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公开(公告)号：CN101465400A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810109931.X
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN100397670C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610100207.1
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；和形成在所述衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；其中，所述p型半导体层设置在所述n型半导体层上，且平面为矩形形状；所述p型半导体层的平面矩形的对角线上的角部、存在露出所述n型半导体层的n型半导体的露出部分；在所述n型半导体层的露出部分中设置有第一电极，以及在所述p型半导体层中设置有透光性的第二电极。
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公开(公告)号：CN1964094A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610163962.4
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1292458C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200310118286.5
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34 , H01S5/00
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工序：在具有主面，且含有用与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成氮化物半导体层的工序；在该氮化物半导体层上，形成具有与支持体表面平行的底面的多个凹部的工序；在该氮化物半导体层的顶面上选择性地形成第1生长控制掩模，并使该氮化物半导体层从该凹部的侧面和底面选择性地露出来的工序；以及用气态的3族元素源和气态的氮元素源，使氮化物半导体从该氮化物半导体层的露出面生长的工序。
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公开(公告)号：CN1832213A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610004484.2
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1525578A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410003720.X
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/343 , H01L31/0264
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN1516238A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310118286.5
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34 , H01S5/00
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工序：在具有主面，且含有用与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成氮化物半导体层的工序；在该氮化物半导体层上，形成具有与支持体表面平行的底面的多个凹部的工序；在该氮化物半导体层的顶面上选择性地形成第1生长控制掩模，并使该氮化物半导体层从该凹部的侧面选择性地露出来的工序；以及用气态的3族元素源和气态的氮元素源，使氮化物半导体从该氮化物半导体层的露出面生长的工序。
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公开(公告)号：CN1142598C
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN98807519.9
申请日：1998-07-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/0421
Abstract: 本发明揭示一种氮化物半导体元器件，在用来作为LD和LED元件的氮化物半导体元器件中，为了提高输出，同时降低Vf，将N电极所形成的n型导电层作成以非掺杂氮化物半导体层夹住掺杂n型杂质的氮化物半导体层的三层层叠结构或氮化物超格子结构，n型导电层具有超过3×1018/cm3的载流子浓度，可降低电阻到不满8×10-3Ωcm。
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公开(公告)号：CN1426119A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02142888.3
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN1213863A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98118311.5
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法,所述半导体器件具有衬底、在该衬底上形成的包含n型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层和p型氮化镓Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的叠层结层,以及连接n型半导体层的第1电极和连接p型半导体层的第2电极。
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