公开(公告)号：CN103635858B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201280033067.4

申请日：2012-07-05

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 新城彻也 ,  染谷安信 ,  桥本圭祐 ,  柄泽凉

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08F26/12 ,  C08F226/06 ,  C08G61/124 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3325 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的课题是提供n值高，k值低，在与含有硅的中间层组合使用的3层工艺中可以有效地降低波长193nm的光从基板反射的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法是一种在光刻工序中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含由稠杂环化合物与二环化合物的反应物形成的单元结构。稠杂环化合物为咔唑或取代咔唑。二环化合物为二聚环戊二烯、取代二聚环戊二烯、四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳－3,8－二烯、或取代四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳－3,8－二烯。

公开(公告)号：CN102803324A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080027274.X

申请日：2010-06-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  奥山博明 ,  武藏秀树 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐

IPC: C08G16/02 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08G12/26 ,  C08G16/02 ,  C08G61/12 ,  C08G73/0273 ,  C08G73/0672 ,  C08G2261/344 ,  C08L61/26 ,  C08L79/02 ,  C08L79/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题在于提供用于半导体器件的制造的光刻工序的具有耐热性的抗蚀剂下层膜和电子构件中使用的具有透明性的高折射率膜。本发明提供了一种聚合物，其含有下式(1)所示的结构单元，式(1)式(1)中，R1、R2、R3和R5分别表示氢原子，R4表示苯基或萘基。还提供含有上述聚合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，以及由其形成的抗蚀剂下层膜。还提供含有上述聚合物的形成高折射率膜的组合物和由其形成的高折射率膜。

公开(公告)号：CN101048705A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580037032.8

申请日：2005-10-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76808 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: 本发明的课题在于提供，在制造半导体器件的光刻工艺中使用的，具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，用于形成在半导体基板上的孔填充性优异的下层膜的形成光刻用下层膜组合物。本发明的形成光刻用下层膜的组合物，含有环糊精的羟基总数的10％～90％变为醚基或酯基的环糊精化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。

公开(公告)号：CN103229104B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201180057083.2

申请日：2011-12-05

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 新城彻也 ,  奥山博明 ,  桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  柄泽凉 ,  加藤雅一

IPC: G03F7/11

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C09D139/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题是提供用于半导体装置制造的光刻工艺的具备耐热性的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构，所述聚合物以摩尔比计为3～97：97～3的比例包含式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上通过形成抗蚀剂下层膜的组合物来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；然后在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射与显影来形成图案化了的抗蚀剂膜的工序；按照图案化了的抗蚀剂膜对硬掩模进行蚀刻的工序；按照图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及按照图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

公开(公告)号：CN105324719A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035408.0

申请日：2014-06-23

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 新城彻也 ,  染谷安信 ,  柄泽凉 ,  西卷裕和 ,  远藤贵文 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  C08G16/02 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  C08G16/0268 ,  C09D161/00 ,  C09D161/26 ,  C09D179/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081

Abstract: 本发明的课题是可以提供具有与抗蚀剂接近的干蚀刻速度的选择比、比抗蚀剂小的干蚀刻速度的选择比、比半导体基板小的干蚀刻速度的选择比的优异的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：包含下述式(1)的单元结构的聚合物，(式(1)中，R3为氢原子、或可以被卤基、硝基、氨基、羰基、碳原子数6～40的芳基或羟基取代的碳原子数6～40的芳基、或杂环基，R4为氢原子、或可以被卤基、硝基、氨基或羟基取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、或杂环基，R3和R4可以与它们所结合的碳原子一起形成环。n表示0～2的整数。)。式(1)的R3为苯环、萘环、蒽环或芘环，R4为氢原子。

公开(公告)号：CN104541205A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380042336.8

申请日：2013-08-13

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D161/12 ,  C07C39/15 ,  C08G8/02 ,  C08G8/04 ,  C09D161/04 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有高干蚀刻耐性和高耐扭曲性，相对于高度差和凹凸部表现出良好的平坦化性和填埋性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过使以下化合物与芳香族醛或芳香族酮在酸性催化剂的存在下进行反应而得的苯酚酚醛清漆树脂，所述化合物具有与叔碳原子或季碳原子结合的苯酚基至少3个，所述季碳原子上结合有甲基。苯酚酚醛清漆树脂含有下述式(1)、式(2)、式(3)或式(4)的结构单元、或这些结构单元的组合。

公开(公告)号：CN104508558A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040983.5

申请日：2013-08-05

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G8/04 ,  C09D161/12 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，[式中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基，R4表示氢原子、苯基或萘基，在式(1b)中2个R3所表示的基团和2个R4所表示的原子或基团可以彼此不同，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，n、n1和n2表示2～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立地表示结构单元。]。

公开(公告)号：CN101107569B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200680002801.5

申请日：2006-01-06

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐 ,  境田康志

IPC: G03F7/11 ,  C08F20/28 ,  C08F20/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08F220/28 ,  C08F220/32 ,  G03F7/094

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合、可以使具有纵横比很大的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的形成光刻用下层膜的组合物。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有：具有2个以上的被保护的羧基的化合物、具有2个以上的环氧基的化合物、和溶剂。

公开(公告)号：CN101048705B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200580037032.8

申请日：2005-10-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76808 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: 本发明的课题在于提供，在制造半导体器件的光刻工艺中使用的，具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，用于形成在半导体基板上的孔填充性优异的下层膜的形成光刻用下层膜组合物。本发明的形成光刻用下层膜的组合物，含有环糊精的羟基总数的10％～90％变为醚基或酯基的环糊精化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。

公开(公告)号：CN101523291A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037165.4

申请日：2007-10-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 堀口有亮 ,  竹井敏 ,  新城彻也

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  C08F220/10 ,  H01L21/027 ,  C08F220/26

CPC classification number: G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明的课题是提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明解决问题的方法是，一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序。上述聚合物是构成聚合物的主链或与主链结合的侧链具有苯环、杂环的聚合物。聚合物中苯环的含量为30～70质量％。聚合物是含有内酯结构的聚合物。