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公开(公告)号：CN104698738B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201410738666.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。
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公开(公告)号：CN103424986B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201310182369.4
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: B29C33/3842 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C15/00 , C03C17/00 , C03C17/23 , C03C17/3665 , C04B35/047 , C04B35/105 , C04B35/12 , C04B35/56 , C04B35/58 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及模具制作用坯料及模具的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的硬掩模膜的硬掩模功能的同时通过提高该硬掩模膜的干蚀刻速度来提高蚀刻加工性的新技术。设置在衬底(1)上的硬掩模膜(2)由含有锡的铬系材料形成。对于构成硬掩模膜(2)的含有锡的铬系材料而言，对氟类干蚀刻条件的蚀刻耐性与不含锡的铬系材料膜的蚀刻耐性同等或者在其以上，而且在氯类干蚀刻条件下显示出与不含锡的铬系材料膜相比显著高的蚀刻速度。结果，氟类干蚀刻的时间缩短而减轻对抗蚀剂图案的损伤，能够以高精度进行图案转印。
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公开(公告)号：CN103424981B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201310182377.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。在透明衬底(1)上层叠有半色调相移膜(2)和遮光膜(3)。遮光膜(3)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，半色调相移膜(2)由氮氧化硅钼构成。由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。
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公开(公告)号：CN103424984A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182559.6
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/62
CPC classification number: C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/352 , G03F1/00 , G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F7/20 , H01J37/34 , H01J37/3426 , H01J37/3429
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中，在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时，功能性膜由含有铬元素和与铬的混合体系成为液相的温度为400℃以下的金属元素的铬系材料构成，在形成该功能性膜的工序中，使铬靶(靶A)和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶(靶B)同时溅射(共溅射：Co-Sputtering)。另外，除了可以采用上述靶A和靶B各使用一个的方式以外，还可以采用其中任意一种靶使用多个的方式或两种靶都使用多个的方式。
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公开(公告)号：CN100467541C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510005885.5
申请日：2005-01-27
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C08L83/04 , C08K3/36 , C08J5/18 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/06 , C08G77/08 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119487099A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380051369.2
申请日：2023-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 学校法人关西大学
IPC: C08G59/30 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J163/02
Abstract: 本发明提供一种环氧树脂组合物，其特征在于，其包含(A)一分子内包含2个以上的环氧基的环氧树脂、(B)下述通式(1)所表示的聚有机硅氧烷化合物及(C)环氧树脂固化剂，相对于100质量份的所述(A)成分，所述环氧树脂组合物包含1~40质量份的所述(B)成分。由此，提供一种表现出同时使伸长特性与拉伸剪切强度增大这一特性的组成的环氧树脂组合物、该环氧树脂组合物的固化物及环氧粘合剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117693545A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202280050946.1
申请日：2022-07-21
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 信越化学工业株式会社
IPC: C08G77/392 , C08L83/04 , C08K5/01
Abstract: 本发明提供一种力学特性优异的新型有机硅类高分子化合物及含有该有机硅类高分子化合物的有机硅类高分子材料。本发明的有机硅类高分子化合物为具有聚硅氧烷骨架作为主链的有机硅类高分子化合物(H)，所述聚硅氧烷骨架在侧链上具有至少一个主体基团，所述主体基团为从环糊精或环糊精衍生物中去除一个氢原子或羟基而成的一价基团。
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公开(公告)号：CN106324978B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201610509880.4
申请日：2016-07-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及无机材料膜、光掩模坯料及光掩模的制造方法。能够确保与以往的铬系材料膜同等的特性并且能够提高干蚀刻速度。如果是以0.1原子％以上且11.5原子％以下的浓度范围含有锡的无机材料膜，则可以避免锡局部存在而形成粒子、该粒子成为光学膜中的缺陷的问题。本发明的无机材料膜为通过溅射成膜的包含铬系材料的光掩模坯料用的无机材料膜，该无机材料膜包含具有导电性的遮光层，该遮光层含有0.1原子％以上且11.5原子％以下的锡和15原子％以下的氧。另外，氧浓度的下限例如为3原子％。另外，无机材料膜具有导电性，但利用电阻率进行评价时，优选为5000Ω/cm2以下。
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公开(公告)号：CN103229099B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201180056117.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/80 , B32B15/01 , C22C27/06 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G03F1/00 , G03F1/30 , G03F1/50 , G03F1/54
Abstract: 在本发明的含铬材料膜中，添加有能够使与铬的混合体系在400℃以下的温度下成为液相的元素。当将所述含铬材料膜用作可用于光掩模坯料中的光学膜(例如遮光膜、蚀刻掩膜、蚀刻停止膜)时，可在不依赖于特别膜设计的情况下，在维持常规含铬材料膜的光学特性等的同时，提高氯干蚀刻的速度，并且可提高图案化的精度。
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公开(公告)号：CN104694901A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738665.2
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/0676 , C23C14/352 , G03F1/68 , H01J37/3417 , H01J37/3441 , H01J37/3447
Abstract: 本发明提供了溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料。通过以下方法在衬底上溅射沉积膜：向真空室(3)提供第一和第二靶材(1，2)，使得第一和第二靶材(1，2)的溅射表面(11，21)可面向衬底(5)并且彼此平行或倾斜布置，同时向第一和第二靶材(1，2)供应电能，并且在衬底上沉积溅射颗粒同时控制溅射条件，使得从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面并且沉积在其上的速率不大于通过溅射从该另一个靶材移除该溅射颗粒的速率。
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