公开(公告)号：CN1533609A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN02808393.8

申请日：2002-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  高木刚 ,  原义博 ,  久保实

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/783 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/802

Abstract: 一种半导体装置，倾斜SiGe－HDTMOS的半导体层(30)，由上部Si膜(12)、Si缓冲层(13)、Si1－xGex膜(14)以及Si罩层(15)所构成。在半导体层(30)中的源区域(20a)和漏区域(20b)之间的区域设置高浓度的n型本体区域(22)、n－－Si区域(23)、Si罩区域(25)、SiGe沟道区域(24)。Si1－xGex膜(14)的Ge组成比x，成为从Si缓冲层(13)向Si罩层(15)增大的组成。在p型HDTMOS中，可以减少衬底电流中的电子电流成分。

公开(公告)号：CN1158692C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN99801585.7

申请日：1999-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥 ,  久保实 ,  斋藤彻 ,  高木刚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B29/06 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 晶体生长装置由真空容器(10)、加热灯(12)、对加热灯(12)进行控制的灯控制器(13)、气体通入口(14)、调节气体流量的流量调节器(15)、测量衬底温度的高温计(19)、将乙硅烷等气体供到真空容器(10)的供气单元(30)组成。椭圆偏振光谱测量装置由光源(20)、起偏器(21)、调制器(22)、分析器(24)、分光仪/检测单元(25)以及计算Ψ、Δ的分析控制装置(26)组成。在去除衬底上的化学氧化膜时，通过现场椭圆偏振光谱测量，来识别氧化膜覆盖衬底面的phase 1和衬底的一部分已经露出来的phase 2，从而向各phase适当地提供和停供气体。

公开(公告)号：CN1365522A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01800687.6

申请日：2001-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  久保实

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/161 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/265

Abstract: 在Si衬底101上,利用UHV－CVD法,使B掺杂Si1－x－yGexCy层102(0

公开(公告)号：CN1312778C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02808393.8

申请日：2002-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  高木刚 ,  原义博 ,  久保实

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/783 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/802

Abstract: 一种半导体装置，倾斜SiGe-HDTMOS的半导体层(30)，由上部Si膜(12)、Si缓冲层(13)、Si1-xGex膜(14)以及Si罩层(15)所构成。在半导体层(30)中的源区域(20a)和漏区域(20b)之间的区域设置高浓度的n型本体区域(22)、n-Si区域(23)、Si罩区域(25)、SiGe沟道区域(24)。Si1-xGex膜(14)的Ge组成比x，成为从Si缓冲层(13)向Si罩层(15)增大的组成。在p型HDTMOS中，可以减少衬底电流中的电子电流成分。

公开(公告)号：CN1180483C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN01800687.6

申请日：2001-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  久保实

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/161 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/265

Abstract: 在Si衬底101上，利用UHV-CVD法，使B掺杂Si1-x-yGexCy层102(0＜x＜1，0.01≤y＜1)外延成长。此时，作为杂质(掺杂物)的硼(B)的原料气体采用B2H6来进行现场掺杂。然后，对Si1-x-yGexCy层102实施热处理，作为B掺杂Si1-x-yGexCy结晶层103。希望把热处理温度设定在700℃～1020℃的范围内，而且，最好把热处理温度设定在900℃～1000℃的范围内。

公开(公告)号：CN1169195C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN01801731.2

申请日：2001-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  神泽好彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种结构评价方法、半导体装置的制造方法和记录媒体，是在设定工艺条件的初始推定值并利用工艺模拟器进行半导体器件的要素的结构的推定之后，计算物理量测定值的预想值。并且，将通过光学的评价方法得到的半导体器件的要素的物理量的实测值与理论计算值相互进行比较，利用例如急速下降法等，求出测定的半导体器件的要素的更正确的结构。利用该结果可以修改其他半导体器件的要素的工艺的工艺条件。

公开(公告)号：CN1159768C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN00130023.7

申请日：2000-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 幸康一郎 ,  久保实

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/735 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/737

Abstract: 一种横型异质结双极三极管及其制造方法是由积层Si基板、BOX层以及半导体层形成所谓的SOI构造。然后，在半导体层中，具有由硅构成的集电极、围绕集电极的SiGeC/Si层、n型多晶硅构成的发射极和外部基极层。内部基极层由Si1-x-yGexCy层构成。利用异质结构造，可以将内部基极层低阻抗化，并且可以抑制通过外延生长形成由Si1-x-yGexCy层构成内部基极层中的杂质的扩散。该二极管具有寄生电容和寄生阻抗小、可以将内部基极层低阻抗化。

公开(公告)号：CN1364309A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01800521.7

申请日：2001-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  斋藤彻 ,  久保实

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165

Abstract: 对沉积了SeGeC晶体层8的Si衬底1进行热退火处理,从而在硅衬底1上形成退火SiGeC晶体层10,该退火SiGeC晶体层10由被晶格驰豫、且几乎没有位错的矩阵SiGeC晶体层7和分散在矩阵SeGeC晶体层7中的SiC微晶体6构成。然后,在退火SeGeC晶体层10上沉积Si晶体层,而形成很少有位错的应变Si晶体层4。

公开(公告)号：CN1260595A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN00100291.0

申请日：2000-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 幸康一郎 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  大仲清司 ,  浅井明 ,  片山幸治

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i－Si1－yGey层119(0