公开(公告)号：CN111863631A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010330677.7

申请日：2020-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  叶宫辰 ,  黄怡婷 ,  林士庭 ,  卢思维

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种封装结构的形成方法，包括：形成基板通孔结构于基板之中；形成第一沟槽于基板之中；使用第一接合结构堆叠第一堆叠晶粒封装结构于基板之上，第一接合结构位于基板及第一堆叠晶粒封装结构之间，且空腔位于两邻近第一接合结构之间；形成底胶层于第一堆叠晶粒封装结构之上且于空腔之中，其中底胶层形成于第一沟槽的部分之中；以及形成封装层于底胶层之上。

公开(公告)号：CN103117250A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210195021.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  洪瑞斌 ,  陈志壕 ,  苏峻兴 ,  茅一超 ,  叶宫辰 ,  蔡宜霖 ,  洪樱姿 ,  高金福 ,  许仕逸 ,  张进传 ,  刘献文 ,  李隆华

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，该方法包括：对包括多个管芯的复合晶圆进行切割，其中，在进行切割步骤时所述复合晶圆接合在载具上。在切割步骤之后，将所述复合晶圆设置于胶带上。然后从所述复合晶圆和所述第一胶带上剥离所述载具。本发明还涉及用于载具剥离的方法。

公开(公告)号：CN104217997B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310710945.8

申请日：2013-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士庭 ,  叶宫辰 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/18 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/055 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1144 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L21/304 ,  H01L2224/11 ,  H01L2221/683 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例包括半导体器件和形成半导体器件的方法。一个实施例是形成半导体器件的方法，该方法包括：将管芯接合至第一衬底的顶面，管芯电连接至第一衬底；以及在第一衬底的顶面上形成支撑结构，支撑结构与管芯物理间隔开，支撑结构的顶面与管芯的顶面共面。该方法进一步包括对第一衬底实施锯切工艺，该锯切工艺锯切穿过支撑结构。本发明还公开了3D的封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN113035823A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011545070.7

申请日：2020-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶宫辰 ,  卢思维 ,  蔡宗甫 ,  施应庆

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种封装结构，包含插入件、至少一个半导体管芯以及绝缘密封体。插入件包含半导体衬底和设置在半导体衬底上的内连线结构，内连线结构包含层间介电膜和嵌入于层间介电膜中的内连线布线，半导体衬底包含第一部分和设置在第一部分上的第二部分，内连线结构设置在第二部分上，且第一部分的第一最大横向尺寸大于第二部分的第二最大横向尺寸。至少一个半导体管芯设置在内连线结构上方且电连接到内连线结构。绝缘密封体设置在第一部分上，其中绝缘密封体横向地密封至少一个半导体管芯和第二部分。本发明可防止插入件晶片中的内连线结构的裂纹问题或碎裂问题。

公开(公告)号：CN103117250B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210195021.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  洪瑞斌 ,  陈志壕 ,  苏峻兴 ,  茅一超 ,  叶宫辰 ,  蔡宜霖 ,  洪樱姿 ,  高金福 ,  许仕逸 ,  张进传 ,  刘献文 ,  李隆华

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，该方法包括：对包括多个管芯的复合晶圆进行切割，其中，在进行切割步骤时所述复合晶圆接合在载具上。在切割步骤之后，将所述复合晶圆设置于胶带上。然后从所述复合晶圆和所述第一胶带上剥离所述载具。本发明还涉及用于载具剥离的方法。

公开(公告)号：CN102867783B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110344851.4

申请日：2011-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  叶宫辰 ,  吴志伟 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L23/58 ,  H01L21/486 ,  H01L21/673 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于在晶圆插入件上实施切割管芯的方法和装置。公开了方法，包括：接收包括一个或多个集成电路管芯的插入组件，该一个或多个集成电路管芯被安装在插入衬底的管芯侧面上，并且具有限定在集成电路管芯之间的空间中的划线区域，该插入件具有用于接收外部连接件的相对侧面；将插入组件的管芯侧面安装在胶带组件上，胶带组件包括胶带和预成形隔离件，该预成形隔离件位于集成电路管芯之间并且填充集成电路管芯之间的间隙；通过在划线区域中切割插入件的相对侧面切割插入组件，从而使切口穿过插入件，这些切口将插入件分离为位于晶圆组件上的一个或多个管芯。公开了该方法使用的装置。

公开(公告)号：CN111354653B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201911337054.6

申请日：2019-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄松辉 ,  黄冠育 ,  侯上勇 ,  林于顺 ,  黄贺昌 ,  许书嘉 ,  李百渊 ,  叶宫辰

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488

Abstract: 本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。

公开(公告)号：CN111354653A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911337054.6

申请日：2019-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄松辉 ,  黄冠育 ,  侯上勇 ,  林于顺 ,  黄贺昌 ,  许书嘉 ,  李百渊 ,  叶宫辰

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488

Abstract: 本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。

公开(公告)号：CN104217997A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310710945.8

申请日：2013-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士庭 ,  叶宫辰 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/18 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/055 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1144 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L21/304 ,  H01L2224/11 ,  H01L2221/683 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例包括半导体器件和形成半导体器件的方法。一个实施例是形成半导体器件的方法，该方法包括：将管芯接合至第一衬底的顶面，管芯电连接至第一衬底；以及在第一衬底的顶面上形成支撑结构，支撑结构与管芯物理间隔开，支撑结构的顶面与管芯的顶面共面。该方法进一步包括对第一衬底实施锯切工艺，该锯切工艺锯切穿过支撑结构。本发明还公开了3D的封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN102867783A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110344851.4

申请日：2011-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  叶宫辰 ,  吴志伟 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L23/58 ,  H01L21/486 ,  H01L21/673 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于在晶圆插入件上实施切割管芯的方法和装置。公开了方法，包括：接收包括一个或多个集成电路管芯的插入组件，该一个或多个集成电路管芯被安装在插入衬底的管芯侧面上，并且具有限定在集成电路管芯之间的空间中的划线区域，该插入件具有用于接收外部连接件的相对侧面；将插入组件的管芯侧面安装在胶带组件上，胶带组件包括胶带和预成形隔离件，该预成形隔离件位于集成电路管芯之间并且填充集成电路管芯之间的间隙；通过在划线区域中切割插入件的相对侧面切割插入组件，从而使切口穿过插入件，这些切口将插入件分离为位于晶圆组件上的一个或多个管芯。公开了该方法使用的装置。