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公开(公告)号：CN104103668B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201410144456.5
申请日：2014-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/10 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN104396019B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380032605.2
申请日：2013-06-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: TFT基板(100A)还具有：在基板(1)上形成的与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极连接层(3a)或与第一透明电极(2)由相同的导电膜形成的透明连接层(2a)；在绝缘层(4)上形成的包含至少1个导体区域(5a)的氧化物层(5z)；和在氧化物层(5z)上形成的与源极电极(6s)由相同的导电膜形成的源极连接层(6a)，源极连接层(6a)经由至少1个导体区域(5a)与栅极连接层(3a)或透明连接层(2a)电连接。
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公开(公告)号：CN104081507B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380007575.X
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8)；和在电介质层(8)上形成的第二透明电极(9)。第一透明电极(7)的上表面和下表面中的至少一个与具有将氧化物半导体层(5)所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(8a)接触。第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。(2)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导
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公开(公告)号：CN104094386A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007483.1
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , G02F1/136213 , G02F2001/134372 , G02F2201/40 , G02F2201/50 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L23/564 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L29/4908 , H01L29/78693
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8)；和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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公开(公告)号：CN103545318A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310302897.9
申请日：2013-07-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/77 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/201
Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。
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公开(公告)号：CN111886681A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201880091427.3
申请日：2018-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明的显示装置具备：基板、设置在基板上的第一晶体管、以不与第一晶体管重叠的方式设置在基板上的第二晶体管。第一晶体管具备：设置在基板上的多晶硅层、设置在多晶硅层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二绝缘膜。第二晶体管具备：设置在第一绝缘膜上的氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层上的第三绝缘膜、设置在第三绝缘膜上的第二栅电极。第一以及第三绝缘膜是SiOx膜。第二绝缘膜是含氢的SiNx膜，并且以与多晶硅层重叠的方式设置，并且以不与氧化物半导体层重叠的方式设置。
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公开(公告)号：CN103545318B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201310302897.9
申请日：2013-07-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/201
Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。
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公开(公告)号：CN105765729A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064634.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN104103668A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410144456.5
申请日：2014-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/10 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L23/3121 , H01L23/564 , H01L27/1248 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN104094409A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007460.0
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2201/40 , G02F2202/10 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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