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公开(公告)号：CN101897024B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880120121.2
申请日：2008-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成于第一通孔(4)的第一充填部(5)；由与第一配线(3)正交且依次层叠有第一电阻变化元件的电阻变化层(6)、导电层(7)、第二电阻变化元件的电阻变化层(8)的多层而构成的第二配线(11)；埋入形成于第二通孔(13)的第二充填部(14)；和第三配线(15)，第二配线(11)的导电层(7)起到第一电阻变化元件(9)的电极的作用和第二电阻变化元件(10)的电极的作用。
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公开(公告)号：CN102099863A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201080001956.3
申请日：2010-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种能够使电阻变化元件的动作窗口最大化的电阻变化元件的适当的写入方法。该写入方法是对根据被施加的电压脉冲的极性而可逆地转变为高电阻状态和低电阻状态的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，包括准备步骤(S50)和写入步骤(S51、S51a、S51b)；在准备步骤(S50)中，通过一边对电阻变化元件施加电压逐渐变大的电压脉冲一边测量电阻变化元件的电阻值，决定高电阻化开始的第1电压V1以及电阻值为最大的第2电压V2；在高电阻化步骤(S51a)中，通过对电阻变化元件施加具有第1电压V1以上且第2电压V2以下的电压Vp的电压脉冲，使电阻变化元件从低电阻状态(S52)转变为高电阻状态(S53)。
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公开(公告)号：CN101548336A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000996.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型非易失性存储装置。在沿X方向延伸的位线(BL)和沿Y方向延伸的字线(WL)之间的交点位置上形成有存储单元(MC)。分别为每个位线组构成的且共用字线(WL)的多个基本阵列面排列在Y方向上，该位线组由在Z方向上排列的位线(BL)组成。在各个基本阵列面中，偶数层位线以及奇数层位线各自共同连接起来，选择开关元件(101～104)控制共同连接起来的偶数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换，选择开关元件(111～114)控制共同连接起来的奇数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换。
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公开(公告)号：CN1291415C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN03104214.7
申请日：2003-01-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 东亮太郎
CPC classification number: G11C5/145
Abstract: 本发明的半导体存储装置是一种具有存储阵列的半导体存储装置，包括：具有读出放大器和数据锁存储器的读出装置；升压泵；差动放大器，当内部数据选通信号有效时被启动；第1电压检测器，控制升压泵的升压，当内部数据选通信号有效时被启动；第2电压检测器，响应基准电压而输出检测信号，当内部数据选通信号有效时被启动；和读出脉冲发生器，输出读出脉冲信号来控制读出装置，响应检测信号的激活而被激活，并在检出后经过给定时间时被去激活。根据该结构，半导体存储装置的用于给存储单元提供电压的升压期间缩短至必要的最小限度使之与读出动作的期间相吻合，所以与将升压期间徒劳地设定得较长相比，降低了电流消费。
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公开(公告)号：CN103339682B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201280007370.7
申请日：2012-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/00 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0038
Abstract: 读出放大器电路(7)具有潜行电流补偿用负载电流供给部(8)，对由列选择电路(6)所选择的位线(4)选择性地切换电流量不同的负载电流并供给，在流入列选择电路(6)所选择的位线(4)的电流量比标准电流量多的情况下，输出‘L’电平，在比标准电流量少的情况下，输出‘H’电平。控制电路(18)在选择了规定的存储器单元(2)的状态下，在对规定的存储器单元(2)施加成形之前，按照如下方式控制写入电路(15)：将负载电流的电流量调整为使读出放大器电路(7)的输出为‘H’电平的规定的电流量之后，供给规定的电流量的负载电流，并且对规定的存储器单元(2)施加成形脉冲直到读出放大器电路(7)的输出变为‘L’电平为止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103222004B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201280003594.0
申请日：2012-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C2013/0073 , G11C2013/0088
Abstract: 本发明提供一种能够削减流过非选择存储单元的漏电流、并能够削减写入的消耗电流的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。在由共有字线的第一存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的一部分）、和第二存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的其他的一部分、或补偿单元部（252））所构成的存储单元阵列中，在对第一存储单元组的规定的存储单元进行写入第一电阻状态的情况下，字线用写入电路（1502）对选择字线供给第一电压或第一电流，并且第一位线用写入电路（1503）对第一存储单元组的一个位线供给第三电压或第三电流的同时，第二位线用写入电路（1504）对第二存储单元组的A个位线供给第三电压或第三电流。
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公开(公告)号：CN102834872B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201180017639.5
申请日：2011-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/00 , G11C13/003 , G11C29/50008 , G11C2213/15
Abstract: 本发明提供一种能够检测使用了电流控制元件的存储单元阵列的故障存储单元的电阻变化型非易失性存储装置的检查方法及电阻变化型非易失性存储装置。具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）和读出电路（206）的电阻变化型非易失性存储装置（200）的检查方法，包括以下步骤：当基于第2电压读出存储单元的电阻状态时，若电阻变化元件（R11）是低电阻状态且电流控制元件（D11）中流过规定值以上的电流，则判定为电流控制元件（D11）具有短路异常的步骤；当基于第1电压读出存储单元的电阻状态时，判定电阻变化元件（R11）的状态是低电阻状态还是高电阻状态的步骤。
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公开(公告)号：CN102119424B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080002012.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置(100)具备串联连接电阻变化元件(R11、R12、…)和存储单元(M11、M12、…)的存储单元(M11、M12、…)，电阻变化元件(R11、R12、…)由介于第1电极和上述第2电极之间并设置成与两电极相接的电阻变化层构成，存储单元(M11、M12、…)由介于第3电极和上述第4电极之间并设置成与两电极相接的电流控制层构成的电流控制元件(D11、D12、…)而构成，在将电阻变化元件低电阻化时经由电流限制电路(105b)由第1LR化驱动电路(105a1)驱动，在高电阻化时由第2HR化驱动电路(105a2)驱动，通过电流限制电路(105b)，将电阻变化元件低电阻化时的电流设为小于高电阻化时的电流。
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公开(公告)号：CN102918600A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201280001064.2
申请日：2012-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储装置（100）具备配置在多个第一信号线与多个第二信号线之间的交叉点上的多个存储单元（10），多个存储单元（10）分别包括电阻变化元件（1）以及与电阻变化元件（1）串联连接的电流控制元件（2），电阻变化型非易失性存储装置（100）具备写入电路（105）、行选择电路（103）及列选择电路（104），写入电路（105）按以下顺序依次选择块（120），并对所选择的块（120）中包含的多个存储单元（10）进行初始击穿，该顺序为：从配置在与行选择电路（103）及列选择电路（104）中的一方电路远的位置上的块（120）向配置在与上述一方电路近的位置上的块（120）的顺序。
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公开(公告)号：CN102884584A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201280001056.8
申请日：2012-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/21 , G11C8/08 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C2213/15 , G11C2213/71
Abstract: 一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置，具备：在多个位线与多个字线的交点位置上形成的交叉点型的存储单元阵列（200）、从存储单元阵列（200）选择至少一个存储单元（51）的字线解码器电路（103）、从所选择的存储单元读取数据的读取电路（106）、供给第1定电流的非选择字线用电流源（199）、以及对来自所选择的存储单元的数据的读取进行控制的控制电路（109），控制电路（109）在读取电路（106）进行数据读取时，以向非选择字线供给第1定电流的方式，对字线解码器电路（103）、读取电路（106）及非选择字线用电流源（199）进行控制。
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