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公开(公告)号：CN109103151A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201711289178.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明实施例公开集成扇出式封装。一种集成扇出式封装包括第一芯片、重布线层结构、多个连接垫、多个虚设图案、多个微凸块、第二芯片、及底胶层。所述重布线层结构电连接到所述第一芯片。所述连接垫电连接到所述重布线层结构。所述虚设图案位于所述连接垫的一侧。所述微凸块电连接到所述连接垫。所述第二芯片电连接到所述微凸块。所述底胶层覆盖所述多个虚设图案并环绕所述微凸块。
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公开(公告)号：CN106653626A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610656036.4
申请日：2016-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/98 , B23K1/0016 , B23K1/0053 , B23K1/0056 , B23K1/012 , B23K1/018 , B23K1/203 , B23K3/029 , H01L24/75 , H01L24/799 , H01L24/81 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/7501 , H01L2224/75252 , H01L2224/75253 , H01L2224/8101 , H01L2224/81022 , H01L2224/81024 , H01L2924/014 , H01L2224/81914
Abstract: 再制工艺包括将第一接合头附接至第一半导体封装件。第一半导体封装件的接触焊盘通过焊料接点接合至第二半导体封装件的接触焊盘。再制工艺还包括实施第一局部加热工艺以熔化焊料接点，使用第一接合头去除第一半导体封装件，以及从第二半导体封装件的接触焊盘去除焊料的至少部分。本发明的实施例还涉及用于半导体封装件的再制工艺和工具设计。
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公开(公告)号：CN103779283A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310030492.4
申请日：2013-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了封装器件及其制造方法，以及用于半导体器件的封装方法。在一种实施方式中，一种封装器件包括具有集成电路管芯安装区域的衬底。底部填充材料流动阻止部件围绕所述集成电路管芯安装区域设置。本发明还公开了封装方法。
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公开(公告)号：CN119179144A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411209756.7
申请日：2024-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 提出了光学器件和制造方法，其中利用多层级连接件来向光学器件发送光信号并且从光学器件接收光信号。在实施例中，多层级连接单元从光学器件的外部接收光信号，其中，光信号最初位于多个层中。然后，多层级连接单元将光信号布线至单个层的光学组件中。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN118173645A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410178582.6
申请日：2024-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/02 , H01L31/0232
Abstract: 方法包括：将光子封装件连接至衬底，其中，光子封装件包括波导和光学耦合至波导的边缘耦合器；将半导体器件邻近光子封装件连接至衬底；在光子封装件的邻近边缘耦合器的第一侧壁上沉积第一保护材料；用密封剂密封光子封装件和半导体器件；穿过密封剂和衬底实施第一锯切工艺，其中，第一锯切工艺暴露第一保护材料；以及去除第一保护材料以暴露光子封装件的第一侧壁。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN117238799A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310959144.9
申请日：2023-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种装置接合设备。所述装置接合设备包括：第一工艺站，被配置成接收晶圆；第一接合头，被配置成将晶粒载送至晶圆，其中第一接合头包括第一刚性体及真空信道，所述真空信道位于第一刚性体中以用于提供将晶粒载送至晶圆的附着力；以及第二接合头，被配置成将晶粒压抵于晶圆上，第二接合头包括第二刚性体及弹性头，所述弹性头设置于第二刚性体之上以用于按压晶粒，弹性头具有中心部分及环绕中心部分的边缘部分，弹性头的中心部分具有第一厚度，弹性头的边缘部分具有第二厚度，第二厚度大于第一厚度。
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公开(公告)号：CN115472578A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210020914.9
申请日：2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/56
Abstract: 一种封装结构包括半导体管芯、第一绝缘包封体、多个第一导电特征、互连结构和凸块结构。半导体管芯包括由第一材料制成的多个导电柱。第一绝缘包封体包封半导体管芯。第一导电特征设置在半导体管芯上并且电连接到导电柱。第一导电特征至少包括不同于第一材料的第二材料。互连结构设置在第一导电特征上，其中互连结构包括由第二材料制成的多个连接结构。凸块结构将第一导电特征电连接到连接结构，其中凸块结构包括不同于第一材料和第二材料的第三材料。
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公开(公告)号：CN113035823A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011545070.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种封装结构，包含插入件、至少一个半导体管芯以及绝缘密封体。插入件包含半导体衬底和设置在半导体衬底上的内连线结构，内连线结构包含层间介电膜和嵌入于层间介电膜中的内连线布线，半导体衬底包含第一部分和设置在第一部分上的第二部分，内连线结构设置在第二部分上，且第一部分的第一最大横向尺寸大于第二部分的第二最大横向尺寸。至少一个半导体管芯设置在内连线结构上方且电连接到内连线结构。绝缘密封体设置在第一部分上，其中绝缘密封体横向地密封至少一个半导体管芯和第二部分。本发明可防止插入件晶片中的内连线结构的裂纹问题或碎裂问题。
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