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公开(公告)号：CN108428763A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810348654.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本发明通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本发明通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。
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公开(公告)号：CN106637416A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611236161.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: C30B30/04 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B23/06 , C30B29/02 , H01L22/14 , H01L43/12 , C30B23/02 , G01R33/07 , G01R33/09
Abstract: 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下，样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长，及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。该装置主要由结构紧致的倒T型超高真空生长与表征腔体和具有较小室温腔的强磁体构成。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分，包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置；置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统，利用超高真空中分子束流自由程长的特点，使多束源能移出强磁场腔体。有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题，实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
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公开(公告)号：CN119170723A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411282739.6
申请日：2024-09-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本申请涉及深紫外LED技术领域，特别涉及一种深紫外LED复合周期性电极及其制备方法、深紫外LED。该制备方法包括以下步骤：准备芯片的外延片；对外延片的P型半导体空穴注入层的表面依次进行旋涂增粘液处理、旋涂光刻胶处理，而后进行烘烤处理；利用MLA光刻系统对外延片进行光刻处理，获得所需光刻图案，光刻图案呈等间距经纬分布，使其由若干矩形方格阵列式排布而成，矩形方格包括四条矩形边，且矩形边与矩形边的端部相交处采用圆点连接；将外延片进行I CP刻蚀后镀上导电电极材料，即得。本申请制得的深紫外LED复合周期性电极采用点线结合和复合有序的经纬排布设计，可使得正面深紫外光的透光效果显著提升，有利于获得高光提取效率的深紫外LED。
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公开(公告)号：CN111293134B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010081740.8
申请日：2020-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色Micro/Nano LED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明简化了三色Micro/Nano LED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。
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公开(公告)号：CN117452651A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311803175.1
申请日：2023-12-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种晶面结构观测仪及其观测方法，涉及教学器材技术领域，包括沿第二光线路径排列设置的激光器、第一光阑、第二光阑、第二显微物镜、样品、光屏和第二CCD相机，沿第一光线路径排列设置的光源组件、样品、第一显微物镜、第二光阑样品、半反半透镜和第一CCD相机。本发明公开的晶面结构观测仪可以直观地展现晶体结构与衍射图案的对应关系，实现了宏观的可见光衍射到微观电子衍射的知识过渡，从而方便教师课堂教学，帮助学生形成对晶体结构的直观印象，加深对晶体结构等知识的理解，且涉及固体物理、材料化学、光学、计算机等方面知识，综合教学意义突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108470793B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201810162471.0
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种紫外‑红外双波段集成p‑i‑n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p
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公开(公告)号：CN112331747A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011288517.7
申请日：2020-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种全色Micro/Nano LED阵列直接外延方法和结构，包括：1)在衬底外延生长缓冲层、非故意掺杂层以及n型层；2)在n型层上沉积第一介质层，在第一介质层上制作第一组微米或纳米孔阵列，在制成的第一组微米或纳米孔阵列内外延生长第一发光单元；3)制作第二介质层，并在该第二介质层上制作第二组微米或纳米孔阵列，在制成的第二组微米或纳米孔阵列内外延生长第二发光单元；4)制作第三介质层，并在该第三介质层上制作第三组微米或纳米孔阵列，在制成的第三组微米或纳米孔阵列内外延生长第三发光单元；5)使用化学溶液，将介质层腐蚀清除，露出发光单元。本发明避免了巨量转移的难题，可直接外延生长全色Micro/Nano LED阵列，具有巨大应用潜力。
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公开(公告)号：CN110165028B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910532879.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明的基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法，在MIS结构的紫外LED中引入银金属纳米颗粒以形成局域表面等离激元；所述MIS结构LED采用石墨烯膜作为导电层以增强电流扩展性，提高器件紫外光出射率；所述金属纳米颗粒设置于石墨烯层之上，利用局域表面等离激元增强效应，使出射光子与金属纳米颗粒之间发生共振耦合，从而提高器件的内量子效率，增强其发光强度。本发明提供的一种基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED，结构简单，制备简便，易于生产。
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公开(公告)号：CN108445570B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201810229079.3
申请日：2018-03-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，包括：由下至上依次层叠设置的平面衬底、超薄下金属反射镜、金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔、以及超薄上金属反射镜；所述金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔的折射率大于所述平面衬底的折射率；所述金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔包括法布里‑珀罗光学腔，以及嵌入腔中的金属纳米阵列；所述中的金属纳米阵列中的单颗粒呈周期性阵列排布。本发明提出一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，解决了当前表面等离极化激元波长选择器件不易集成、单一波长选择性的问题。
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公开(公告)号：CN106637416B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201611236161.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下，样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长，及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。该装置主要由结构紧致的倒T型超高真空生长与表征腔体和具有较小室温腔的强磁体构成。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分，包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置；置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统，利用超高真空中分子束流自由程长的特点，使多束源能移出强磁场腔体。有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题，实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
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