公开(公告)号：CN100438103C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200580011105.6

申请日：2005-02-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 天羽映夫 ,  石津定 ,  桧垣贤次郎 ,  筑木保志 ,  福田洋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件安装件，该安装件的金属膜具有改进的有效光反射率，金属膜用作电极层和/或反射层；提供一种半导体发光元件安装件，其中金属膜对基材的附着力得到改进，机械强度和可靠性得到提高；以及提供这样一种半导体发光装置，即所述装置使用上述半导体发光元件安装件并具有优良的发光特性。该半导体发光元件安装件(子安装座(1))是通过在基材(10)上形成金属膜(11，12)制成的，金属膜是由Ag、Al或含有这些金属的合金形成的。金属膜(11，12)的晶粒的粒径不超过0.5μm，表面的中心线平均粗糙度Ra不超过0.1μm。半导体发光装置(LE2)包括装在子安装座(1)中的半导体发光元件(LE1)。

公开(公告)号：CN100420048C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200480004099.7

申请日：2004-03-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石津定 ,  桧垣贤次郎 ,  石井隆 ,  筑木保志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/642 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种用于充分去除半导体元件产生的热的半导体器件。半导体器件(100)装配有：具有底表面(2b)和设置在底表面(2b)的相反侧上的元件安装面(2a)的基板(2)；和具有安装到元件安装面(2a)上的主表面(1a)的半导体元件(1)。L为主表面(1a)的纵向上的长度，H为底表面(2b)和元件安装面(2a)之间的距离，比率H/L为0.3或更大。当半导体元件是发光元件时，元件安装面(2a)是空腔(2u)，且元件(1)设置在空腔(2u)中。金属层(13)设置在空腔(2u)的表面上。

公开(公告)号：CN100343986C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN03814061.6

申请日：2003-07-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上武和弥 ,  安部诱岳 ,  桧垣贤次郎

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L23/06 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3732 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152

Abstract: 一种半导体器件所用部件，具有含有Cu、W和/或Mo为主要成分的合金或复合物材料、Al-SiC为主要成分的合金或复合物材料，以及Si-SiC为主要成分的合金或复合物作为基本部件(1)，还具有形成于基本部件(1)表面上的包含固体碳粒薄膜(2)的涂层，用以利用至少另一个部件，如封装的树脂结合所述基本部件(1)。基本部件(1)最好具有0.1-20μm的表面不平整度Rmax，所述固体碳粒薄膜(2)的厚度最好为0.1-10μm。上述半导体器件所用基本部件，如基板提高了由树脂结合的结合强度，并且在诸如温度循环测试等可靠性测试之后能够保持高的结合强度，即表现出极好的由树脂结合的特性。

公开(公告)号：CN100342510C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03818487.7

申请日：2003-07-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石井隆 ,  桧垣贤次郎 ,  筑木保志

IPC: H01L21/52 ,  H01S5/022

CPC classification number: B23K35/0238 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  B23K35/262 ,  B23K35/268 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01S5/02272 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供了一种副支架，其使得半导体发光元件以较高的粘合强度连接。一个副支架3装有基板3和在基板的初级表面4f上形成的焊接剂层8。焊接剂层8的密度至少为焊接剂层8所用材料的理论密度的50%且不大于99.9%。焊接剂层8含有至少一种下列组分：金-锡合金、银-锡合金和铅-锡合金。焊接剂层8在其熔化之前在基板4上形成，并含有Ag膜8b和在Ag膜8b上形成的Sn膜8a。副支架3还含有在基板4和焊接剂层8之间形成的Au膜6。

公开(公告)号：CN1298032C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN03803944.3

申请日：2003-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 天羽映夫 ,  石井隆 ,  桧垣贤次郎 ,  筑木保志

IPC: H01L21/60 ,  H01L33/00 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02476 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够可靠地将半导体发光器件安置于其上的次载具和与所述次载具相结合的半导体组件。次载具3包括(a)次载具衬底4；以及(b)形成在次载具衬底4上表面4f上的焊料层8。焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.18μm。优选焊料层8在熔化之前的表面粗糙度Ra最大为0.15μm，尤其优选为0.10μm。半导体组件1包括次载具3和安置在次载具3焊料层8上的激光二极管2。

公开(公告)号：CN1663042A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03814061.6

申请日：2003-07-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上武和弥 ,  安部诱岳 ,  桧垣贤次郎

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L23/06 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3732 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152

Abstract: 一种半导体器件所用部件，具有含有Cu、W和/或Mo为主要成分的合金或复合物材料、Al－SiC为主要成分的合金或复合物材料，以及Si－SiC为主要成分的合金或复合物作为基本部件(1)，还具有形成于基本部件(1)表面上的包含固体碳粒薄膜(2)的涂层，用以利用至少另一个部件，如封装的树脂结合所述基本部件(1)。基本部件(1)最好具有0.1－20μm的表面不平整度Rmax，所述固体碳粒薄膜(2)的厚度最好为0.1－10μm。上述半导体器件所用基本部件，如基板提高了由树脂结合的结合强度，并且在诸如温度循环测试等可靠性测试之后能够保持高的结合强度，即表现出极好的由树脂结合的特性。

公开(公告)号：CN1650411A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809710.9

申请日：2003-04-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石井隆 ,  桧垣贤次郎 ,  筑木保志

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01S5/02236 ,  H01L23/488 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/83192 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476

Abstract: 一种次载具，能以高结合强度将半导体发光器装在它上面；一种半导体组件与所述次载具相结合。所述次载具包括：(a)次载具衬底；(b)形成于次载具衬底的上表面的焊料层；以及(c)焊料紧密接触层，它形成于次载具衬底与焊料层之间，并且它的结构是使主要由至少一种过渡元素构成的过渡元素层和主要由至少一种贵金属构成的贵金属层叠置。上述结构中，使过渡元素层形成于次载具衬底的侧面。所述半导体组件设置有被安置在次载具的焊料层上的半导体发光器件。