公开(公告)号：CN1317772C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200410059271.0

申请日：2004-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒井将史 ,  海本博之 ,  赤松香

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及具备高速工作的MISFET的半导体器件及其制造方法。半导体器件具备由在nMISFET的源·漏区(3a、4a)上形成的氮化硅膜构成的第1种内部应力膜(8a)和由在pMISFET的源·漏区(3b、4b)上形成的TEOS膜构成的第2种内部应力膜(8b)。利用第1种内部应力膜(8a)在nMISFET的沟道区中在电子的移动方向上产生拉伸应力，以提高电子的迁移率。利用第2种内部应力膜(8b)在pMISFET的沟道区中在空穴的移动方向上产生压缩应力，以提高空穴的迁移率。

公开(公告)号：CN1310288C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200310100708.6

申请日：2003-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 半田崇登 ,  海本博之

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种可以更精细化的半导体装置的制造方法。具有在硅基板(1)之中露出p型区域(2)的开口部并形成由BPSG膜等构成的硬掩膜(21a)。然后，通过进行采用乙醇气体的各向同性喷溅蚀刻将硬掩膜(21a)的角部变圆，形成具有锥体形状的注入硬掩膜(21)。通过将注入硬掩膜(21)作为掩膜进行N型杂质的倾斜离子注入，形成LDD结构的n-层(13)。然后，除去注入硬掩膜(21)。由此，采用比以往的膜厚更薄的注入掩膜进行倾斜离子注入。

公开(公告)号：CN1314102C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200410076847.4

申请日：2004-09-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 半田崇登 ,  海本博之 ,  上田哲也

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，具备设在基板(10)上的下层层间绝缘膜(11)、由沿着下层层间绝缘膜(11)的下层布线槽(13)的壁面形成的下层阻挡金属层(14)以及铜膜(15)构成的下层布线(16)、上层插头(22a)以及上层布线(22b)。上层插头(22a)贯通硅氮化膜(24)和下层布线(16)的铜膜(15)接触。下层布线(16)中设有埋入下层布线槽(13)的凹部(13a)中的多个凸部(16a)。由于在凸部(16a)中下层布线(16)中的空隙也被吸气，因此能缓和下层布线(16)与上层插头(22a)接触的部分中空隙的集中，并且抑制接触电阻的增大。这样，能够抑制在布线和其上方的插头的接触部分中因布线中的空隙被集中性吸气而导致的接触电阻增大。

公开(公告)号：CN1299361C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200410057831.9

申请日：2004-08-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 门胁匡志 ,  海本博之 ,  半田崇登

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/00 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供具备即使在缩短了栅长的情况下也能确保大的电容可变范围的可变电抗器的可变电抗器·CMOS器件混合装载的半导体器件及其制造方法。半导体器件具有可变电抗器区(Va)和晶体管区(Tr)。在可变电抗器用的有源区中，在N阱区(12)中形成了掺了较高浓度的N型杂质而构成的衬底接触用扩散区(13a)，而没有形成以往的半导体器件的可变电抗器那样的延伸区(或LDD区)。另一方面，在晶体管区(Tr)中的P阱区(11)中的位于多晶硅栅电极(18)的两侧方的区域中形成了高浓度源·漏区(14a)和延伸区(14b)。确保了较宽的耗尽层的扩大范围，扩大了可变电抗器的电容可变范围。

公开(公告)号：CN1291484C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200410046433.7

申请日：2004-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中冈弘明 ,  中西贤太郎 ,  海本博之 ,  柁谷敦宏

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。作为为实现注入到栅电极(20)、(21)的杂质的活性化而进行的第1热处理，进行几乎不产生硼向多晶硅的各结晶粒内的扩散，且产生硼在结晶粒边界的扩散的低温长时间的热处理。接着，作为第2热处理，进行产生杂质向多晶硅层中的各晶粒内扩散的高温短时间的热处理，如脉冲退火、快速加热退火等。由此，能够提供被微细化、且能同时抑制栅电极中的杂质向沟道区域的渗透和栅电极的耗尽化。

公开(公告)号：CN1595635A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410076847.4

申请日：2004-09-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 半田崇登 ,  海本博之 ,  上田哲也

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，具备设在基板(10)上的下层层间绝缘膜(11)、由沿着下层层间绝缘膜(11)的下层布线槽(13)的壁面形成的下层阻挡金属层(14)以及铜膜(15)构成的下层布线(16)、上层插头(22a)以及上层布线(22b)。上层插头(22a)贯通硅氮化膜(24)和下层布线(16)的铜膜(15)接触。下层布线(16)中设有埋入下层布线槽(13)的凹部(13a)中的多个凸部(16a)。由于在凸部(16a)中下层布线(16)中的空隙也被吸气，因此能缓和下层布线(16)与上层插头(22a)接触的部分中空隙的集中，并且抑制接触电阻的增大。这样，能够抑制在布线和其上方的插头的接触部分中因布线中的空隙被集中性吸气而导致的接触电阻增大。

公开(公告)号：CN1574399A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410059271.0

申请日：2004-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒井将史 ,  海本博之 ,  赤松香

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及具备高速工作的MISFET的半导体器件及其制造方法。半导体器件具备由在nMISFET的源·漏区(3a、4a)上形成的氮化硅膜构成的第1种内部应力膜(8a)和由在pMISFET的源·漏区(3b、4b)上形成的TEOS膜构成的第2种内部应力膜(8b)。利用第1种内部应力膜(8a)在nMISFET的沟道区中在电子的移动方向上产生拉伸应力，以提高电子的迁移率。利用第2种内部应力膜(8b)在pMISFET的沟道区中在空穴的移动方向上产生压缩应力，以提高空穴的迁移率。

公开(公告)号：CN1523671A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN03147656.2

申请日：2003-07-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今出昌宏 ,  海本博之 ,  宫田里江

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/60 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L23/62 ,  H01L27/0266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，设置着具有半导体基板(11)、源极区(16)、漏极区(17)、栅电极(19)的N型MISFET(12)，在半导体基板(11)上设置着覆盖N型MISFET(12)的第1层间绝缘膜(13)、第2层间绝缘膜(14)、第3层间绝缘膜(15)。在第1层间绝缘膜(13)上，介有第2层间绝缘膜(14)的一部分而平行设置着旨在将栅电极(19)与外部电连接的第2栅极布线(25)和旨在将漏极区与外部电连接的第1漏极布线(26)。从而可提供静电保护能力高的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN1462068A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN03138118.9

申请日：2003-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 山下恭司 ,  海本博之 ,  小林睦 ,  大谷一弘 ,  国清辰也 ,  永久克己

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: G01R31/275 ,  G01R31/312

Abstract: 一种半导体装置和电容测量方法，CBCM测量装置具有：PMIS晶体管(11)和(12)、NMIS晶体管(13)和(14)、与第一节点(N1)相连的参照用第一导体部(15)、在与参照用第一导体部之间构成虚设电容的参照用第二导体部(17)、与第二节点相连的测试用第一导体部、与测试用第一导体部之间构成测试电容的第二导体部(18)。通过控制电压(V1、V2)，控制各晶体管的导通和截止，从流过第一、第二节点的电流测量测试电容器中的目标电容器的电容。通过增大虚设电容，使电容测量精度提高。提供电容的测量精度高的半导体装置或电容的测量方法。