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公开(公告)号：CN101477307A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810154778.2
申请日：2008-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 光掩模坯料具有抗蚀膜，该抗蚀膜包含(A)基础树脂，(B)产酸剂，和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物，该聚合物包含具有侧链的重复单元，该侧链带有氟化烃基，该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子，该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影，能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN119219581A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410841838.7
申请日：2024-06-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D307/12 , C07D309/06 , C07D305/06 , C07D319/12 , C07D493/08 , C07D333/16 , C07D335/02 , G03F1/22 , G03F1/24 , G03F7/20 , G03F7/42 , C08F8/00 , C08F8/34 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/20 , G03F7/004 , G03F7/039
Abstract: 本发明涉及缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，并提供用于制造该抗蚀剂组成物使用的基础聚合物的缩醛修饰剂、经该缩醛修饰剂修饰的聚合物、及使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。给予成为脂肪族性或芳香族性羟基的保护基团的具有含氧原子或硫原子的环族饱和杂环的缩醛修饰剂、含有侧链具有芳香族性羟基被下式(AL‑1)或(AL‑2)表示的酸不稳定基团保护的结构的重复单元A1且因酸作用而脱保护成为碱可溶性的聚合物、及含有含该聚合物的基础聚合物的化学增幅正型抗蚀剂组成物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117666284A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311143912.X
申请日：2023-09-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可形成能形成具有极高的分辨率、LER小、矩形性优良、显影负载的影响及显影残渣缺陷受到抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物，以及提供使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，含有：经酸不稳定基团保护且因酸的作用而成为碱可溶性的基础聚合物；该基础聚合物包含含有下式(A1)表示的含酚性羟基的单元及下式(A2)表示的被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物，且该基础聚合物所含的聚合物的全部重复单元中，具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔％以上。
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公开(公告)号：CN111100043B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201911021773.7
申请日：2019-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C311/48 , C07C321/20 , C07D327/08 , C07C309/31 , G03F7/00
Abstract: 本发明为鎓盐、负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。提供负型抗蚀剂组合物，其包含具有式(A)的鎓盐和基础聚合物。该抗蚀剂组合物在图案形成期间表现出高分辨率并且形成具有最小LER的图案。
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公开(公告)号：CN109212903B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201810721204.2
申请日：2018-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种在以高能量射线为光源的照相平版印刷中，缺陷少、且通过抑制酸扩散而具有优异平版印刷性能的抗蚀剂组合物，以及使用了该抗蚀剂组合物的抗蚀图案形成方法。所述抗蚀剂组合物的特征在于，包括：(A)包含阴离子及阳离子、且在所述阳离子中具有下述通式(A1)表示的局部结构的锍盐；以及(B)包含下述通式(B1)表示的重复单元的高分子化合物。[化学式1][化学式2]
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公开(公告)号：CN110531580A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910439482.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为化学增幅负型抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法。提供了包含具有含桥接的环的基团的芳烃磺酸的鎓盐和基础聚合物的负型抗蚀剂组合物，该鎓盐能够产生具有适当的强度和扩散受控的大体积酸。当该抗蚀剂组合物通过光刻法处理时，形成具有高分辨率和降低的LER的矩形轮廓的点图案。
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公开(公告)号：CN105629664B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201510827923.9
申请日：2015-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 光掩模坯具有化学增幅型正型抗蚀剂膜，该化学增幅型正型抗蚀剂膜包含：(A)包含在芳环上具有特定的取代基的重复单元和具有至少一个氟原子的重复单元的聚合物；(B)在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解性的基础树脂；(C)产酸剂；和(D)碱性化合物。该抗蚀剂膜在时效稳定性和抗静电膜接受性上得到改善。
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公开(公告)号：CN105629664A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510827923.9
申请日：2015-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 光掩模坯具有化学增幅型正型抗蚀剂膜，该化学增幅型正型抗蚀剂膜包含：(A)包含在芳环上具有特定的取代基的重复单元和具有至少一个氟原子的重复单元的聚合物；(B)在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解性的基础树脂；(C)产酸剂；和(D)碱性化合物。该抗蚀剂膜在时效稳定性和抗静电膜接受性上得到改善。
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公开(公告)号：CN102243439B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110121500.7
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种用于EB或EUV平版印刷的化学放大正性抗蚀剂组合物，其包括(A)聚合物或聚合物共混物，其中聚合物或聚合物共混物的薄膜不可溶于碱性显影剂，但是在酸的作用下变为可溶于其中，(B)酸产生剂，(C)碱性化合物，和(D)溶剂。碱性化合物(C)为包括带有侧链的重复单元的聚合物，并且构成作为组分(A)的一种聚合物或多种聚合物的一部分或全部，所述侧链具有仲胺或叔胺结构作为碱性活性位点。
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公开(公告)号：CN102129172B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110005991.9
申请日：2011-01-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , C08F212/14 , C08F220/30
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045
Abstract: 负性抗蚀剂组合物，其包括包含具有烷基硫基基团重复单元且具有1000-2500的Mw的基础聚合物，产酸剂和碱性组分，典型地为包含羧基、但不包括活性氢的胺化合物。其可以形成具有低LER值的45-nm线间隔的图案。
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