公开(公告)号：CN103579042A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210465015.6

申请日：2012-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信华 ,  刘丙寅 ,  林宏桦 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67092 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1189 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1972

Abstract: 本发明公开了将接合晶圆分离的系统及方法。在一个实施例中，一种将接合的晶圆分离的系统包括接合的晶圆的支撑件和向接合的晶圆施加剪切力的装置。该系统还包括向接合的晶圆施加真空的装置。

公开(公告)号：CN103474420A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210359518.5

申请日：2012-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08502 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN102237285A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010167364.0

申请日：2010-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  朱立晟 ,  林宏桦 ,  谢元智 ,  陈相甫 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄 ,  郑钧文

IPC: H01L21/50 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明提供一种晶片接合机，该晶片接合机用以接合两个以上的半导体晶片，包括一壳体、一主工艺腔室以及一第一腔室。前述主工艺腔室以及第一腔室设置于壳体内部，且主工艺腔室连接第一腔室，其中前述晶片于第一腔室内被气体吹净，且前述晶片于主工艺腔室内受一外力作用并相互接合。本发明借由在晶片接合机内部配置多个腔室，当欲执行不同的工艺步骤时，仅需通过机械手臂或输送系统将晶片移动至不同的腔室中进行即可，借此能大幅缩短工艺时间并提高晶片接合机每小时的晶片产出量。

公开(公告)号：CN104576637B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201410553385.4

申请日：2014-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 匡训冲 ,  朱彦璋 ,  萧清泰 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/10 ,  H01L24/18 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了3D集成电路及其形成方法。一种集成电路结构包括封装组件，该封装组件进一步包括具有第一孔隙率的非多孔介电层和位于该非多孔介电层上方并与该非多孔介电层接触的多孔介电层，其中多孔介电层的第二孔隙率高于第一孔隙率。接合焊盘穿透非多孔介电层和多孔介电层。介电势垒层位于多孔介电层上方并与多孔介电层接触。通过介电势垒层而暴露接合焊盘。介电势垒层具有平坦顶面。接合焊盘的平坦顶面高于介电势垒层的底面。

公开(公告)号：CN104051288B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201310485415.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  刘人诚 ,  陈晓萌 ,  黄信华 ,  林宏桦 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/187 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。

公开(公告)号：CN102452636B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201110283910.1

申请日：2011-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑创仁 ,  张仪贤 ,  张华伦 ,  陈庆叡 ,  朱立晟 ,  林宏桦 ,  谢元智 ,  赵兰璘

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0038

Abstract: 提供一种包括透明衬底的器件。不透明层被设置在透明衬底上。导电层被设置在不透明层上。不透明层和导电层形成处理层，该处理层可用于在制造工艺中检测和/或校准透明晶圆。在实施例中，导电层含有高掺杂硅层。在实施例中，不透明层含有金属。在实施例中，该器件可包括MEM器件。本发明还提供一种用于透明衬底的处理层。

公开(公告)号：CN104690641A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410053282.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴铭栋 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: B24B37/32

Abstract: 一种晶圆研磨系统，包括在一个端部具有吸持板的机械臂和在机械臂的范围内的工作台。工作台的上表面具有用于吸持和保持晶圆的真空表面。连接到机械臂的推动器在吸持板的外围延伸。推动器使晶圆在工作台的上表面上变平，从而允许工作台通过吸持力来保持晶圆，否则所述晶圆太弯曲以致于不能以这种方式来保持。此外，工作台可以具有相对于晶圆较小的真空区域，真空区域是增加可以容许的晶圆弯曲的幅度的另一种方式。研磨系统可以使用减小的真空区域概念以允许定位工作台保持弯曲的晶圆并且可以使用推动器概念允许卡盘工作台保持弯曲的晶圆。本发明还提供了用于弯曲晶圆的传送模块。

公开(公告)号：CN103531492A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210382930.9

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  林诗玮 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/74 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80136 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83889 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/15 ,  Y10T156/1744 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/67121 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10

Abstract: 本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。

公开(公告)号：CN103515401A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210553121.X

申请日：2012-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  王子睿 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469

Abstract: 一种背照式图像传感器包括位于第一衬底中的光电二极管以及第一晶体管，其中第一晶体管电连接至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括形成在第二衬底中的多个逻辑电路，其中第二衬底堆叠在第一衬底上并且逻辑电路通过多个接合焊盘连接至第一晶体管。本发明还提供了用于背照式图像传感器的装置和方法。

公开(公告)号：CN102530851A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110082943.X

申请日：2011-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  朱立晟 ,  林宏桦 ,  蔡尚颖 ,  谢元智 ,  彭荣辉 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄 ,  郑钧文

IPC: B81C3/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B32B7/12 ,  B32B15/043 ,  B32B15/20 ,  B32B2255/24 ,  B32B2307/746 ,  B32B2457/00 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/112 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12986

Abstract: 本发明公开了不含有抗粘附层的接合和接合方法。示例性的方法包括形成第一接合层；形成位于第一接合层上方的隔层；形成位于隔层上方的抗粘附层；以及从第一接合层和隔层形成液体，使得抗粘附层在所述第一接合层上方漂浮。当抗粘附层在第一接合层上方漂浮时可以将第二接合层接合到第一接合层，使得第一接合层和第二接合层之间的接合不包括抗粘附层。