公开(公告)号：CN100349341C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200480007918.3

申请日：2004-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。

公开(公告)号：CN100345306C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN00811192.8

申请日：2000-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  上野山雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/0455 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种MISFET半导体装置，它在P型SiC衬底上设有P型有源区(12)、n型源区(13a)及漏区(13b)、由热氧化膜组成的栅绝缘膜(14)、栅电极(15)、源电极(16a)及漏电极(16b)。有源区(12)由薄到能产生量子效应的高浓度P型掺杂层(12a)和厚的未掺杂层(12b)交互叠层形成。载流子渡越时，由于有源区杂质离子散射降低，沟道迁移率提高，在断开状态下由于有源区全体的耗尽层化耐压性提高。还有，由于被俘获在栅绝缘膜中及栅绝缘膜—有源区间的界面附近的电荷减少、沟道迁移率进一步提高。

公开(公告)号：CN1639934A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03805468.X

申请日：2003-03-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种半导体激光器，在基板(11)上顺序层叠n型半导体层(13)、活性层(101)和p型半导体层(24)，所述活性层(101)包含由InGaN所构成的阱层，在活性层(101)和p型半导体层(24)之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层(21)。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。

公开(公告)号：CN1181561C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN00807221.3

申请日：2000-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  高桥邦方 ,  楠本修 ,  北畠真 ,  上野山雄

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/155 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 在SiC、GaN、GaAs等的衬底3上，交互、叠层生长厚度50nm左右的未掺杂层22和厚度薄到能发挥量子效应程度(例如10nm左右)的n型掺杂层23、形成有源区30。因n型掺杂层23的量子效应产生的次能级使载流子能分布到未掺杂层22上，由于在杂质少的未掺杂层22中杂质散射减少，能够得到高的载流子迁移率，与此同时，当有源区全体耗尽化时，利用载流子从有源区30消失的现象，因未掺杂层22能够得到大的耐压值。

公开(公告)号：CN1545634A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN03800880.7

申请日：2003-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚信之 ,  吉井重雄 ,  鬼头雅弘 ,  横川俊哉

IPC: G02F1/015

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02F1/015 ,  G02F1/017 ,  G02F2202/32 ,  G02F2203/02 ,  G02F2203/10

Abstract: 本发明的调制器包括：第一导电型的第一半导体层(33)；与第一半导体层连接的第二导电型的第二半导体层(31)；第二导电型的第三半导体层(46)；在第二半导体层和第三半导体层之间形成的电介质层(111)；在电介质层中的具有多个导体片的天线电极(32)，该多个导体片整体形成网状，并在该网状的交点配置成相互分离且与第二半导体层和第三半导体层两者成接触状态；电连接所述第一半导体层的第一电极(8)；和电连接第三半导体层的第二电极(7)。

公开(公告)号：CN1414605A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02148065.6

申请日：2002-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  横川俊哉 ,  楠本修 ,  山下贤哉 ,  宫永良子

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L29/365 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种具有平坦界面和上表面的半导体薄膜的生长方法和具有优异特性的半导体元件。该方法是在纵向薄膜生长装置内设置对上表面进行了平坦化处理的SiC主体衬底(11)，在惰性气体环境中加热。接着，在衬底温度1200℃～1600℃之间，供给流量1mL/min的原料气体。接着，在1600℃的温度下，把稀释气体变为氢气，供给Si和碳的原料气体，和间歇地供给氮，据此在SiC主体衬底(11)之上层叠SiC薄膜。这样，能形成上表面以及内部的界面的台阶高度的平均值被平坦化为30nm以下的δ掺杂层的层叠结构，所以使用它，能实现耐压高、移动度大的半导体元件。

公开(公告)号：CN101971364B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200980101726.1

申请日：2009-06-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  加藤亮

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/16 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法。氮化物类半导体发光元件(100)具备：以m面(12)作为表面的GaN类基板(10)、在GaN类基板(10)的m面(12)之上形成的半导体层叠构造(20)、和在半导体层叠构造(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN102007611B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201080001393.8

申请日：2010-03-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大屋满明 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  矶崎瑛宏

IPC: H01L33/40 ,  H01L21/28 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)和形成在Zn层(32)之上的金属层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN102792471A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011458.1

申请日：2011-03-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩永顺子 ,  横川俊哉 ,  山田笃志

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光二极管元件，具有：n型导电层（2），具有第1区域（2a）、第2区域（2b）及背面（2c）；设于n型导电层（2）的第1区域（2a）的活性层（3）以及p型导电层（4）；p型电极（5），设于p型导电层（4）的主面上；绝缘膜（15），设于通孔（8）的内壁，该通孔贯通n型导电层（2），并在n型导电层（2）的第2区域（2b）及背面（2c）具有开口；导电体部（9），在所述通孔（8）的内部设于绝缘膜（15）的表面；n型表面电极（6），设于第2区域（2b），并与导电体部（9）相接；以及n型背面电极（7），设于n型导电层（2）的背面（2c），并与导电体部（9）相接。

公开(公告)号：CN102754226A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180008915.1

申请日：2011-04-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  加藤亮 ,  安杖尚美

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法，该氮化物系半导体元件具备生长面为m面的p型AldGaeN层(25)、在p型AldGaeN层(25)上设置的电极(30)，AldGaeN层(25)具有由厚度26nm以上60nm以下的AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y＞0，z≥0)半导体形成的p-AldGaeN接触层(26)，p-AldGaeN接触层(26)具有含有4×1019cm-3以上2×1020cm-3以下的Mg的主体区域(26A)、和与电极(30)相接并具有1×1021cm-3以上的Mg浓度的高浓度区域(26B)。