区域(3)，其设在背面；第一导电型的漂移区域(4)，其从通道向漏极在基片的厚度方向上连续。漂移区域和通道区域的第一导电型杂质的浓度低于源极区域、漏极区域的第一导电型杂质浓度及限定区域的第二导电型杂质的浓度。

公开(公告)号：CN1238904C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN02802129.0

申请日：2002-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种横向结型场效应晶体管，包括由n-型掺杂区形成的n-型半导体层(3)和在n-型半导体层(3)上由p-型掺杂区形成的p-型半导体层。另外，在p-型半导体层中设置延伸到n-型半导体层(3)中的p+-型栅区层(7)，它含有p-型杂质，杂质浓度高于n-型半导体层(3)的杂质浓度，还设置n+-型漏区层(9)，与p+-型栅区层(7)隔开预定的距离，它们含有n-型杂质，杂质浓度高于n-型半导体层(3)的杂质浓度。采用这种结构，可以提供横向结型场效应晶体管在保持较高击穿电压特性的同时，使导通电阻被进一步减小。

公开(公告)号：CN1496587A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN02802129.0

申请日：2002-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种横向结型场效应晶体管，包括由n－型掺杂区形成的n－型半导体层(3)和在n－型半导体层(3)上由p－型掺杂区形成的p－型半导体层。另外，在p－型半导体层中设置延伸到n－型半导体层(3)中的p+－型栅区层(7)，它含有p－型杂质，杂质浓度高于n－型半导体层(3)的杂质浓度，还设置n+－型漏区层(9)，与p+－型栅区层(7)隔开预定的距离，它们含有n－型杂质，杂质浓度高于n－型半导体层(3)的杂质浓度。采用这种结构，可以提供横向结型场效应晶体管在保持较高击穿电压特性的同时，使导通电阻被进一步减小。

公开(公告)号：CN108026662B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201680053607.3

申请日：2016-07-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上田俊策 ,  冲田恭子 ,  原田真

IPC: C30B29/36

Abstract: 碳化硅基板包含碳面侧主面和硅面侧主面。所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上。所述碳面侧主面和所述硅面侧主面相对于{0001}面的偏角为4°以下。所述碳面侧主面中的氮浓度高于所述硅面侧主面中的氮浓度，并且所述碳面侧主面与所述硅面侧主面之间的拉曼峰位移之差为0.2cm‑1以下。

公开(公告)号：CN105789029B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201610129950.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及晶体管、晶体管制造方法以及衬底。公开了一种半导体器件(1)，其具有半导体层(21‑25)和衬底(2)。半导体层(21‑25)由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21‑25)的第一表面(2A)和面对第一表面(2A)的第二表面(2B)。另外，衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底(2)具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件(1)。

公开(公告)号：CN102812537B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201080065662.7

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 公开了一种半导体器件（1），其具有半导体层（21-25）和衬底（2）。半导体层（21-25）由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底（2）具有用于支承半导体层（21-25）的第一表面（2A）和面对第一表面（2A）的第二表面（2B）。另外，衬底（2）由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底（2）具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件（1）。

公开(公告)号：CN102414349B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201080019023.7

申请日：2010-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真

IPC: C30B23/08 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明提供一种制造单晶的方法，所述方法包括：准备具有前表面和背表面的晶种(11)；提高所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度；在所述晶种(11)的所述背表面上形成含碳的涂膜；在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台(41)相互接触；将所述胶粘剂固化以将所述晶种(11)固定到所述支持台(41)上；在所述晶种(11)上生长单晶(52)；其中在实施所述生长之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜(22)。

公开(公告)号：CN102224594B9

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN200980146557.3

申请日：2009-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  增田健良 ,  和田圭司 ,  津守将斗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供了一种具有诸如沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。一种半导体器件(1)包括：衬底(2)，衬底(2)由碳化硅制成并且其相对于{0001}的表面取向的偏离角大于或等50°且小于或等于65°；p型层(4)，所述p型层(4)用作半导体层；和氧化物膜(8)，所述氧化物膜(8)用作绝缘膜。p型层(4)形成在衬底(2)上并且由碳化硅制成。氧化物膜(8)被形成为接触p型层(4)的表面。在所述半导体层和所述绝缘膜之间的界面(沟道区和氧化物膜(8)之间的界面)的10nm内的区域中的氮原子浓度的最大值大于或等于1×1021cm-3。

公开(公告)号：CN102959709A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030749.5

申请日：2011-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  伊藤里美 ,  冲田恭子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

Abstract: 公开的碳化硅衬底（1）包括碳化硅。并且在一个主表面（1A）的法线和{03-38}面的法线到包含 方向和 方向的面的正交投影之间的角度为0.5°或更小。因此，该碳化硅衬底（1）展示出提高的半导体器件沟道迁移率和稳定特性。