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公开(公告)号：CN100370628C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN02822978.9
申请日：2002-11-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/101 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/02161 , H01L31/103 , H01L31/1035
Abstract: 一层第一P型扩散层(101)和一层P型半导体层(102)设置在一个硅衬底(100)上，并且两层N型扩散层(103、103)设置在该P型半导体层(102)的正面上，以便形成两个光接收装置。三层透光性膜、一层第一二氧化硅膜(105)、一层氮化硅膜(106)、以及一层第二二氧化硅膜(107)设置在N型扩散层(103、103)上以及两扩散层(103、103)之间的P型半导体层(102)上。在制造工艺期间产生且分散和俘获到三层透光性膜之间的两个界面中的空穴可将P型半导体层(102)表面附近的场强减小到传统水平之下，并减少了导电型的反转，以便因此减小光接收装置之间的漏泄电流。
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公开(公告)号：CN104465963B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410612834.8
申请日：2011-11-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/504 , A01G7/045 , H01L25/0753 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H05B33/12 , Y02P60/149 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的基板型LED光源(10)中设有：至少1个蓝光LED芯片(2)，该蓝光LED芯片(2)在波长400～480nm的范围内拥有发光峰，从而与叶绿素的蓝光域吸收峰相对应；红荧光体(7b)，该红荧光体(7b)通过吸收蓝光LED芯片(2)射出的激励光而发出发光峰落在波长620～700nm的范围内的光，从而与叶绿素的红光域吸收峰相对应；树脂层(7)，该树脂层(7)中分散有红荧光体(7b)，且包覆至少1个蓝光LED芯片(2)。
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公开(公告)号：CN103839934B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410049724.5
申请日：2011-06-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/60 , H01L33/56 , H01L33/48
CPC classification number: H05B33/22 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139
Abstract: 一种发光装置，具备表面上局部地形成有导电部件的单层结构的基板、以电连接于所述导电部件的方式直接搭载在基板表面上的多个发光元件、第一光反射树脂层、以包围可搭载所述多个发光元件的搭载区域的方式呈环状形成在基板表面上的第二光反射树脂层、以及，覆盖多个发光元件的封装树脂；形成在所述搭载区域的导电部件被所述第一光反射树脂层所覆盖，而形成在所述第二光反射层下方的导电部件，直接被所述第二光反射树脂层所覆盖，或者通过所述第一光反射树脂层被所述第二光反射树脂层所覆盖。由此，抑制光的吸收，从而能提供光取出率优异且可靠性高的发光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104465963A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410612834.8
申请日：2011-11-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/504 , A01G7/045 , H01L25/0753 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H05B33/12 , Y02P60/149 , H01L33/48 , H01L33/642 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的基板型LED光源(10)中设有：至少1个蓝光LED芯片(2)，该蓝光LED芯片(2)在波长400～480nm的范围内拥有发光峰，从而与叶绿素的蓝光域吸收峰相对应；红荧光体(7b)，该红荧光体(7b)通过吸收蓝光LED芯片(2)射出的激励光而发出发光峰落在波长620～700nm的范围内的光，从而与叶绿素的红光域吸收峰相对应；树脂层(7)，该树脂层(7)中分散有红荧光体(7b)，且包覆至少1个蓝光LED芯片(2)。
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公开(公告)号：CN103220902B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201180055432.7
申请日：2011-11-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/504 , A01G7/045 , H01L25/0753 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H05B33/12 , Y02P60/149 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的基板型LED光源(10)中设有：至少1个蓝光LED芯片(2)，该蓝光LED芯片(2)在波长400～480nm的范围内拥有发光峰，从而与叶绿素的蓝光域吸收峰相对应；红荧光体(7b)，该红荧光体(7b)通过吸收蓝光LED芯片(2)射出的激励光而发出发光峰落在波长620～700nm的范围内的光，从而与叶绿素的红光域吸收峰相对应；树脂层(7)，该树脂层(7)中分散有红荧光体(7b)，且包覆至少1个蓝光LED芯片(2)。
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公开(公告)号：CN102945917A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210450666.8
申请日：2008-11-18
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森冈达也
IPC: H01L33/54
CPC classification number: H01L33/56 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01019 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种发光元件。该发光元件的密封树脂部含有荧光体并包覆发光二极管芯片，在上述密封树脂部的表面的至少一部分形成光散射部。发光二极管芯片的光被光散射部散射，散射后返回至密封树脂部中的光激励荧光体而发出荧光。通过使得从发光二极管芯片向发光元件的外部发出的光的一部返回至密封树脂部中，并通过荧光体变换光的色度来调整发光元件的色度偏差。由此，可调整发光元件的色度偏差。
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公开(公告)号：CN101447544B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810181252.3
申请日：2008-11-18
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森冈达也
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L21/50
CPC classification number: H01L33/56 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01019 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种发光元件。该发光元件的密封树脂部含有荧光体并包覆发光二极管芯片，在上述密封树脂部的表面的至少一部分形成光散射部。发光二极管芯片的光被光散射部散射，散射后返回至密封树脂部中的光激励荧光体而发出荧光。通过使得从发光二极管芯片向发光元件的外部发出的光的一部返回至密封树脂部中，并通过荧光体变换光的色度来调整发光元件的色度偏差。由此，可调整发光元件的色度偏差。
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公开(公告)号：CN1589503A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02822978.9
申请日：2002-11-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/101 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/02161 , H01L31/103 , H01L31/1035
Abstract: 一层第一P型扩散层(101)和一层P型半导体层(102)设置在一个硅衬底(100)上，并且两层N型扩散层(103、103)设置在该P型半导体层(102)的正面上，以便形成两个光接收装置。三层透光性膜、一层第一二氧化硅膜(105)、一层氮化硅膜(106)、以及一层第二二氧化硅膜(107)设置在N型扩散层(103、103)上以及两扩散层(103、103)之间的P型半导体层(102)上。在制造工艺期间产生且分散和俘获到三层透光性膜之间的两个界面中的空穴可将P型半导体层(102)表面附近的场强减小到传统水平之下，并减少了导电型的反转，以便因此减小光接收装置之间的漏泄电流。
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