公开(公告)号：CN112609115B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202011373358.0

申请日：2020-11-30

Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所

Inventor： 柳旭 ,  付晓玄 ,  史秀梅 ,  黄小凯 ,  陈晓宇 ,  祁宇 ,  王峰

IPC: C22C26/00 ,  C22C9/00 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  B22F1/12 ,  B22F9/04 ,  B22F3/105 ,  B22F3/02

Abstract: 本发明涉及一种电子封装用金刚石/铜热沉材料及其制备方法，属于金属基复合材料技术领域。该热沉材料由改性金刚石、铜和添加元素组成，添加元素为银、锡或铟锡中的一种或多种，按照质量百分比计，改性金刚石的含量为30％‑60％，余量为铜和添加元素，添加元素的含量为铜含量的5％‑10％。其制备方法包括粉末混合、调膏及放电等离子烧结等步骤。本发明通过添加银、锡或铟锡合金等降熔元素，有效改善了金刚石/铜复合材料的界面结合，解决了金刚石改性后界面热阻增大的问题，同时避免了高温烧结过程中金刚石发生石墨化，提高和保证了金刚石/铜热沉材料的界面结合强度和导热性能。本发明方法具有操作简单、成本低的特点，适合规模化应用。

公开(公告)号：CN107855679B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201711104843.6

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所

Inventor： 柳旭 ,  张国清 ,  马会斌 ,  焦磊 ,  王冉 ,  王峰 ,  杜旭明 ,  李艳涛 ,  刘广华

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/40

Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法，属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计，其组成为：Ag 42.0％～48.0％，Ga 3.0％～5.0％，Ni 0.1％～2.0％，余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法，可制备出厚度20μm，宽度250mm的宽幅极薄带材，该制备方法简单，利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当，钎焊工艺性好，具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点，对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99％；焊缝抗拉强度σb≥150MPa；用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10‑11Pam3/s。

公开(公告)号：CN108149057A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711431543.9

申请日：2017-12-26

Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所

Inventor： 蔡正旭 ,  章明溪 ,  黄小凯 ,  金凯 ,  姚映君 ,  祁宇 ,  付晓玄 ,  王峰

IPC: C22C5/08 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明涉及一种AgCuNiV合金材料及其制备方法，属于粉末冶金技术领域。AgCuNiV合金材料的重量百分比组成为：Ag 66.5％-89.1％，Cu 9.5％-27.72％，Ni 0％-1.98％，V 1.0％-5.0％。通过制备AgCuNi合金粉，然后将AgCuNi合金粉和V粉混合后采用放电等离子烧结制备得到AgCuNiV合金材料。本发明解决了V很难加入到合金中并且在合金中产生宏观偏析，化学成分不均匀、表面有黑斑和气孔等问题。本发明采用放电等离子烧结技术制备AgCuNiV合金，组织细小均匀，无偏析，可以有效保证雷达电子器件中电接触材料的可靠性，获得成分均匀、表面无缺陷的电接触材料；同时制备工艺简单，生产流程短。

公开(公告)号：CN107855679A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711104843.6

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所

Inventor： 柳旭 ,  张国清 ,  马会斌 ,  焦磊 ,  王冉 ,  王峰 ,  杜旭明 ,  李艳涛 ,  刘广华

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/40

CPC classification number: B23K35/30 ,  B23K35/40

Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法，属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计，其组成为：Ag 42.0％～48.0％，Ga 3.0％～5.0％，Ni 0.1％～2.0％，余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法，可制备出厚度20μm，宽度250mm的宽幅极薄带材，该制备方法简单，利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当，钎焊工艺性好，具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点，对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99％；焊缝抗拉强度σb≥150MPa；用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10-11Pam3/s。

公开(公告)号：CN113322394B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110523285.7

申请日：2021-05-13

Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所

Inventor： 柳旭 ,  王炜 ,  张京叶 ,  陈怡兰 ,  王峰 ,  范树辉 ,  马天俊 ,  徐钊

IPC: C22C5/04 ,  C22F1/02 ,  C22F1/14 ,  B22D11/00 ,  C21D9/52 ,  C22C1/03 ,  H01L21/48 ,  H01L23/00 ,  B21B1/16 ,  B21B3/00 ,  B21C1/00 ,  B21C1/02 ,  B21C37/04

Abstract: 本发明涉及一种封装用高性能键合铂合金微细材及其制备方法，属于封装键合材料技术领域。该键合铂合金微细材各组分的重量百分比为：Ir：0％～60％，Ge：0％～5.0％，Be、Dy和Eu中的一种或几种，Be、Dy和Eu总含量为0.03％～0.1％，余量为Pt。其制备步骤包括制备中间合金、下引连续+定向凝固铸造合金化、粗拉+在线退火+精拉及精密轧制+在线电阻加热软化处理。该合金具有高纯化、超细化、高精化的优点，同时具有强度高、耐腐蚀性好、使用寿命长、满足极端恶劣环境使用需求等优点，适合特殊领域的封装键合需求，特别是满足芯片窄间距微型化、高可靠、高稳定性应用需求，对高端半导体器件的发展意义重大。

公开(公告)号：CN109590634B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201811329583.7

申请日：2018-11-08

Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所

Inventor： 蔡正旭 ,  焦磊 ,  王炜 ,  史秀梅 ,  金凯 ,  付晓玄 ,  王峰

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  B23K35/14

Abstract: 一种低Ti高强度银基中温活性钎料及其制备方法，钎料的组成为：Cu 20‑25wt％，Sn 15‑25wt％，Pd 1‑5wt％，Ti 1.0‑3.0wt％，Ag为余量。制备方法包括取各金属按照合金配比进行熔炼，然后进行高压气雾化、沉积成形，随后将成形的坯料进行热挤压处理，使合金致密化，然后对致密化的坯料进行轧制加工，最终获得AgCuSnPdTi合金片材。该方法制备的合金钎料成分均匀、无偏析，可以加工成片材，焊接温度较常规AgCuTi活性钎料低接近200℃，从而降低Si3N4陶瓷焊接接头残余热应力，提高Si3N4陶瓷焊接强度和可靠性。