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公开(公告)号：CN107297582B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201611244470.8
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: B23K35/26 , B23K35/362 , B23K35/40
Abstract: 本发明公开了一种免清洗铅基高温焊膏及其制备方法，属于混合集成电路技术领域。该焊膏按重量百分比，由85％～90％的钎料合金粉和10％～15％的钎剂组成；钎料合金粉的重量百分比组成为：Sn 15.5～16.5wt％，Sb 7.0～8.0wt％，Ag 0.8～1.2wt％，余量为Pb；钎剂的重量百分比的组成为：5％～10％的活性剂，5％～10％的成膏剂，20％～30％的润湿剂，5％～10％的触变剂和40％～65％的溶剂。通过钎料合金熔炼、钎料合金粉制备、钎剂制备和焊膏制备步骤得到。该焊膏熔化温度较高，对金属镀层具有良好润湿性，钎焊工艺性好，工作寿命长，适用于电子器件银镀层、金镀层、铜的软钎焊。
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公开(公告)号：CN109384474B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201811438469.8
申请日：2018-11-28
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: C04B41/88
Abstract: 一种陶瓷低温活性金属化用膏体、陶瓷金属化方法及依据该方法制备的真空电子器件。膏体的组成为：Mo粉3.0～5.0wt.％，粘结剂8.0～15.0wt.％和AgCuInTiLi合金粉为余量。其制备方法包括：制备陶瓷低温活性金属化用膏体，将膏体涂覆在陶瓷表面，烘干陶瓷除去粘结剂和真空烧结。陶瓷活性金属化处理后，可在表面生成厚度40μm～60μm的金属过渡层，可焊性得到改善，焊着率及焊接强度显著提高。该处理方法适用于氧化铝、氧化锆、氧化铍、氮化硼等多种陶瓷金属化，方法简单，操作流程短，成本低，利于批量生产。
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公开(公告)号：CN113322394A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110523285.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: C22C5/04 , C22F1/02 , C22F1/14 , B22D11/00 , C21D9/52 , C22C1/03 , H01L21/48 , H01L23/00 , B21B1/16 , B21B3/00 , B21C1/00 , B21C1/02 , B21C37/04
Abstract: 本发明涉及一种封装用高性能键合铂合金微细材及其制备方法，属于封装键合材料技术领域。该键合铂合金微细材各组分的重量百分比为：Ir：0％～60％，Ge：0％～5.0％，Be、Dy和Eu中的一种或几种，Be、Dy和Eu总含量为0.03％～0.1％，余量为Pt。其制备步骤包括制备中间合金、下引连续+定向凝固铸造合金化、粗拉+在线退火+精拉及精密轧制+在线电阻加热软化处理。该合金具有高纯化、超细化、高精化的优点，同时具有强度高、耐腐蚀性好、使用寿命长、满足极端恶劣环境使用需求等优点，适合特殊领域的封装键合需求，特别是满足芯片窄间距微型化、高可靠、高稳定性应用需求，对高端半导体器件的发展意义重大。
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公开(公告)号：CN108149057B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201711431543.9
申请日：2017-12-26
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种AgCuNiV合金材料及其制备方法，属于粉末冶金技术领域。AgCuNiV合金材料的重量百分比组成为：Ag 66.5％‑89.1％，Cu 9.5％‑27.72％，Ni 0％‑1.98％，V 1.0％‑5.0％。通过制备AgCuNi合金粉，然后将AgCuNi合金粉和V粉混合后采用放电等离子烧结制备得到AgCuNiV合金材料。本发明解决了V很难加入到合金中并且在合金中产生宏观偏析，化学成分不均匀、表面有黑斑和气孔等问题。本发明采用放电等离子烧结技术制备AgCuNiV合金，组织细小均匀，无偏析，可以有效保证雷达电子器件中电接触材料的可靠性，获得成分均匀、表面无缺陷的电接触材料；同时制备工艺简单，生产流程短。
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公开(公告)号：CN109590634A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811329583.7
申请日：2018-11-08
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
CPC classification number: B23K35/3006 , B23K35/0227 , B23K35/40
Abstract: 一种低Ti高强度银基中温活性钎料及其制备方法，钎料的组成为：Cu 20-25wt％，Sn 15-25wt％，Pd 1-5wt％，Ti 1.0-3.0wt％，Ag为余量。制备方法包括取各金属按照合金配比进行熔炼，然后进行高压气雾化、沉积成形，随后将成形的坯料进行热挤压处理，使合金致密化，然后对致密化的坯料进行轧制加工，最终获得AgCuSnPdTi合金片材。该方法制备的合金钎料成分均匀、无偏析，可以加工成片材，焊接温度较常规AgCuTi活性钎料低接近200℃，从而降低Si3N4陶瓷焊接接头残余热应力，提高Si3N4陶瓷焊接强度和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107297582A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201611244470.8
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: B23K35/26 , B23K35/362 , B23K35/40
Abstract: 本发明公开了一种免清洗铅基高温焊膏及其制备方法，属于混合集成电路技术领域。该焊膏按重量百分比，由85％～90％的钎料合金粉和10％～15％的钎剂组成；钎料合金粉的重量百分比组成为：Sn 15.5～16.5wt％，Sb 7.0～8.0wt％，Ag 0.8～1.2wt％，余量为Pb；钎剂的重量百分比的组成为：5％～10％的活性剂，5％～10％的成膏剂，20％～30％的润湿剂，5％～10％的触变剂和40％～65％的溶剂。通过钎料合金熔炼、钎料合金粉制备、钎剂制备和焊膏制备步骤得到。该焊膏熔化温度较高，对金属镀层具有良好润湿性，钎焊工艺性好，工作寿命长，适用于电子器件银镀层、金镀层、铜的软钎焊。
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公开(公告)号：CN114622111B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202011438774.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种搭铁接线材料及其制备和加工方法，属于航空航天、轨道交通等技术领域。该搭铁接线材料，按重量百分比其组成为Cu：59～60％，Pb：1.5～2.5％，Mn：1.0～4.0％，Ni：1～3％，Zn：余量。制备流程为：配料→中间合金制备→“中频电磁搅拌—连续铸造”→法制备合金→预处理→铸锭热处理→锻造→机加工→成品检验、包装、入库。该合金材料的布氏硬度＞120HB；晶粒度8.5级；抗拉强度＞200Mpa；延伸率＞5％；该合金材料易切削、有优良的传热、导电性能，耐蚀性能，良好的机械加工性能及适当的强度。可用作搭铁的接线材料，用于航空航天，轨道交通等工业领域，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN114622111A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011438774.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种搭铁接线材料及其制备和加工方法，属于航空航天、轨道交通等技术领域。该搭铁接线材料，按重量百分比其组成为Cu：59～60％，Pb：1.5～2.5％，Mn：1.0～4.0％，Ni：1～3％，Zn：余量。制备流程为：配料→中间合金制备→“中频电磁搅拌—连续铸造”→法制备合金→预处理→铸锭热处理→锻造→机加工→成品检验、包装、入库。该合金材料的布氏硬度＞120HB；晶粒度8.5级；抗拉强度＞200Mpa；延伸率＞5％；该合金材料易切削、有优良的传热、导电性能，耐蚀性能，良好的机械加工性能及适当的强度。可用作搭铁的接线材料，用于航空航天，轨道交通等工业领域，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN112609115A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011373358.0
申请日：2020-11-30
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种电子封装用金刚石/铜热沉材料及其制备方法，属于金属基复合材料技术领域。该热沉材料由改性金刚石、铜和添加元素组成，添加元素为银、锡或铟锡中的一种或多种，按照质量百分比计，改性金刚石的含量为30％‑60％，余量为铜和添加元素，添加元素的含量为铜含量的5％‑10％。其制备方法包括粉末混合、调膏及放电等离子烧结等步骤。本发明通过添加银、锡或铟锡合金等降熔元素，有效改善了金刚石/铜复合材料的界面结合，解决了金刚石改性后界面热阻增大的问题，同时避免了高温烧结过程中金刚石发生石墨化，提高和保证了金刚石/铜热沉材料的界面结合强度和导热性能。本发明方法具有操作简单、成本低的特点，适合规模化应用。
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公开(公告)号：CN109384474A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811438469.8
申请日：2018-11-28
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: C04B41/88
Abstract: 一种陶瓷低温活性金属化用膏体、陶瓷金属化方法及依据该方法制备的真空电子器件。膏体的组成为：Mo粉3.0～5.0wt.％，粘结剂8.0～15.0wt.％和AgCuInTiLi合金粉为余量。其制备方法包括：制备陶瓷低温活性金属化用膏体，将膏体涂覆在陶瓷表面，烘干陶瓷除去粘结剂和真空烧结。陶瓷活性金属化处理后，可在表面生成厚度40μm～60μm的金属过渡层，可焊性得到改善，焊着率及焊接强度显著提高。该处理方法适用于氧化铝、氧化锆、氧化铍、氮化硼等多种陶瓷金属化，方法简单，操作流程短，成本低，利于批量生产。
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